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标题: 正视听——有关三星V-NAND的二三事 [打印本页]

作者: nighttob 时间: 2016-7-2 16:49
标题: 正视听——有关三星V-NAND的二三事
本帖最后由 nighttob 于 2016-7-3 09:21 编辑

这并不是一篇纯粹技术向的文章，只是对网上一些谬误的批驳

关于三星的V-NAND，不知道何时有了这样一种说法：
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注意框住的部分，这个所谓“SM颗粒”是个什么玩意？三星真的不区分MLC和TLC颗粒了？
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原来“SM颗粒”是"SmartMedia"，那么SmartMedia是什么东西呢？

https://en.wikipedia.org/wiki/SmartMedia

维基百科告诉我，这是“上古时代”的一种存储卡，已经消亡了

见多识广的玩家看到上面这张图应该觉得熟悉，对，这就是我曾经讲NAND内部结构时候用的一张图 http://bbs.pceva.com.cn/thread-118468-1-1.html

要是照那个人的说法，三星最晚在2009年就有了3D NAND，或者说这个考量了，三星还真是高瞻远瞩啊，不是么~果然比全家都是MLC的说辞高不知道到哪儿去了

事实上，受制于存储卡体型及接口等方面的原因，给存储卡使用的NAND需要一定的“改造”，比如小尺寸、特殊接口等等，所以在这里能看到专门标注出来用于SmartMedia和XD Card的型号。moviNAND是一种嵌入式闪存方案，类似于eMMC。

“SM颗粒”的问题解决了，那么三星在V-NAND后真不区分MLC和TLC了么

当然是区分的，不然5种V-NAND die是怎么来的

有人觉得奇怪了，到SM961上面用的，应该是3代V-NAND啊，怎么来5种

没错，是3代V-NAND，分别是24层、32层和48层，但32层和48层还有原生TLC和原生MLC之分

何以见得呢，且听分解

第1代V-NAND，46nm制程24层128Gb die原生MLC，用于845DC PRO和SV843
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845DC PRO 512GB的PCB正面，颗粒是K9PKGY8S7M，单颗8die MLC 1Tb容量

第2代V-NAND，46nm制程32层128Gb die原生TLC，用于850EVO 2TB以内容量的和早期型850PRO等
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[attach]361157[/attach]
850PRO 1TB，PCB正面颗粒是K9PRGY8S5M，单颗8die 模拟MLC 683Gb容量，PCB背面颗粒是K9USGY8S7M，单颗16die 模拟MLC 1365Gb容量
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845DC EVO 512GB，PCB背面颗粒是K90KGY8S7M，单颗8die TLC 1Tb容量，PCB正面无NAND颗粒
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850EVO 2TB的颗粒K9DMGB8S7C，单颗16die TLC 2Tb容量

第2.5代V-NAND，3xnm制程32层128Gb die原生MLC，用于后期型850PRO，如850PRO 2TB，等
[attach]361146[/attach]
850PRO 2TB的颗粒K9UMGB8S7A，单颗16die MLC 2Tb容量
http://www.tomshardware.com/revi ... o-2tb-ssd,4205.html

第3代V-NAND，3xnm制程48层256Gb die原生TLC，用于850EVO 4TB、PM871和T3移动SSD等
[attach]361145[/attach]
T3移动SSD是mSATA的盘体+转接板的构造，颗粒K9DUGB8S7M，单颗16die TLC 4Tb容量
[attach]361148[/attach]
PM971整合封装SSD，K9DUGY8S0M，单颗16die TLC 4Tb容量

第3.5代V-NAND，21nm制程48层256Gb die原生MLC，用于SM961 512GB和1TB型号等
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SM961 1TB的颗粒K9UUGY8SCM，单颗16die MLC 4Tb容量，所以SM961只需要2个颗粒就能实现1TB的容量
http://www.tomshardware.com/reviews/samsung-sm961-ssd,4608.html

也就是说，三星采取了类似Intel tick-tock的进化方式，半代提升层数，半代升级制程。现在3.5代V-NAND的存储密度已经是三星自家16nm平面颗粒的3.5倍了。

除此以外还有Toggle DDR3.0接口、F-chip、更薄的die厚度=更薄的封装厚度，限于篇幅和本文主旨就不细讲了
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第3.5代V-NAND的die厚度只有大约40µm，16个die封装到一起也就1.1mm厚度，对比一下美光在1.2mm厚度内只能封装进4个die

