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标题: 三星最新旗舰850 PRO的3D V-NAND颗粒可能是TLC模拟MLC？ [打印本页]

作者: neeyuese 时间: 2014-8-28 11:20
标题: 三星最新旗舰850 PRO的3D V-NAND颗粒可能是TLC模拟MLC？
两个月前，三星发布了新一代SSD旗舰——850 PRO。其搭载的全新32层3D V-NAND颗粒，一时间成为了众人关注的焦点。这里我们暂时先不讨论新技术本身，只谈一个由容量带来的疑惑。

相信不少人已经看过外站的850 PRO评测，比如AnandTech出的。在AnandTech的评测中，提到850 PRO所使用的颗粒，容量是86Gbit/Die。

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对于86Gbit这个数字，包括我在内不不少人都有疑问，因为这个数字并不是常见的2的n次幂，比如64Gbit或者128Gbit。那么86Gbit这个数字究竟是怎么来的，下文来揭晓。

三星说过，用在850 PRO上的是第二代3D V-NAND。根据三星官网的消息，三星于2013年8月开始量产第一代2bit MLC 3D V-NAND，使用40nm制程24层工艺提供了128Gbit的单Die容量，当时采用此款颗粒的SSD产品一直没有被正式定义过型号，只有480GB和960GB两个容量的标示，可想而知三星当时并没有大量生产，只是做做形式，在各方面还在进行改进中。

[attach]248212[/attach]

直到现在，采用了此款颗粒的三星的企业级产品845DC PRO终于现身，它采用的依然是24层的第一代2bit MLC 3D V-NAND，搭配28% OP后容量变成400GB/800GB。

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经过1年的调校，使其达到稳定态QD32下4KB随机IOPS破50000的性能和全盘容量每天10遍写入的耐久度，只不过价格也不菲，平均每GB需要2.5美金左右，直指Intel DC S3700。在本站精英玩家nighttob最近的帖子《SSD中的新与旧》中他提到“任何一款产品，从刚上市到成熟稳定，都需要一个时间的过程”。由于这款第一代24层3D V-NAND是做为企业级产品用的，因此三星用了整整一年的时间进行调校。为何三星不在企业级的845DC PRO上采用最新发布的第二代32层3D V-NAND颗粒呢？这又印证了nighttob在帖子中说的“消费者来帮SSD厂家完善自己的产品”，三星是依靠850 PRO的用户来帮未来的企业级产品完善品质。

3D NAND这个新领域需要异常严谨的探索过程，不过一旦入门后，第二步就是尽可能地降低成本，来做到利益最大化。三星推出的第二代3D V-NAND。在依然使用40nm制程的情况下，Die尺寸缩小接近1/4，但层数从24提高到32，而容量反而降低到86Gbit。怎么第二代在物理指标与前代接近的情况下，容量反而下降了？难道是三星良心发现，转做小而精了？当然不是，据我了解，这可能是直接把原本的TLC颗粒模拟成MLC使用，使得原本128Gbit的TLC颗粒缩水了1/3的容量，变成了86Gbit的MLC颗粒。（三星还会继续通过逐步提高层数以实现更大容量，直到1Tbit/Die，同时制程维持40nm不变）

接下来就提供一些信息，看看是否如我所说的那样，由TLC模拟而来。

第一部分：我个人猜测86Gbit的由来

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上图是一颗128GB容量的三星850 PRO内部照，图片来自TweakTown网站。这块盘上有2种型号的颗粒，分别是K9HQGY8S5M和K9LPGU8S1M各2颗。一个是2Die封装，另一个是4Die封装，因此整块盘一共有12个Die。用SSD总容量128GB除以12个Die，得到每个Die容量就是86Gbit。

对于86Gbit这个奇怪的数字，我觉得有3种可能：
1.       三星真的做出了86Gbit的容量；
2.       三星故意在颗粒内部留OP来提高性能或者耐久度；
3.       三星用TLC屏蔽1bit来达到MLC的效果（MLC每个cell是2bit，而TLC每个cell是3bit）。这是可能也是最符合常理的，86正好是128的2/3。

为了找出答案，自然要进入下一步。

第二部分：如果说颗粒封装外面的编号不作数的话，那么我们可否从晶片上找出一些信息呢？

以下这些晶片照片来自各大业内的研究实验室，这些照片是Die真正的编号，非外部封装编号。

我们先从840 PRO开始分析吧。

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[attach]248217[/attach]

