SSD容量翻倍？三星量产业3D垂直NAND闪存，单芯片可达128Gb

      三星新近宣布开始量产业界第一款3D垂直NAND（V-NAND）闪存。新的3D垂直NAND闪存可以在单个芯片上实现128Gb的容量，写入速度可以达到原来的2倍。　　
      三星新近宣布他们突破了现有NAND闪存技术的规模限制，开始量产业界第一款3D垂直NAND（V-NAND）闪存。
  　随着性能和面积比方面的提升，新的3D垂直NAND闪存将大范围应用于消费电子和企业应用方面，包括嵌入式NAND存储和SSD固态硬盘。
　　新的3D垂直NAND闪存可以在单个芯片上实现128Gb的容量。它使用了三星的垂直cell结构，该结构基于3D CTF（Charge Trap Flash）技术和垂直堆叠制程技术。得益于此，新产品可以提供超过两倍于20纳米平面NAND闪存的容量。
　　三星表示新技术令产品的可靠性为上一代的2至10倍，写入速度可以达到原来的2倍，单个芯片可以包含24层堆叠cell单元。

IC终于在Z轴上做文章了，CPU的垂直工艺何时到来呢？

容量翻倍，价格会不会腰斩呢？期待

想想NAND和CPU功率的差别,就知道当前技术可不可能了.

cytzlx 发表于 2013-8-7 08:21
想想NAND和CPU功率的差别,就知道当前技术可不可能了.

3D 晶体管技术不是早有了么。

applelovekula 发表于 2013-8-7 08:27
3D 晶体管技术不是早有了么。

英特尔那个只是三栅极，跟这个垂直堆叠区别很大吧

applelovekula 发表于 2013-8-7 08:27
3D 晶体管技术不是早有了么。

3D三栅级（Tri-Gate）晶体管:相对于以往的平面型晶体管模型结构工作方式，现在由以往的仅在底部区域的“1”个平面形“栅极”，发展成了立体结构的“3”个平面形状的“栅极”，控制电流同时从该立方体形状的栅极3个面（两侧和顶部）同时对晶体管的源极和漏极的通断电流进行控制，所以称为“三栅极”晶体管。这样的“三栅极”结构形状就像一本书，原来是“平躺着放置的”，现在变成了“立起来放置”。与以往平放的“1个面”的栅极晶体管相比，既节省了芯片面积，也减少了晶体管的漏电流，提高了开关速度。
3D垂直闪存V-NAND:V-NAND单颗芯片，内部采用三星独有的垂直单元结构，通过3D CTF电荷捕型获闪存技术、垂直互连工艺技术来连接3D单元阵列。三星自己研发的垂直互连工艺可以将最多24个单元层堆叠在一起，并且使用特殊的蚀刻技术从最高层到最底层打孔，实现各个层的电子互连。

去搜索了一下原理,两者是不一样的.

学习了。~

怎么也搞垂直了···又是三棒子··

相比于SSD技术的日新月异，HDD近年来的发展迟缓和品质下降真是让人不忍触睹。。。

cytzlx 发表于 2013-8-7 08:44
3D三栅级（Tri-Gate）晶体管:相对于以往的平面型晶体管模型结构工作方式，现在由以往的仅在底部区域的“1 ...

长见识了……