111alan 发表于 2014-10-16 00:16 ![]()
die体质在封装后体质大幅变化不论在flash、ram还是处理器都是很常见的
DIE体制在封装后大幅变化只能说是封装失败了。并不是很常见的，就算有变化：也是体制好的晶圆做DIE在封装后像比较还是好的，而体制不好封装后会更不好。只有在后续工厂提高了DIE的步进时封装后得到的体制和稳定性得到一定的提高。而你说的内存的晶圆也是出厂前就测试好的。好品质的颗粒卖给海盗 芝奇封装厂等去特挑，内存厂最后把特挑出能统一到达某个超频率点的颗粒最后封装在一个内存条后就是我们手中的超频内存；而封装后当然还会再进行这个超频点的测试。反而如果封装后体质大幅变化，达不到只能说明封装失败，要进行频率降级。而INTEL其实已经考虑到了封装的影响，因为在封装之前就会留有20-100%的余量。就是说一个可以达到4G的处理器，为了稳定的前提它封装后会变成3.6或更低的主频。所以INTEL的处理器基本上都有一定超频的可能性。如果工艺好晶圆质量普遍高的情况下或者低端市场需要大，它也会4G的晶圆封装成2.6G等更低的CPU。我们就开始超频了
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