【原创】浴室来谈NAND Flash的底层结构和解析。

rocketeer · 发表于 2010-12-26 22:08

用hi-K的材料吧！

rocketeer · 发表于 2011-1-5 14:44

有几个问题想问大姐大：
１）控制阀的工作电压为多大？
２）Source / Drain的电压为多大？
３）Cell损坏是指氧化层被击穿而导致有电子不能被有效困在控制阀之内还是其它原因(例如电子迁移將其磨薄）？那麽氧化层有多厚呢？是用SOI技术生成的吗？４）XX纳米是指source和drain之间的距离？
谢谢大大的指点！

rocketeer · 发表于 2011-1-6 00:14

請ＬＺ幫幫忙！