初代840 PRO采用的是21nm MLC颗粒。拿128GB的840 PRO的颗粒封装图来看，我们看到是由4颗256Gb（32GB）的K9HFGY8U5A-CCK0颗粒组成。这些颗粒内部的Die照编号是什么呢？

[attach]248218[/attach]

https://chipworks.secure.force.com/catalog/PROductDetails?sku=SAM-K9HFGY8U5A-CCK0
如图，Wafer编号K9GCGD8U0A，其中
K9=Samsung NAND Flash
G=MLC
CG=64Gb
D8 = DDR 8bit Access
U=2.7v ~ 3.6v
0=普通
A=第二版

也就是说K9HFGY8U5A-CCK0内部是由4个K9GCGD8U0A（64Gb=8GB）组成的32GB容量。

那么我们再看看初代840采用的 21nm TLC，拿120GB的840的颗粒封装图来看，我们看到是由8颗128Gb（16GB）的K9CFGY8U5A-CCK0颗粒组成。这些颗粒内部的Die照编号是什么呢？

[attach]248219[/attach]

[attach]248220[/attach]
https://chipworks.secure.force.com/catalog/PROductDetails?sku=SAM-K9CFGY8U5A-CCK0
如图，Wafer编号K9ACGD8U0A，其中
K9=Samsung NAND Flash
A=3bit MLC = TLC
CG=64Gb
D8 = DDR 8bit Access
U=2.7v ~ 3.6v
0=普通
A=第二版

也就是说K9CFGY8U5A-CCK0内部是由2个K9ACGD8U0A（64Gb=8GB）组成的16GB容量。和前面840 PRO颗粒相比，内部Wafer区别是MLC和TLC的区别，这是完全2条产线生产的。

接下去来看这个是840Evo改版后的19nm TLC颗粒，拿250GB的840 Evo的颗粒封装图来看，我们看到是由2颗1024Gb（128GB）的K90KGY8S7M-CCK0颗粒组成。这些颗粒内部的Die照编号是什么呢？

[attach]248221[/attach]

[attach]248222[/attach]

[attach]248223[/attach]

[attach]248224[/attach]
https://chipworks.secure.force.com/catalog/ProductDetails?sku=SAM-K90KGY8S7M-CCK0
如图，Wafer编号K9ADGD8U0M，其中
K9=Samsung NAND Flash
A=3bit MLC = TLC
DG=128Gb
D8 = DDR 8bit Access
U=2.7v ~ 3.6v
0=普通
M=第一版

也就是说K90KGY8S7M-CCK0内部是由8个K9ADGD8U0M（128Gb=16GB）组成的128GB容量。

接下来我们来看一下本次三星新旗舰850 PRO上采用的颗粒内部Die图片，由上文已知128GB型号采用的颗粒分别是K9HQGY8S5M和K9LPGU8S1M各2颗。

这是三星850 Pro上采用的2种第二代32层 3D V-NAND颗粒。

[attach]248225[/attach]
https://chipworks.secure.force.com/catalog/ProductDetails?sku=SAM-K9LPGY8S1M-CCK0
[attach]248226[/attach]
https://chipworks.secure.force.com/catalog/ProductDetails?sku=SAM-K9HQGY8S5M-CCK0
如图，Wafer编号K9ADGD8S0A，其中
K9=Samsung NAND Flash
A=3bit MLC = TLC
DG=128Gb
D8 = DDR 8bit Access
S=Vcc 3.3v / Vccq 1.8v
0=普通
A=第二版

也就是说K9HQGY8S5M和K9LPGU8S1M内部是由4个和2个K9ADGD8S0A（128Gb=16GB）组成的64GB和32GB的容量，但是被三星故意屏蔽了TLC中的1bit来当成MLC使用。整块128GB的850 PRO其实是192GB的TLC，现在屏蔽1/3容量后模拟当128GB MLC用。

结语

总的来说三星的第二代40nm 32层3D V-NAND采用了共线生产，设计初衷就是直接使用节省成本的TLC架构，然后再把原本的TLC模拟成MLC使用，使得颗粒十分近似于原生MLC（包括速度、耐久度等）。再用颗粒“混搭”的方式，让缩水了1/3容量的128Gbit颗粒组成新消费级旗舰卖。因此即将发布的850 EVO本质也就是颗粒容量全开且不需混搭颗粒的850 PRO，可能还会继续使用840 EVO的那套成熟的SLC Cache。同时还可以直接用目前850 PRO的PCB板和外壳，只用换张贴纸即可，可谓一举多得。