综上所述，三星在3D V-NAND上面采用的依然是MLC用MLC，TLC用TLC的方案，早期型850PRO用模拟MLC可能只是权宜之计。而Intel-Micron则是只造一种die，封入的控制芯片是2bpc的就是MLC，3bpc的就是TLC。当然这并不保证三星现在或者将来不会采用像IM一样的方案。

另外二者的制作工艺也不同，三星用的是电子陷阱(CT)，IM用的依旧是浮栅(FG)，前者的性能更强，后者的成本更低，当然目前来看后者的密度也更高一些（256Gb/die TLC vs. 384Gb/die TLC）。这只是一些显性规格上的对比，深层的区别就更多了，本文同样不展开说明了。

细心的人应该注意到我上面留了一个坑——提及3.5代V-NAND和SM961的时候只说了512GB和1TB型号

难道128GB型号和256GB型号用的不是第三代V-NAND么？

答案是，不仅用的不是第三代V-NAND，而且根本就不是3D NAND，这一点耿直的超能网在评测的时候显然没发现
http://www.expreview.com/47880.html

这是SM961 256GB的颗粒K9UKGY8SCE，单颗16die MLC 1Tb容量，也就是64Gb/die，结合编号最后一位Gen为E，这是16nm的2D NAND
（三星并没有128Gb/die的2D NAND，V-NAND的容量是从128Gb/die起步的）

这也就能解释了为什么SM961全家都能提供超过3GB/s的持续读取能力

要知道，如果SM961全家用的都是3.5代V-NAND的话，128GB的SM961只需要4个die就可以，那么每个die就要有近800MB/s的读速度，就算V-NAND的性能再强，达到这样的指标也是十分困难的。因此三星明智地采取了和美光在M550上用的相同策略，用低密度颗粒堆出高性能。

虽然骗你用的是V-NAND是不对的，但三丧还是对得起买不起高容量SM961的人的，习惯就好

正文部分就到此结束

总结一下全文就是：
1. 所谓“SM颗粒”是用来忽悠人的；
2. 三星现在依然分别制造MLC和TLC颗粒；
3. SM961用了最新一代V-NAND，但不是所有型号都是。

在做相关工作的时候搜集到了很多关于V-NAND的信息，受水平限制只能避重就轻说这些，只能说三星在NAND领域的霸主地位是毫无疑问的

看别人写的东西要学会追本溯源，不能别人“一本正经”地说就当然全信，这一点对“求知若渴”的新人们来说很重要

我不会告诉你们这是昨天论坛管理群黑了一白天AMD以后，晚上由第一张图所引发的后续效应

作者: mkhq 时间: 2016-7-2 17:35
没看到SM951 用的啥？

作者: nighttob 时间: 2016-7-2 17:37

mkhq 发表于 2016-7-2 17:35
没看到SM951 用的啥？

没记错的话是早期19nm 2D MLC，后期16nm 2D MLC

作者: 忘世 时间: 2016-7-2 17:45
好奇AMD为啥被黑了，是因为480的PPT大法吗？

作者: neeyuese 时间: 2016-7-2 17:51
三星已经封不来8 Die以下的颗粒了。

作者: nazca001 时间: 2016-7-2 18:04
三星技术牛，但什么时候把高端盘的价格杀下呀，SM951 性能不错，能做成INTEL那样式就差不多了。

作者: nighttob 时间: 2016-7-2 18:10

nazca001 发表于 2016-7-2 18:04
三星技术牛，但什么时候把高端盘的价格杀下呀，SM951 性能不错，能做成INTEL那样式就差不多了。 ...

花了那么多钱搞技术，又花了那么多钱搞宣传
怎么能把价格降下来

作者: tsammammb 时间: 2016-7-2 18:21
本帖最后由 tsammammb 于 2016-7-2 18:23 编辑

相同制程堆叠32层的比48层的耐用度怎么样？21nm的48层堆叠比得过平面的16nm么？
850pro从TLC屏蔽变成原生MLC，耐久度是增加还是下降？
PM951也是用的2代V-NAND，主控支持LDPC么？

作者: nighttob 时间: 2016-7-2 18:31

tsammammb 发表于 2016-7-2 18:21
相同制程堆叠32层的比48层的耐用度怎么样？21nm的48层堆叠比得过平面的16nm么？
850pro从TLC屏蔽变成原生ML ...

