跟处理器芯片一样,制程工艺越先进,每一代工艺的进步在外人看来感觉是越来越小了,CPU工艺好歹是从22nm进步到14/16nm、NAND也是从20nm进步到16/15nm,内存工艺这次只是从20nm进步到了18nm虽然集成电路的生产制造过程都差不多,但具体到不同产品上又有很大不同。 在20nm节点上,三星、SK Hynix及美光还可以使用45nm工艺级别的半导体印刷设备,三星已经开始启用双重曝光工艺。从20nm到18nm,三星的DRAM内存能效据称提升了20%。 现在的情况是,三星已经开始量产18nm工艺DRAM内存,为了进一步提升产能,三星还在安装更多的半导体设备,预计今年夏天产能会大幅提升。 其他两家对手的进度没这么快,他们的20nm工艺才量产不久,SK Hynix的18nm级别工艺还在开发中,而美光这两年的日子不好过,研发进度就更慢了,20nm工艺才刚量产,18nm工艺还很遥远,消息称美光有可能落后三星2年左右。 不过对内存厂商来说,今年最大的问题恐怕不是产能和工艺,而是市场和价格。PC需求不断下降,智能设备市场增速也没之前那么高了,但20nm产能不断扩大,所以之前有预测称今年DRAM内存市场会迎来大降价,最高甚至会降40%。
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