本文只是我研究技术问题的心得，分享一下而已，不存在好与不好的论断。

最后提供一下三星闪存编号Decoder。

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作者: 仙賢戀軒 时间: 2014-8-28 13:14
我的问题是，三哥为何会知道这个奇怪的数字。。。三星的人告诉他们的么

作者: 909648183 时间: 2014-8-28 13:15
本帖最后由 909648183 于 2014-8-28 13:17 编辑

这不就和当初AMD的CPU（可开核的那批）生产线类似了

不知道以后会不会有SSD固件“开核”

提升1/3容量，但性能和寿命下降

作者: batzxcboy 时间: 2014-8-28 13:20
不是反复说要用户不要关注颗粒什么的？

说SSD买的是一个整体

作者: lzf19750908 时间: 2014-8-28 13:20
这就是真相？！普通消费者又成试验田

作者: 909648183 时间: 2014-8-28 13:22
本帖最后由 909648183 于 2014-8-28 13:23 编辑

batzxcboy 发表于 2014-8-28 13:20
不是反复说要用户不要关注颗粒什么的？

说SSD买的是一个整体

TLC模拟MLC又没什么不好，这和TLC模拟SLC不同

原本的TLC模拟成MLC使用，使得颗粒十分近似于原生MLC（包括速度、耐久度等）

作者: hxl 时间: 2014-8-28 13:25
850pro p/e比一般mlc还高

作者: frontwing 时间: 2014-8-28 13:40
我大寒国良心企业三星的黑科技，能把TLC做到接近原生MLC，所以你们就老老实实掏原生MLC的钱买吧

作者: neeyuese 时间: 2014-8-28 13:53

仙賢戀軒发表于 2014-8-28 15:14
我的问题是，三哥为何会知道这个奇怪的数字。。。三星的人告诉他们的么

三哥用128Gb的2/3来算。他们脑补的厉害，连Die Size都脑补到95.4平方毫米，实际拍wafer的网站量出来是大约85平方毫米。

作者: nighttob 时间: 2014-8-28 13:56

仙賢戀軒发表于 2014-8-28 13:14
我的问题是，三哥为何会知道这个奇怪的数字。。。三星的人告诉他们的么

三哥可以自己算啊
他不是查表可以知道一个package里面是多少个die么，然后给die算个总和，用SSD容量一除就是了。

作者: 仙賢戀軒 时间: 2014-8-28 13:59

nighttob 发表于 2014-8-28 13:56
三哥可以自己算啊
他不是查表可以知道一个package里面是多少个die么，然后给die算个总和，用SSD容量一除 ...

我的意思是这不能这样匀的吧

比如说如果原本是128Gb的，但是工艺不行有坏块屏蔽一些神马的

虽然我也知道可能性太低。。。

作者: nighttob 时间: 2014-8-28 14:00
其实这就能看出当年三丧“全家都是MLC”的良苦用心了。
别人家的MLC到我这儿是2-bit MLC，别人家的TLC到我这儿是3-bit MLC，总之都是MLC。
现在我就说是MLC颗粒，你来找我茬啊~

作者: nighttob 时间: 2014-8-28 14:08

仙賢戀軒发表于 2014-8-28 13:59
我的意思是这不能这样匀的吧

比如说如果原本是128Gb的，但是工艺不行有坏块屏蔽一些神马的

真是工艺太次的话，是不会投入量产的。
从128Gb OP到86Gb这种事只有企业级能干的出来。

最关键的是新版的decoder是怎么写的。要是K9LPGU8S1M解出来就是MLC DDP 21GB的话，你算出来当然就是86Gbit/Die了。

作者: zhangzh0199 时间: 2014-8-28 14:41
其实只要价钱够低、质量和寿命高我是无所谓什么工艺的。主要是怕花很多的钱买的东西却不怎么样

作者: xiaokejian 时间: 2014-8-28 17:00
虽然对技术不太懂行，但我清楚的知道一件事，三棒不是一个良心企业，绝对不会

作者: andyzhang301 时间: 2014-8-28 17:13
看寿命吧，三星这东西，nand里面是串行连接的，坏一个块容易坏一条线。是否真的能到50000pe谁说的准

作者: 98769876 时间: 2014-8-28 17:56

andyzhang301 发表于 2014-8-28 17:13
看寿命吧，三星这东西，nand里面是串行连接的，坏一个块容易坏一条线。是否真的能到50000pe谁说的准 ...

