据传GT3e集成的eDram是512bit,64GB/s的带宽。那么就是1Ghz频率。看上去貌似很高的样子。
但这里有几个问题,希望大神解惑。
1、关于连接方式,512bit外加1Ghz的频率与任何已知的intel外部接口都不兼容。起初我认为应该是直接接到ring bus上,同L3一起作为LLC使用。但IVB的ringbus是一个256bit/3Ghz的半双工数据环外加3个功能环组成,haswell在这方面没有变化,那这样就与eDram的接口不对。
后来说可能用QPI总线去连,QPI是16bit 8GT/s的全双工总线,给eDram做上外部电路的话大概两条QPI就够了。但这可是用在8路服务器上的E5全部的外部带宽。都拿来连这东西了其他设备吃什么?
2、ringbus的带宽问题,上面提到了,ringbus的数据环是256bit/3Ghz,那么就是96GB/s的带宽,由于这是ringbus,不是crossbar(废话),所以这就是整个核心内部的全部带宽了。不管外面的eDram如何连接,最终数据都是要走ringbus进到CPU或者GPU里面,那么一旦eDram跑满,整个核心2/3的带宽被占掉。eDram又只有128M的容量,只能存热数据,剩下的要从内存中找,双通道1866的DDR3又要占掉30GB/s。这样极端情况下eDram+内存就占掉整个ringbus中98%的带宽,会导致整个CPU处于完全没有数据的情况,因为L3也是接在ringbus上的,只凭每核心256k的L2根本干不了啥事。
3、那么剩下的唯一方案就是将这个eDram直接同GPU连接,当做GPU的专用缓存,既不走QPI也不走ringbus。但这样以来就相当于是一个128M显存的独显同CPU共享一部分额外内存当显存了,不仅提升幅度有限,这么大一块eDram对于其他设备也没有任何的提升。由于容量过小,搞不好还会因为频繁的数据交换拖慢整个系统的性能。(类似现在A/N卡的爆显存)这50美元也太不值了。 |