第3代V-NAND的细节说明并不多，这个没法解答
但从纸面参数上比16nm的2D强得多
三丧给自家19nm 2D标的都有10k+，但不知道说的是消费级还是企业级

三丧曾经说过第2代V-NAND模拟的MLC在企业级是35k，消费级是8k

作者: neeyuese 时间: 2016-7-2 18:45
注意一下，三星的企业产品的数据保存期(Data Retention)时间定义为耐久度用完后1个月，别人家一般是3个月，所以三星标称P/E虚高。

作者: ghoc0012a 时间: 2016-7-2 19:19
学习了～～
字数补丁

作者: cssniper 时间: 2016-7-2 19:20
那么850pro 512g版本也是tlc模拟mlc咯

作者: zhangzh0199 时间: 2016-7-2 19:22
涨知识了，三星的技术真的不错。但我不喜欢他的营销做法

作者: nighttob 时间: 2016-7-2 19:26

cssniper 发表于 2016-7-2 19:20
那么850pro 512g版本也是tlc模拟mlc咯

早期版本全家都是，后来可能都换2.5代了

作者: 初恋璀璨如夏花 时间: 2016-7-2 20:11
能简单写下总结吗 850evo pro sm951 961 pm951 961区分
mlc？tlc？qlc？

作者: cssniper 时间: 2016-7-2 20:13

nighttob 发表于 2016-7-2 19:26
早期版本全家都是，后来可能都换2.5代了

3星的技术真的很强啊，不过不喜欢3星这个牌子。

作者: az6338890 时间: 2016-7-2 20:18
诶，说好的三星全家tlc呢

作者: liaobot 时间: 2016-7-2 20:43

好复杂好烧脑，我直接看结论了

作者: aotclotrr 时间: 2016-7-2 20:57
技术含量很高的文章虽然看不大懂还是支持一下。。。。。。。。。。。。。在EVA呆久了对三星实在有些bs 虽然最近换了三星的手机

作者: cnmbgyw33 时间: 2016-7-2 21:13
给用户自己选择权，是用mlc还是tlc，之前看过一篇报道，Intel也准备这么干

作者: 小钻风 时间: 2016-7-2 21:25
三星在这方面的技术确实牛到可以，剩下就看啥时候QLC模拟TLC

作者: Cogae 时间: 2016-7-2 21:43
目前三星性价比不够好，不过反正那么多家的都可以选择

作者: 111alan 时间: 2016-7-2 21:49
本帖最后由 111alan 于 2016-7-2 21:53 编辑

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主要问题不是在用什么名字，而是在明确的误导倾向。毕竟小白不知道电位数量有什么用，给他一“本质”三观就乱了。

作者: yangbaleng 时间: 2016-7-2 22:20
技术贴，咱小白一枚，只能看看结论了

作者: sseepsse 时间: 2016-7-2 23:06
我想知道昨天黑了一天的AMD后有什么结论么？

RX480怎么个买法。。。。

我也是打酱油的。

作者: power-car 时间: 2016-7-3 00:14

nighttob 发表于 2016-7-2 18:31
第3代V-NAND的细节说明并不多，这个没法解答
但从纸面参数上比16nm的2D强得多
三丧给自家19nm 2D标的都有 ...

后期型的850 PRO是第2.5代V-NAND，3xnm制程32层128Gb die原生MLC，如850 PRO 2TB。

那除了2TB外，后期的850 PRO 1TB和512GB，有没有采用2.5代原生MLC的？由S/N或P/N可以区分出前期TLC和后期MLC吗？

作者: nighttob 时间: 2016-7-3 07:31

power-car 发表于 2016-7-3 00:14
后期型的850 PRO是第2.5代V-NAND，3xnm制程32层128Gb die原生MLC，如850 PRO 2TB。

那除了2TB外，后期的 ...

没做深入研究，我又不买

作者: overthink 时间: 2016-7-3 07:44

第3.5代V-NAND的die厚度只有大约40µm，16个die封装到一起也就1.1mm厚度，对比一下美光在1.2mm厚度内只能封装进4个die

1.2mm厚度内只能封装进4个die是美光NAND的厚度问题么？

作者: nighttob 时间: 2016-7-3 07:50

overthink 发表于 2016-7-3 07:44
1.2mm厚度内只能封装进4个die是美光NAND的厚度问题么？

有点关系，但不是必然
封装技术是主因

作者: NOIP117 时间: 2016-7-3 08:59
哪个帖子是Koolshare的吧，看过，就几个跑分测试。
整个坛子感觉对中高端路由固件还是很专业的，但是SSD这块真的没什么货啊

作者: easports1200 时间: 2016-7-3 09:41
SM卡我记得卡和读卡器不兼容的特别多，是因为主控放在读卡器上了还是怎么的，2003年的电脑爱好者上还提到过，但真的从来没见过SM卡实物
有些时候我怀疑三星会不会被自己的宣传成本拖累的很惨，好像韩国企业都犯这个毛病，你看现代起亚，请明星倒是花了不少钱，可对产品以及品牌形象有啥提升？三星手机也不像前些年了，还有他的家电，至于三星的相机摄像机根本就是个杯具

作者: doymll 时间: 2016-7-3 09:56
不知道为什么.我对三星S7E的满意度很高
但是对三星SSD却没有认同感.