50000PE！膜拜这个数字……好像当初SLC也没这么高的寿命吧？是不是楼主多写了一个零啊？

不过三星的TLC屏蔽掉1bit当做MLC，如果耐久度和速度都基本不变的话，那又需要纠结什么呢？我一直不齿于三星的TLC当MLC来卖，但是就浴室大侠这篇帖子的这句话“总的来说三星的第二代40nm 32层3D V-NAND采用了共线生产，设计初衷就是直接使用节省成本的TLC架构，然后再把原本的TLC模拟成MLC使用，使得颗粒十分近似于原生MLC（包括速度、耐久度等）。再用颗粒“混搭”的方式，让缩水了1/3容量的128Gbit颗粒组成新消费级旗舰卖。”我认为这是人家三星自己的打市场方式，无可厚非，真要 “颗粒十分近似于原生MLC（包括速度、耐久度等）”，那至少我认可它。当然前提是价格要合理。

作者: 909648183 时间: 2014-8-28 18:14

frontwing 发表于 2014-8-28 13:40
我大寒国良心企业三星的黑科技，能把TLC做到接近原生MLC，所以你们就老老实实掏原生MLC的钱买吧 ...

TLC模拟MLC损失1/3容量，成本真不一定比别家的MLC低

作者: kinno 时间: 2014-8-28 18:34
当时我看见86bit也有点疑惑，怎么做出这种芯片的。。。。肯定不是原生的86bit.。。

作者: ftsteven 时间: 2014-8-28 20:15
看价格~像现在这样~搞个evo的卖mlc价格,搞个mlc水平的卖天价~那没商量该死哪死哪去

作者: michelelee 时间: 2014-8-28 20:46
三丧真是良心企业啊

作者: huilailewo 时间: 2014-8-28 21:13
还是3星脑子活络，虚拟成MLC+内存缓冲，2手抓；
浦科特M6P要是也能内存缓冲+虚拟成SLC也2手抓就显得厉害了

作者: Pale_Cheung 时间: 2014-8-28 23:09

98769876 发表于 2014-8-28 17:56
50000PE！膜拜这个数字……好像当初SLC也没这么高的寿命吧？是不是楼主多写了一个零啊？

不过三星的TLC ...

slc 100K p/e

作者: Pale_Cheung 时间: 2014-8-28 23:11

huilailewo 发表于 2014-8-28 21:13
还是3星脑子活络，虚拟成MLC+内存缓冲，2手抓；
浦科特M6P要是也能内存缓冲+虚拟成SLC也2手抓就显得厉害了 ...

跑分而已,对实际使用的体验帮助不大.

作者: iFive 时间: 2014-8-28 23:13
本帖最后由 iFive 于 2014-8-29 06:33 编辑

我很好奇：三星屏蔽掉1bit之后，电位是怎么规定的？
是8个电位屏蔽4个电位还是重新规定为2bit mlc(^_^)的4个电位？

作者: nighttob 时间: 2014-8-28 23:35

iFive 发表于 2014-8-28 23:13
我很好奇：三星屏蔽掉1bit之后，电位是怎么规定的？
是9个电位屏蔽5个电位还是重新规定为2bit mlc(^_^)的4 ...

8个电位干掉4个吧，2^3又不是3^2……
弄得简单的话，做成000 001 100 111 4个电位就是了。

作者: seele0001 时间: 2014-8-28 23:57
果断把最后一张图保存下来，谢浴大分享！

作者: Asuka 时间: 2014-8-29 00:00
模擬成不等於就是屏蔽哦

蠻有可能是把floating gate的兩檔當做一檔來用
這樣更能解釋壽命的提高

╮(╯▽╰)╭

作者: James007ss 时间: 2014-8-29 00:22

Asuka 发表于 2014-8-29 00:00
模擬成不等於就是屏蔽哦

蠻有可能是把floating gate的兩檔當做一檔來用

你是不是误会了屏蔽是指像cpu或gpu的那种不使用部分晶体管的意思？但NAND上说的MLC屏蔽成SLC，TLC屏蔽成MLC，其实就是指你后面说的，2、3档电压当成1、2当电压来用的意思。

作者: iFive 时间: 2014-8-29 06:33

nighttob 发表于 2014-8-28 23:35
8个电位干掉4个吧，2^3又不是3^2……
弄得简单的话，做成000 001 100 111 4个电位就是了。 ...

