c400 来了哇哈哈，和c300一样的主控

neeyuese · 发表于 2011-1-5 15:00

颗粒page变为8KB，意味着4KB性能会受到影响，今后可以靠更强的算法来弥补。
同容量下Die少了一倍，意味着持续速度会受到影响(读取不是问题，写入），需要靠更强的缓存效率来弥补。
工艺的提升造成P/E下降，目前乐观估计为3000次，随着ECC的提升，应该能更高点。
工艺的提升造成边缘问题更可能出现，固件的稳定性需要考验。
颗粒的tR,tP都变慢了，意味着速度下降很明显。

在这种恶劣条件下，如果新产品还能比老产品更快（同容量下），意味着固件算法有着本质的提高。（更上一层楼）

neeyuese · 发表于 2011-1-5 16:29

话说你们不就在意价格嘛，要好东西的自然有好东西的价格。

neeyuese · 发表于 2011-1-5 18:12

回复 neeyuese

Despite using IMFT’s 25nm NAND (at roughly 3,000 program/erase cycles per NA ...
westmere 发表于 5/1/2011 19:33

如果你仔细看C300的说明手册，64G，128G,256G标的都是72TB。

neeyuese · 发表于 2011-1-5 18:13

TSOP也是同步颗粒，和接口没关系。

neeyuese · 发表于 2011-1-5 18:27

那个图老了， ONFI 2.x标准开始全支持同步/异步，靠主控切换。
除了34nm的 L63A （出的早）只支持异步。

64GB的C300就72TB的耐久了，128G和256G的直接翻倍上去。

neeyuese · 发表于 2011-1-5 19:00

我很明确的告诉你，主要由主控来区分，颗粒支持2种模式。
TSOP也支持同步。

neeyuese · 发表于 2011-1-6 06:50

C400的算法沿用了一小部分P300的代码。P300的代码优势在于关闭写入缓存性能基本无损，和C300走的是2条路。