浦科特M6S Plus 128GB和256GB SSD评测

产品外观与拆解

2014年3月，浦科特发布了M6S系列SSD，采用的是东芝原厂A19nm MLC闪存搭配Marvell 88SS9188 "Monet Lite"主控。2年过去了，现在浦科特带着采用更新工艺东芝原厂A15nm MLC闪存的M6S Plus系列SSD来了，本次PCEVA评测室拿到的是128GB和256GB的M6S Plus SSD，让我们‘现在看下开箱部分。





从包装盒的正反面可以看出，浦科特M6S Plus基本上完全沿用了过去的设计，除了正面型号右上角的Plus小字，背后的官标性能参数和前代M6S也完全一致。




和之前一样，金色盒子内就块塑料支架配SSD盘本体和保修手册。



浦科特的外壳依然采用铝制拉丝工艺，外观呈银白色，重量较轻，盘体厚度7mm，适合家用环境，对笔记本平台用户来说分量轻是个优点。M6S的标右上角多了个稍显活力的Plus字样。




盘背面贴纸序列号和外盒对应，另外还有标称功耗和电子认证规范标准等信息。



盘体分解后，外壳内部贴有导热贴帮助主控散热




浦科特M6S Plus 128GB的PCB正反面，可以看到元件都在正面，背面就一些测量点。







浦科特M6S Plus 128GB的缓存，闪存和主控特写。主控为Marvell 88SS9188 代号"Monet Lite" 4通道主控，每通道支持4CE，比8通道的Marvell 88SS9187 代号"Monet"的主控封装面积小了一圈。缓存为海力士H5TC2G63FFR的闪存，容量256MB，参数1.35V 1600 CL 11。闪存为东芝A15nm MLC颗粒，64Gbit Die，每颗内部封装4个Die，内部4CE，组成32GB容量，4个颗粒组成128GB容量，16KB Page，4MB Block，2 Planes，BGA封装带宽最大400MT/s







浦科特M6S Plus 256GB的PCB正反面，反面依然没有元件。









浦科特M6S Plus 256GB的缓存，闪存和主控特写。主控Marvell 88SS9188，缓存为海力士H5TC4G63AFR的闪存，容量512MB，参数1.35V 1600 CL 11。闪存为东芝A15nm MLC颗粒，64Gbit Die，每颗内部封装8个Die，内部4CE，组成64GB容量，4个颗粒组成256GB容量，16KB Page，4MB Block，2 Planes，BGA封装带宽最大400MT/s



测试平台及SSD基础信息

测试平台：
CPU：:Intel Core i5-4670K
主板：技嘉B85N Phoenix
内存：宇瞻DDR3 1600 8GB X 2
显卡：MSI 微星780Ti Gaming
主硬盘：OCZ Vector 150 240GB

SSD基准信息判定：Crystal Disk Info





CDI能够很清晰的显示出浦科特M6S Plus的信息，当然用户也可以使用浦科特自家的工具箱程序。

基准测试项目1： ASSSD





浦科特M6S Plus 128GB的持续写入可以达到340MB/s以上，看来官标性能还是比较保守的。256GB的型号因为Die多了一倍数量，写入提高到430MB/s以上，综合性能性能中规中矩，持续读取没法突破500MB/s是个遗憾，上一代M6S是可以突破520MB/s的，看来固件有做了微调，我们下面分析。

基准测试项目2： PCMARK 7





浦科特M6S Plus的PCMARK 7性能比上一代M6S稍高一点，鉴于ASSSD显示读取性能不如上代，说明轻度负载下这款SSD的性能表现更平稳。

基准测试项目3： PCMARK 8





M6S Plus的PCMARK 8性能比上代M6S稍差，原因是固件的读取性能表现不如上代M6S，接下来进入进阶测试项目来分析。

进阶测试项目1： QD深度对随机4KB读写造成的影响









浦科特M6S Plus 128GB和256GB的随机读写QD表现性能平稳，和之前说的一样，128GB内部Die数量较少的关系，最大写入性能比256GB稍差。

进阶测试项目2： 离散分布测试（IOMETER 5000秒）









浦科特M6S Plus 128GB的离散度表现比M6S好太多，之前M6S不管什么容量都会有许多0 IOPS，这次浦科特M6S Plus 128GB的型号平均IOPS基本稳定在4000以上，但是M6S Plus 256GB就让人看不懂了，看起来根本不是一个系列，这是怎么回事？难道工程师唯独对256G偷懒优化不到位？我们也申请了512GB的评测，到时候再看看情况。

进阶测试项目3： PCMARK 8扩展存储测试之性能一致性部分



这部分测试浦科特M6S Plus系列全面领先之前的型号，改进很大，可以看出新版固件更耐压。

总结：

浦科特M6S Plus系列虽然是东芝闪存工艺换代出现的产物，但固件还是基于前代的改进而来。我们知道初期浦科特M6S系列的固件有不少问题，后来的1.08版好了很多，那么基于前代固件改进的M6S Plus系列固件健壮性是否会保持高水准呢？性能稳定性方面256GB的表现还需要加把劲，希望工程师不要偷懒，继续优化下离散度表现，毕竟这个会影响用户实际体验的，之后我们还会测试和对比512GB的型号。A19nm转A15nm颗粒后，两代产品虽然市场定位完全相同，但是新产品价格依然会走缓慢下降趋势的，总之让我们拭目以待吧。

浦科特512GB的评测请看这里：浦科特M6S Plus 512 评测

xiatian 发表于 2016-2-28 18:54
这2个15NM MLC都是东芝A15的吗?是的话应该是一样的吧。浴室大大 快块显灵出来解答下 各个小弟的疑惑 求解。 ...

19nm/A19nm/A15nm 全部标称3000+ P/E，区别是对固件里设置的纠错强度，工艺越新要求越高，初期颗粒耐久度不如后期。

Yakumo 发表于 2016-2-29 02:14
看到这个测试想起来当年困扰我的一个疑惑，正好借楼问下浴室大大：M6s刚出的时候入了一块，当时啥都不懂， ...

http://bbs.pceva.com.cn/thread-5204-1-1.html

laiyweili 发表于 2016-3-20 07:34
主控值钱 也值不了这么多。

反正 对于 19N 和 A19 的寿命标称3000 都是不认可的。（N19 2600.......A19  ...

你括号里这些值是哪里来的？不会是你脑补来的吧。东芝颗粒的Target一直是3K+，和别人一样初期良品率较低比较难做到，但是只要你不买ES的颗粒就没事。