晚上迷糊了，现在就改过来

作者: Asuka 时间: 2014-8-29 11:20

James007ss 发表于 2014-8-29 00:22
你是不是误会了屏蔽是指像cpu或gpu的那种不使用部分晶体管的意思？但NAND上说的MLC屏蔽成SLC，TLC屏蔽成M ...

我是看到前面有站友說了屏蔽
所以才想解釋一下啦

我自己都弄錯，後面也就解釋不來喵

作者: tcgg1983 时间: 2014-8-29 11:21
不关心PE 只关心价格对于普通用户价格才是第一位的 ~~

作者: skythunder 时间: 2014-8-29 12:35

tcgg1983 发表于 2014-8-29 11:21
不关心PE 只关心价格对于普通用户价格才是第一位的 ~~

850pro算是现在消费级里最贵的了吧？128G 899块，都能买到256的了

作者: 起航 时间: 2014-8-29 13:10
三丧黑科技还真多，不厚道

作者: batzxcboy 时间: 2014-8-29 13:41
总是告诉用户不要看跑分不要看颗粒要看SSD整体要看售后

话说这样单独拿出来说三星的颗粒（840PRO后期改19nm 也是）

让坛友又集中到这上面看，这不是又在强化颗粒对SSD的重要性吗？

到底想说什么哦

作者: batzxcboy 时间: 2014-8-29 13:42
希望以后的测评里去掉颗粒介绍拆盘还是可以看看内部也过下瘾

跑分也去掉吧

保留个PCMARK就可以了

作者: xuemacd 时间: 2014-8-29 15:14
本帖最后由 xuemacd 于 2014-8-29 15:20 编辑

[attach]248750[/attach]换颗粒的结果就是使用寿命下降，但是官方却把保修期提高到10年，虽然有读写使用寿命限制保修的条款，希望有人能做些测试看看使用寿命是否下降到什么水平？才能解开迷惑。我才买的850PRO，但愿别做小白鼠，一年前还买过840PRO,不过却觉得这2款三星的兼容性要好得多，不会卡顿。

作者: evev 时间: 2014-8-29 15:34
这个帖子不是倾斜于黑三星颗粒的吗。。。tlc当mlc卖？怎么楼上一堆认为是捧三星的。。
为了推tlc 不能卖入门低端的mlc产品三星很有耐得住寂寞的感觉不知道何时才能熬到头？

作者: gk104_200 时间: 2014-8-29 16:02
三丧真良心，高端货和低端货一视同仁用tlc颗粒，就只是容量区别而已

作者: toche888 时间: 2014-8-29 16:09

xuemacd 发表于 2014-8-29 15:14
换颗粒的结果就是使用寿命下降，但是官方却把保修期提高到10年，虽然有读写使用寿命限制保修的条款，希望有 ...

反正850PRO的保修标准是目前最高的了，你就放心用吧。而且用TLC模拟MLC或者SLC的成本并不低， 3G的TLC才能模拟1G SLC， 1.5G的TLC才能模拟1G MLC，所以即便是真的TLC模拟MLC，从成本上来说也没降低什么，何况目前也只是猜测，还是等专业IT网站确认了才好确定。

作者: nighttob 时间: 2014-8-29 16:25

toche888 发表于 2014-8-29 16:09
反正850PRO的保修标准是目前最高的了，你就放心用吧。而且用TLC模拟MLC或者SLC的成本并不低， 3G的TLC ...

你确定最高标准不是Sandisk Extreme PRO？

作者: nighttob 时间: 2014-8-29 16:29

batzxcboy 发表于 2014-8-29 13:41
总是告诉用户不要看跑分不要看颗粒要看SSD整体要看售后

话说这样单独拿出来说三星的颗粒（840PRO后期 ...

