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标题: 尔必达已与Spansion开发出4G NAND闪存 [打印本页]

作者: badaa 时间: 2010-9-3 16:07
标题: 尔必达已与Spansion开发出4G NAND闪存
文章来源：钜亨网来源网址: http://news.cnyes.com/Content/20100902/KCBKXLAL8XJVU.shtml?c=industry

尔必达表示，已与Spansion 开发出4G NAND闪存，采用电荷撷取技术，拥有更为简单的信元结构，公司计划于2011年开始在日本西部工厂批量生产该芯片。

综合媒体9月2日报导，尔必达内存公司（Elpida Memory Inc.）9月2日表示，该公司与Spansion公司（Spansion Inc.）已开发出一款新闪存芯片，拥有比现有芯片更为简单的信元结构，该公司计划于2011年开始在其日本西部的工厂批量生产该芯片。

这家日本芯片制造商表示，该公司采用了所谓的电荷撷取（charge trap）技术来开发这个4G的NAND闪存芯片，该芯片的信元结构不同于现有的以传统浮动栅（floating gate）技术制造的NAND闪存芯片。该公司表示，这项新技术可帮助生产较目前市场上产品体积更小、功能更强大NAND闪存芯片。

尔必达的目标是成为全球第一个大规模生产基于电荷撷取技术NAND闪存芯片的芯片制造商。

诸如尔必达等仅生产DRAM（dynamic random access memory）芯片的半导体制造商正在试图增加生产闪存芯片的能力，以满足将闪存和DRAM整合成单一模块以用于移动电话的强烈需求。这类产品的市场正日益增长，部分原因是智能手机的全球普及。

作者: 无心飘落 时间: 2010-9-4 16:47
:lol必须的~~

作者: 而立之男 时间: 2010-9-4 17:01
必须滴。。。。

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