EDO DRAM(Extended Date Out RAM 外扩充数据模式存储器)内存,这是1991 年到1995 年之间盛行的内存条,EDO DRAM同FPM DRAM(Fast Page Mode RAM 快速页面模式存储器)极其相似,它取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔,在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面,故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作电压为一般为5V,带宽32bit,速度在40ns以上,其主要应用在当时的486及早期的Pentium电脑上。
EDO (Extended Data Out) DRAM,与FPM相比EDO DRAM的速度要快5%,这是因为EDO内设置了一个逻辑电路,借此EDO可以在上一个内存数据读取结束前将下一个数据读入内存。设计为系统内存的EDO DRAM原本是非常昂贵的,只是因为PC市场急需一种替代FPM DRAM的产品,所以被广泛应用在第五代PC上。EDO显存可以工作在75MHz或更高,但是其标准工作频率为66 MHz,不过其速度还是无法满足显示芯片的需要,也早成为“古董级”产品上才有的显存。
同时GDDR3也对I/O控制电路和终结电阻进行了修改,它不再沿用GDDR2的“推式(Push Pull)”接收器,而将其改为虚拟开极逻辑方式(Pseudo Open Drain Logic),并且通过将所有的三相数据信号转移到本位电路上,来简化数据处理,将DC电流压至最小,只有当逻辑LOW移至总线上时才会消费电力,从而很好的控制了功耗和发热。