作者: heikissan 时间: 2016-7-3 09:57
看不懂，直接那个便宜买那个！

作者: wsw11111111 时间: 2016-7-3 16:05
技术性文章，让我等小白选择的时候心中有了点谱。抛开其他不说，三棒的技术还是先进的。

作者: 30907812 时间: 2016-7-3 16:15
人家的技术确实好是值得学习的

作者: CHOYA 时间: 2016-7-3 17:57
改天把这个帖子给我那个在西安三星工厂里生产3D NAND的同学看看

作者: tedsun 时间: 2016-7-3 23:25

doymll 发表于 2016-7-3 09:56
不知道为什么.我对三星S7E的满意度很高
但是对三星SSD却没有认同感.

hehe，我恰好跟你相反，在用的三块三星SSD都还算满意，但三星手机却绝不会再买。。。。（当然1000块买note3这种事情还是可以干的。。。）

作者: athloncn 时间: 2016-7-4 08:24
好吧
这次纠正了我以往的错误概念
前几天还跟网管普及“三星的3D NAND MLC是从TLC屏蔽过来的”

作者: demoxu 时间: 2016-7-4 09:38
珍爱数据，远离三星

作者: adam2015 时间: 2016-7-4 11:15
感觉要是能记住这么多参数和芯片信息，真得太厉害了。我看的都有点眼晕！

作者: nighttob 时间: 2016-7-4 11:18

adam2015 发表于 2016-7-4 11:15
感觉要是能记住这么多参数和芯片信息，真得太厉害了。我看的都有点眼晕！ ...

记它没用，用的时候查表+乘除法

作者: 无为有道 时间: 2016-8-12 11:49
看了下三星 950pro的ssd 发现写入4k问题极大。。正常的mlc闪存表现绝对没有这么糟糕吧。按照闪存查了下是mlc 但是按照三星给的数据。。pm951闪存的定义也是mlc。。。。。。。。。。瞬间糊涂了。十分怀疑950pro 就是tlc开了slc模拟。。。。。

作者: nighttob 时间: 2016-8-12 12:00

无为有道发表于 2016-8-12 11:49
看了下三星 950pro的ssd 发现写入4k问题极大。。正常的mlc闪存表现绝对没有这么糟糕吧。按照闪存查了下是 ...

你说说看哪儿有问题
一般评测的跑分部分我都略过的

作者: 无为有道 时间: 2016-8-12 13:05

nighttob 发表于 2016-8-12 12:00
你说说看哪儿有问题
一般评测的跑分部分我都略过的

除了持续写入。。其他小文件写入都有问题。对比961和东芝的垃圾主控nvme 。都有点不能看。。

作者: nighttob 时间: 2016-8-12 13:21

无为有道发表于 2016-8-12 13:05
除了持续写入。。其他小文件写入都有问题。对比961和东芝的垃圾主控nvme 。都有点不能看。。 ...

首先一点，本贴讨论的不是SSD
如果你对某产品有疑问，拿出数据和测试单独开贴

作者: DGX 时间: 2016-12-11 17:51
哎，看不懂三星的千万别入手，招太黑

作者: zyunkai 时间: 2016-12-11 23:39
涨知识了。。。

作者: tedsun 时间: 2016-12-12 15:27

doymll 发表于 2016-7-3 09:56
不知道为什么.我对三星S7E的满意度很高
但是对三星SSD却没有认同感.

我恰恰和你相反
买的三星830和850EVO都满意度很高
但是三星手机是坚决不会再买了

作者: gzzymy 时间: 2016-12-13 16:13
书读少了，没看懂。

作者: toystory 时间: 2017-2-9 10:04
学习，很难得的资料

作者: batzxcboy 时间: 2018-4-15 18:36
彻底的学习了，如何分辨与独立思考

作者: liuhaodiyi 时间: 2018-4-26 15:05
当初好文如今再来拜读！

欢迎光临 PCEVA,PC绝对领域,探寻真正的电脑知识 (https://bbs.pceva.com.cn/)