这几年Flash发展的速度太快,SSD主控方案跟进的也呈疲惫现象,但是不跟进的话,又会丢失市场。从SLC 到MLC,发展到TLC或后续成熟的V-NAND都是存储的光辉岁月。
是的,大众客户都需要性价比,有大容量,便宜货的时候直接看品牌推广效应来对比,最后购入,或许有抢到一点新鲜【省点钱】。消费者需要引导,商家开始做推广。但是人都不是傻的,买什么东西要怎么用每个人心里都会有个天平,多了解点没错,好吧 希望论坛上的伸手党会少点
从MLC开始,到现在的TLC 推广的SLC buffer的做法,目前只是一个理想状态,MLC可以做,那么TLC也可以做么?
SLC 1 data in 1 cell--0 or 1
MLC 2data in 1 cell --00.01.10.11.
TLC 3 data in 1 cell --000.001.010.011.100.101.110.111.
制程更新,物理存储单元间隙变小--readretry ,数据存储状态变更--ECC纠错位数增加,---存储单元的漏电流--目前了解到无解··【丧桑还在继续砸钱--so 消费者需要买到价格和MLC一样的产品区买单】
还是静静的做一个用MLC的老实人··TLC或许会被放弃,V-NAND是下一代FLASH厂家战火的序幕~~
以上,不同看法 欢迎!~
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