不懂的告诉你颗粒如何如何也还是不懂。
这是给想了解更多的人看的。
两者并不相斥。

就像有些人学数学是应付考试，有些人是为了研究新算法，不在一个层级上。

作者: toche888 时间: 2014-8-29 18:11

nighttob 发表于 2014-8-29 16:25
你确定最高标准不是Sandisk Extreme PRO？

很确定，闪迪的EP是80T 10年， 850PRO是150T 10年

ANANDTECH还是有点权威性的吧？鉴于家用SSD的寿命是肯定写不完的，所以保修10年会有神秘加成哦，比如到第8、9年的时候坏了，你又是在京东买的，那时候京东也没破产的话，很可能就是8折退款或者换新产品哦

[attach]248756[/attach]

[attach]248757[/attach]

[attach]248758[/attach]

作者: dvcam 时间: 2014-8-29 18:18
TLC模拟MLC，确实有点出乎意料，可能三*早就规划好了，以后同一条生产线下来的NAND，旗舰SSD用TLC模拟MLC，普通主流SSD就按原本的TLC用。

非主流容量的NAND颗粒，也让人想到镁光P400m用的168Gbit和336Gbit颗粒，不知镁光用的又是什么黑科技？

作者: woyaoxiayi 时间: 2014-8-29 18:41
价格不友好

作者: nighttob 时间: 2014-8-29 19:42

toche888 发表于 2014-8-29 18:11
很确定，闪迪的EP是80T 10年， 850PRO是150T 10年

ANANDTECH还是有点权威性的吧？鉴于家用SS ...

Endurance/TBW是制造商提供的使用寿命，而不等同于保修条款中的写入限制条款。
耐久度/TBW数据是根据JEDEC JESD218规范，使用JESD219的测试方式，计算出来的。描述的是一种在恶劣条件下，最低写入寿命。
只有少数制造商以此值作为保修限制条款，其中包括三星。
[attach]248760[/attach]
http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/minisite/SSD/cn/html/support/warranty.html
http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/minisite/SSD/downloads/warranty/SAMSUNG_SSD_Warranty_Statement_Chinese_simplified.pdf
三星是明确说明，850 PRO限制总写入量的，为150TB。

Sandisk只规定了10年的保修期，没有对写入量进行限制。
[attach]248761[/attach]
http://www.sandisk.cn/about-sandisk/warranty-and-user-guides/warranty-table/
http://www.sandisk.com/Assets/Umbraco/SandiskSupport/UserGuides/smlw_chinese_simplified.pdf

Intel是根据销售渠道，区分彩盒装和简包（OEM包装）的保修条款。
其中彩盒装的只有保修期，没有写入量限制；简包的有写入量限制，以SMART报告E9值到1时截止（对730 530 520产品，此值以5000PE计算）。
http://download.intel.com/support/ssdc/hpssd/sb/ssd320-520_Series_5yrLimitedWarranty_Simplified-Chinese.pdf
http://download.intel.com/support/ssdc/hpssd/sb/5yrmediawearoutlimitedwarrantyssd320520series_simp.pdf

所以说，Sandisk Extreme PRO的保修更具优势。

作者: 红色狂想 时间: 2014-8-29 20:10
有一天tlc成了仓库盘的主流也就没什么可纠结的了，有性繁殖终将成为古墓级的历史

作者: batzxcboy 时间: 2014-8-29 21:03
本帖最后由 batzxcboy 于 2014-8-29 21:04 编辑

nighttob 发表于 2014-8-29 16:29
不懂的告诉你颗粒如何如何也还是不懂。
这是给想了解更多的人看的。
两者并不相斥。

那可以这样请论坛的测评不再进行颗粒大量的介绍和深究可以？因为这样让我感觉言行不一致

因为这个矛盾能否解决下？而且我发现坛子里大牛都很反感 ASS等跑分但是每次测评都一个不剩的都跑完了

作者: 石头 时间: 2014-8-29 21:24

batzxcboy 发表于 2014-8-29 21:03
那可以这样请论坛的测评不再进行颗粒大量的介绍和深究可以？因为这样让我感觉言行不一致

因为这个矛盾能 ...

普通用户与爱好者之间的区别。。。这帖子不是给你看的……

普通用户只是要买产品去用，没必要去分析每一个细节；但爱好者们喜欢交流具体的技术实现手段

普通用户没必要跑ass+乱分析脑补；但爱好者了解测试原理跑一下分析产品特性也是可以互相交流的……

就像超跑谁都可以买，但普通驾驶者最好放到普通模式上开，偏要开竞赛模式就很容易撞墙了……

作者: nighttob 时间: 2014-8-29 21:48

batzxcboy 发表于 2014-8-29 21:03
那可以这样请论坛的测评不再进行颗粒大量的介绍和深究可以？因为这样让我感觉言行不一致

因为这个矛盾能 ...

