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标题: 东芝开始量产24nm工艺NAND闪存 [打印本页]

作者: 无心飘落 时间: 2010-8-31 20:54
标题: 东芝开始量产24nm工艺NAND闪存

东芝公司今天宣布，即日起开始使用24nm工艺批量生产NAND闪存芯片，这也是该领域内迄今为止最为先进的制造技术。
东芝透露，24nm工艺已被用于生产世界上体积最小、存储密度最高的2bpc(每单元两个比特)MLC NAND闪存芯片，单颗容量64Gb(8GB)，今后还会使用同样工艺制造32Gb(4GB)容量和3bpc规格的闪存芯片。
东芝表示，新工艺将进一步减小芯片尺寸、提高生产效率，同时还支持Toggle DDR接口规范，有助于增强数据传输速度。
在此之前，Intel、美光合资的IM Flash已经开始批量生产25nm工艺NAND闪存芯片，并试产了3bps规格芯片。

:lol

作者: badaa 时间: 2010-8-31 23:24
日前，东芝宣布建设一座新NAND闪存晶圆厂，而Intel和美光也计划在今年年底前重新启动新加坡合资晶圆厂的建设，而这些大厂的扩产举动会不会对2011年的闪存芯片价格带来压力，对此您的看法是？

作者: Suser 时间: 2010-9-5 18:36
:L什么时候SSD才能达到传统硬盘的量化呢...

3年?5年?

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