Tom's Hardware和PHISON的关系看来不是一般的好，这次他们拿到了PS5007-E7主控的两块工程样品，分别使用了双倍缓存（double DDR）和完全SLC模式设计，这将会是E7方案在今年的新分支，以不同的设计帮助厂商丰富产品布局。
这两块AIC板卡都是PHISON工程样品，固件也是比较老的初期固件，所以并不完全代表最终产品的性能，各厂商有可能会在今年上半年推出使用双倍缓存方案的新品，但并没有确切的时间表。
一般SSD会使用1G：1M的比例去使用DRAM缓存，而Double DDR就是配备双倍的标准缓存容量，在Tom's Hardware测试的这块480G双倍缓存设计中就用上了1GB的DRAM缓存，这将有利于随机读写性能的提升（ps:这里突然想起来浦科特的很多SATA SSD都是1G:2M的缓存配置）。另外一个完全SLC模式的样品则是用1024GB容量的东芝15nm MLC完全以SLC模式使用，这种变态方式自然能带来超强性能和超强耐久，但成本也是飞涨，只怕即便上市也会是少量发售的限量版产品。
性能对照环节只保留了MLC产品，并没有把600p强行拉来垫底。除了Intel、三星、浦科特之外，其他几个对比产品基本就是PHISON内战了，RD400是PS5007的定制固件版，MydigitalSSD BPX和Patriot Hellfire这两款也都是PHISON PS5007方案的产品。
128K持续读取随QD变化：QD8以后的RD400成绩真的很妖，可惜这货国内完全买不到了。不管是双倍缓存还是完全SLC模式，两块工程样品的性能表现都比过去的E7常规固件性能更高，毕竟在硬件上多下了本钱~
128K持续写入随QD变化：配置双倍缓存后的E7工程样品真是像打了鸡血一样：
4K随机读取随QD变化：低QD下三星的确有优势，但若论高QD，只服Intel...
4K随机写入随QD变化：我好像明白三星NVMe为啥只拼持续读写速度了，因为随机读写速度Intel 750太强了...在这个环节完全SLC模式似乎没有比双倍DRAM配置的样品体现出更多优势，性能瓶颈看来并不在闪存带宽，而是其他地方有了局限。
混合持续读写，80%读取：SLC延迟果然低。另外，观察配置双倍缓存后的E7样品，的确比过去标准配置的主控方案有提升
混合随机读写，80%读取：再给RD400的国内缺席默哀一下。完全SLC模式的E7表现也不错，只是成本可能会比较吓人罢了
PC Mark 8存储带宽：配置双倍DRAM缓存后的E7距离浦科特M8Pe的表现更接近了，值得点赞
Tom's Hardware文中还透露影驰会重新发布使用E7主控、带有掉电保护功能的HOF PCIe SSD（HOF PCIe很早就发布过，并且也有电容，但是当时掉电保护特性并没有实际生效）。个人感觉E7这个双倍缓存配置的新方案还是比较有看点的，至于全盘开SLC模式的方案就基本不抱能买的希望了。除了深耕E7之外，影驰前段还在微信上公开爆了PS5008-E8方案SSD产品的照片，PHISON的NVMe主控这下是要完成高中低档全线布局了，不知道以后还有没有SATA的事儿
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