金士顿UV400 240G耐久度测试开始
继OCZ Trion 150之后，金士顿UV400也将进行耐久度测试。测试对象为评测中的240G样品，固件版本0C3FD6SD，序列号50026B77640A3659。耐久度测试开始之前，首先通过试验确定SMART项中各项与写入量有关的指标。通过多次测试可知F1为主机写入量，E9为SLC区域写入量，EA为TLC区域写入量。如果写入的数据在SLC Cache释放前被删除，则不会带来TLC写入量的增加。
首先以空盘状态开始，使用IOMeter随机数据填充满全盘，整个过程中F1主机写入量增加224(GB)，E9 SLC区域写入量增加230(GB)，EA TLC区域写入量增加223(GB)，F1与EA相差的1应当是SMART数据取整数所致。上述测试说明当空盘持续写入时，TLC区域写入量基本与主机写入量持平，可以达到接近于1的写入放大率理想状态。
格式化全盘后删除分区，在无文件系统状态下，使用Txbench RAW模式进行4K QD32随机写入，定量写入20GB随机数据：
写入结束后F1主机写入量增加20(GB)，E9 SLC区域写入量增加22(GB)，EA TLC区域写入量增加20(GB)，写放大基本等于1，说明在理想的单纯4K随机写入情况下，UV400可以通过DRAM缓存及SLC Cache合并写入，有效控制写入放大。
当然以上都是在理想状态下的表现，在一次填充满全盘然后使用随机数据进行混合读写的简单测试过程中，写入放大率大约3.4，当然这个数值也并不具备普遍代表意义，实际使用中的写放大表现会依使用方式不同而有所差异。耐久度测试的目的并非模拟特定使用环境下的写入放大，而是要考察闪存的擦写循环寿命。
对于UV400而言，所有写入数据都需经由SLC Cache之后方能写入到TLC区域。当TLC闪存以SLC模式工作时的耐用度远高于TLC模式写入，因此耐久度测试中基本无需考虑SLC区域写入量，而是以TLC区域写入量作为闪存磨损指标。本次耐久度测试依然使用8MB区块持续写入，盘内最小剩余空间8GB，写满后删除测试文件并立即开始下一轮写入。
金士顿UV400 240G的官标耐久度为100TBW，我们将首个耐久度测试目标设定为平均1000次擦写（约250TB写入）。UV400 240G的耐久度测试现在已经开启，当前写入速度大约86MB/s，预计到达首个测试节点需一个月以上。
1个月……不错，看Trion 150的成绩，对TLC逐步取代MLC成为主流很有信心啊。 盘刚到手，持续关注，大胆预测2000起 静静等结果，蛮喜欢这个产品的~ 墙裂建议首个耐久度测试目标设定为平均2000次擦写...不太喜欢看连续剧，偏爱系列电影~ {:1_462:}建议搞个同环境测试对比 希望新普及神器诞生。 估计差不了，金士顿还是让人放心的！ 86mb/s的写入速度 还叫固态硬盘吗 价格还这么贵 持续关注该盘的测试 pch0544 发表于 2016-6-14 21:48
86mb/s的写入速度 还叫固态硬盘吗 价格还这么贵
现在是市场经济，价格高速度慢的烂盘自然会被淘汰的。不要急着下结论慢慢等
慢慢等测试结果 最后来个结果，这个牛还是OCZ 150牛就行了
pch0544 发表于 2016-6-14 21:48
86mb/s的写入速度 还叫固态硬盘吗 价格还这么贵
这是持续写入速度，己经算可以的了。
本帖最后由 pch0544 于 2016-6-15 01:07 编辑
forwebfun 发表于 2016-6-14 23:20
这是持续写入速度，己经算可以的了。
这也算可以,..我U盘持续写入都有50M机械硬盘随便大文件持续写入都有100M
等测试结果{:1_463:} 240G开跑，也够累的， 最好挑120G的吧{:1_443:} 看多了就不觉得UV400外壳丑了，这是适应了么{:1_528:}
不求太多，能跑2000PE就满足 只要是 正品 大厂的SSD 完全不担心 TLC还是MLC不担心 PE次数 ~~~ 浴室科普多少次了，tlc的问题根本不在pe上。
tlc价格不降下来永远没意义
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