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c400 来了哇哈哈,和c300一样的主控

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1#
westmere 发表于 2011-1-5 09:23 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
点击数:13024|回复数:27
本帖最后由 westmere 于 2011-1-5 09:36 编辑

http://www.techpowerup.com/13767 ... ased-Notebooks.html


但是竟然用TSOP的NAND了。无语。。。。。估计是要走低端路线了。


4k性能下降,价格持平
The random read and write IOPS numbers for 4K blocks are 40,000 and 50,000 (40K/50K) for the 512GB and 256GB products, 40K/35K for 128GB, and 40K/20K for 64GB.
http://www.theregister.co.uk/2011/01/04/micron_realssd_c400/
2#
iucas 发表于 2011-1-5 09:50 | 只看该作者
还好没等C400,及时入手C300真是明智啊。
3#
westmere  楼主| 发表于 2011-1-5 10:04 | 只看该作者
成了和intel g3一样货色的东西,4k甚至更烂。c300骄傲的60K 读取iops没了。
4#
phoenixes 发表于 2011-1-5 11:12 | 只看该作者
本帖最后由 phoenixes 于 2011-1-5 11:15 编辑

C300用的是Marvell 88SS9174-BJP2,
C400用的是Marvell 88SS9174-BKK2,步进不一样
Plextor PX-256M2S也是这个

这个是针对8K算法优化的,4K性能自然不好,我认为8K性能会很不错~
5#
westmere  楼主| 发表于 2011-1-5 11:29 | 只看该作者
本帖最后由 westmere 于 2011-1-5 11:32 编辑

都是9174,没多大区别吧。。。

TSOP还能是同步颗粒吗?

难道NTFS格式化都要选8k了?
6#
aibo 发表于 2011-1-5 11:44 | 只看该作者
请把C300的价格压下来,我好考虑进一个

ps,8K有点蛋疼了
7#
westmere  楼主| 发表于 2011-1-5 11:57 | 只看该作者
回复 6# aibo


价格这里有http://www.anandtech.com/show/40 ... offers-415mbs-reads

64G,128G,256G,512G报价分别是100,210,425和845美金。
8#
neeyuese 发表于 2011-1-5 15:00 | 只看该作者
颗粒page变为8KB,意味着4KB性能会受到影响,今后可以靠更强的算法来弥补。
同容量下Die少了一倍,意味着持续速度会受到影响(读取不是问题,写入),需要靠更强的缓存效率来弥补。
工艺的提升造成P/E下降,目前乐观估计为3000次,随着ECC的提升,应该能更高点。
工艺的提升造成边缘问题更可能出现,固件的稳定性需要考验。
颗粒的tR,tP都变慢了,意味着速度下降很明显。

在这种恶劣条件下,如果新产品还能比老产品更快(同容量下),意味着固件算法有着本质的提高。(更上一层楼)
9#
yurizzr 发表于 2011-1-5 15:22 | 只看该作者
回复 8# neeyuese


   那这样的话今年大家期待的25NM的SSD性能和寿命都不会比之前的好咯    只是价格便宜些了
10#
neeyuese 发表于 2011-1-5 16:29 | 只看该作者
话说你们不就在意价格嘛,要好东西的自然有好东西的价格。
11#
choco_dove 发表于 2011-1-5 17:32 | 只看该作者
话说你们不就在意价格嘛,要好东西的自然有好东西的价格。
neeyuese 发表于 2011-1-5 16:29


强烈同意+1
12#
westmere  楼主| 发表于 2011-1-5 17:33 | 只看该作者
回复 10# neeyuese



    Despite using IMFT’s 25nm NAND (at roughly 3,000 program/erase cycles per NAND cell), Micron claims the C400 will last for at least 72TB of writes over its lifetime which is identical to how long Micron claims the C300 will last. I asked Micron why the C400 didn’t incur any endurance penalty with the switch to 25nm, its answer was simple: the C300 was conservatively rated. Even though the C300 NAND cells will last longer, both it and the C400 will at least make it to Micron’s 72TB rating. Micron also mentioned to me that it writes more than 72TB of data to its drives during development, so this is a verified rating.

看链接,anand采访镁光,镁光竟然说不是C400太耐用,而是c300的评估过于保守。。。。。

镁光太拽了。
13#
westmere  楼主| 发表于 2011-1-5 17:35 | 只看该作者
回复 10# neeyuese


浴室大大,为什么c400不用BGA封装的同步颗粒了,而采用TSOP的颗粒呢?这样单通道速度不就会暴降了吗?
14#
neeyuese 发表于 2011-1-5 18:12 | 只看该作者
回复  neeyuese



    Despite using IMFT’s 25nm NAND (at roughly 3,000 program/erase cycles per NA ...
westmere 发表于 5/1/2011 19:33


如果你仔细看C300的说明手册,64G,128G,256G标的都是72TB。
15#
neeyuese 发表于 2011-1-5 18:13 | 只看该作者
TSOP也是同步颗粒,和接口没关系。
16#
westmere  楼主| 发表于 2011-1-5 18:20 | 只看该作者
本帖最后由 westmere 于 2011-1-5 18:22 编辑

回复 15# neeyuese



TSOP封装的也有同步颗粒?这个图说的可清清楚楚。同步的都是VBGA封装,TSOP通通不同步。

而且TSOP的速度只有可怜的50M,VBGA的可以有200M。TSOP电压是3.3v,VBGA是1.8v,明显VBGA的更低碳。

17#
westmere  楼主| 发表于 2011-1-5 18:24 | 只看该作者
回复 14# neeyuese


答非所问。
18#
neeyuese 发表于 2011-1-5 18:27 | 只看该作者
那个图老了, ONFI 2.x标准开始全支持同步/异步,靠主控切换。
除了34nm的 L63A (出的早)只支持异步。

64GB的C300就72TB的耐久了,128G和256G的直接翻倍上去。
19#
westmere  楼主| 发表于 2011-1-5 18:53 | 只看该作者
回复 18# neeyuese

这个图不老了吧,2010,一月的哦。。。也是说的一样的内容。还是tsop 50m。。。。VBGA 200m

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20#
heroares 发表于 2011-1-5 19:00 | 只看该作者
已经买了C300滴很淡定
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