你可以选择性无视不是。从中挑选你想看的看就是了。

普通用户不应过分关注SSD内部用料是我说的。
但任何人都可以去了解这些信息，只要你不纠结就是了。
我把RAW信息和个人解读告诉你，你自己怎么理解、怎么做就是你自己的事了。

AS SSD只是因为其测试方式完全固定，所以才得以存在。
评测中固然有其他优秀工具可以用，但需要额外的限制条件，比如测试长度、文件块尺寸。表达起来不如AS SSD这种简单粗暴型来的直接。
而且AS SSD的确能体现一些信息，只要不去计较那个“总分”就行。
工具是死的，人是活的。能不能获取有用信息还是看人是怎么用的工具。错误的用法只会走歪路。

作者: frontwing 时间: 2014-8-29 21:54

batzxcboy 发表于 2014-8-29 21:03
那可以这样请论坛的测评不再进行颗粒大量的介绍和深究可以？因为这样让我感觉言行不一致

因为这个矛盾能 ...

那如果论坛的评测光拍个照跑个PCMARK，你是不是又要说pceva水平太低、文章没营养了？

作者: dxy98 时间: 2014-8-29 21:55
赞浴大技术探索精神，论述非常有道理！

作者: huilailewo 时间: 2014-8-29 22:28

Pale_Cheung 发表于 2014-8-28 23:11
跑分而已,对实际使用的体验帮助不大.

是你说的那样的；
不过对850Prp、M6P这个等级的盘还是把能用的办法都用上的好，这很像F1赛车上的堆砌技术其中有些以后会推广到在实际交通运输中实用的车型上

作者: 909648183 时间: 2014-8-29 23:09

xuemacd 发表于 2014-8-29 15:14
换颗粒的结果就是使用寿命下降，但是官方却把保修期提高到10年，虽然有读写使用寿命限制保修的条款，希望有 ...

为什么颗粒制程提升一定使用寿命下降？

这之间并没有必然联系

作者: 909648183 时间: 2014-8-29 23:54

batzxcboy 发表于 2014-8-29 21:03
那可以这样请论坛的测评不再进行颗粒大量的介绍和深究可以？因为这样让我感觉言行不一致

因为这个矛盾能 ...

这里不是明确说了TLC模拟MLC可以接近原生MLC的性能和寿命，你还纠结什么？

作者: 随风而来‰ 时间: 2014-8-30 00:28
浴大分析的绝对没得错

作者: gk104_200 时间: 2014-8-30 00:52
楼上的某位，如果没有跑分也实在不行，如果cpu没有国际象棋cinebemch的，光看频率框框大家都以为fx4300要比i5 4670k还好，显卡光看流处理器显存都以为4g大狂牛要比780ti好

作者: 超小黑 时间: 2014-8-30 08:40
我是纯粹的ssd普通用户

作者: 恢恢壹爱 时间: 2014-8-30 13:37
其实这样在保证性能的和售后还有持续读写情况下又能降低价格也是好事啊
以上

作者: y2z 时间: 2014-8-30 16:12
希望能把价格弄下来就好了

作者: slr 时间: 2014-8-30 16:20
这个也没什么不好的，只要是按MLC的模式跑，闪存的寿命就是接近MLC，而且3D加成，足够秒杀其它任何标准MLC颗粒了

