MRAM磁阻式随机存储器，是未来NAND的潜在替代者之一，采用磁化方向不同所导致的磁电阻不同来记录0和1，只要外部磁场不改变，磁化的方向就不会变化。MRAM不需要DRAM那样的刷新操作，兼具非易失性、高速度和低能耗特点。2014年的时候TDK展出了一款1Mb的“大容量”样品，现在Everspin公司刚刚发布了有史以来最大容量的MRAM商用产品——256Mb
虽然容量看起来比较讽刺，但MRAM的确具备超强的实力，作为非易失性存储器却具备内存级的速度，非常适合用来替代DRAM+电容来制作断电保护电路，应该能够大幅简化掉电保护固件的制作难度，毕竟电容放电特性会随着环境温度和使用时间而有所变化，想要适时合理的在断电时将数据刷新到闪存里也是需要大量研发工作的。
当前256Mb的MARM使用DDR3作为数据接口，尽管256Mb也是刚刚开始向客户出货，Everspin已经宣布了接下来在下半年将试产1Gb容量的MRAM产品，届时将使用DDR4作为数据接口。不管是存储特性还是数据接口，和Intel提出的3D XPoint都很像啊，估计Everspin现在是坐不住了
Everspin给出的MRAM的一些技术特性：
写入速度达到NAND闪存的100000倍
使用DDR3/DDR4内存接口（意味着通用性增强，改用MRAM替代DRAM做缓存方案的开发难度降低）
无需磨损均衡
可提供当前非易失性存储产品中最高的耐久度（然而具体多少没有说~）
更节能（工作原理决定MRAM无需类似DRAM的刷新操作）
可提供立刻开/关功能
MRAM还是受到很多关注的，去年Everspin曾获得了GlobalFoundries和西数的2900万美元战略投资。虽然现阶段在容量上看没有取代NAND的可能，但凭借着非易失性特点用作SSD的自带断电保护特性的缓存还是很有前景的。
Everspin MRAM的资料：https://www.everspin.com/file/965/download
|
收藏
转播