我只关心一点，什么时候有厂商把MLC全盘模拟成SLC然后开卖，全盘SLC模式下，响应时间才是真正的完美

作者: wzjwg53 时间: 2014-8-31 20:33
只要价格合理，是可以入的。1280g449差不多就是合理价格。

作者: 1032724311 时间: 2014-9-1 17:12
完全就是在省钱浴姐刷固件能把这个ssd变成850EVO么？？

作者: fjy900305 时间: 2014-9-16 08:14
纠结要不要入手

作者: yangzjsm 时间: 2014-9-17 15:40
支持，文章不错，学习了

作者: xiaowu 时间: 2014-9-23 08:37

早知道买闪迪...买了850 pro了

作者: subterrestrial 时间: 2014-9-24 22:39

xiaowu 发表于 2014-9-23 08:37
早知道买闪迪...买了850 pro了

买了就买了吧，绝对不会后悔，反正SSD只买英特尔和三星的，从未蓝屏过

作者: lyons0916 时间: 2014-9-25 09:44

909648183 发表于 2014-8-28 13:22
TLC模拟MLC又没什么不好，这和TLC模拟SLC不同

成本决定一切

为什么要TLC模拟MLC或者模拟SLC，还不是新工艺制程造成Flash成本的CostDown，否则直接用SLC或者MLC就好了。

作者: NOIP117 时间: 2014-12-27 10:45
非得选择旗舰产品的话应该会考虑840Pro或者730

作者: onlyu 时间: 2015-1-10 22:57

frontwing 发表于 2014-8-28 13:40
我大寒国良心企业三星的黑科技，能把TLC做到接近原生MLC，所以你们就老老实实掏原生MLC的钱买吧 ...

我大寒国良心企业三星的黑科技，能把TLC做到接近原生MLC，所以你们就老老实实掏原生SLC的钱买吧 ...

作者: mitsuhide 时间: 2015-1-22 07:10
1tb版本的850PRO呢

作者: NOIP117 时间: 2015-1-22 09:25

1032724311 发表于 2014-9-1 17:12
完全就是在省钱浴姐刷固件能把这个ssd变成850EVO么？？

肯定不行啊，主控不同的，小心玩脱啊

作者: plectrum 时间: 2015-6-7 09:23

batzxcboy 发表于 2014-8-29 21:03
那可以这样请论坛的测评不再进行颗粒大量的介绍和深究可以？因为这样让我感觉言行不一致

因为这个矛盾能 ...

不喜欢就不看就好了嘛，我还要看呢

作者: Jxny 时间: 2015-6-7 21:15

nighttob 发表于 2014-8-29 19:42
Endurance/TBW是制造商提供的使用寿命，而不等同于保修条款中的写入限制条款。
耐久度/TBW数据是根据JEDE ...

告诉大大一件事情，intel 730系列间包和彩包已经取消写入量限制，想问大大一件事事情我的intel ssd tool box下E9值原始值显示为0，我用的intel 520 240G已经写入10T，到底是已经完全磨损了呢还是连百分之一的磨损都没用到？

作者: nighttob 时间: 2015-6-7 21:35

Jxny 发表于 2015-6-7 21:15
告诉大大一件事情，intel 730系列间包和彩包已经取消写入量限制，想问大大一件事事情我的intel ssd tool b ...

保修的变化我已经知道了
E9的定义是，Normalize从100跌到1以后才会在Raw Value上面有值。

作者: Jxny 时间: 2015-6-7 23:07

nighttob 发表于 2015-6-7 21:35
保修的变化我已经知道了
E9的定义是，Normalize从100跌到1以后才会在Raw Value上面有值。
...

那么Normalize从100掉到1，就意味着保修终止了？如果是5年质保内的话

作者: nighttob 时间: 2015-6-8 08:59

Jxny 发表于 2015-6-7 23:07
那么Normalize从100掉到1，就意味着保修终止了？如果是5年质保内的话

对写入量和保修挂钩的产品来说
是的

作者: Jxny 时间: 2015-6-8 09:06

nighttob 发表于 2015-6-8 08:59
对写入量和保修挂钩的产品来说
是的

请问大大intel的五年质保，是否是前2年换新，后3年换良品吗？闪迪Extreme Pro系列没有写入量限制吧，十年质保是否是更换新品还是良品？

作者: nighttob 时间: 2015-6-8 09:39

Jxny 发表于 2015-6-8 09:06
请问大大intel的五年质保，是否是前2年换新，后3年换良品吗？闪迪Extreme Pro系列没有写入量限制吧，十年 ...

intel和sandisk在官网都没有明说是换新还是换良品
对不同的产品你可能需要在线询问一下

sandisk的零售产品没有规定写入量限制

作者: atotal1 时间: 2015-12-28 00:20
整块128GB的850 PRO其实是192GB的TLC，现在屏蔽1/3容量后模拟当128GB MLC用
是不是意味着850evo op一下可以模拟替代850pro？？？

作者: tsammammb 时间: 2015-12-28 10:15

atotal1 发表于 2015-12-28 00:20
整块128GB的850 PRO其实是192GB的TLC，现在屏蔽1/3容量后模拟当128GB MLC用
是不是意味着850evo op一下可 ...

你想多了

先不说主控不一样，就算一样也是至少涉及到固件的不同，不是这么设OP就行的，况且850evo只有模拟SLC缓存，没听说过有模拟MLC缓存

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