本帖最后由 iFive 于 2014-8-1 13:48 编辑
产品外观与拆解
随着东芝闪存颗粒工艺更新换代，量产颗粒从19nm TYPE C转型到新一代的A19颗粒，一贯使用以Toshiba为主的原厂正品闪存颗粒的浦科特也必须跟进搭配新型颗粒的SSD产品线，这就是为何要从M5S/M5M过渡到M6S/M6M的初衷。本次PCEVA评测室拿到的是128GB和256GB的SSD，下面先让我们欣赏下“开箱图”吧。
这次M6S的包装盒从一贯的蓝色换成了黄色，我原本以为内部的SSD外壳也会换成土豪金呢，还好不是。
盒子左下角的True Speed赫然在目，看来浦科特还是吃老本啊，这都沿用了多少代了我说。
盒子背面可以看到详细的官标参数，可以看到持续读取皆为520MB/s，而写入速度上128GB比256GB稍低达到300MB/s，随机读写IOPS在下面也有标出，差距不大哦
2个容量都是2014年3月台湾制造，固件1.01。
金色盒子内就块塑料支架配SSD盘本体和保修手册，别的什么都没有，这是浦科特S系列的一贯作风了。
浦科特的外壳采用铝制拉丝工艺，外观呈银白色，重量较轻（相对金士顿和OCZ的铝合金壳子来说），不过对笔记本平台用户来说可以少增加点分量，另外这次M6S的标我还是很喜欢的，一眼就知道什么型号。
盘背面贴纸再次显示序列号，和外盒对应，另外可以看到盘的标称功耗，同时得知浦科特M6S的原型为Liteon的L9系列，下面是一堆电子认证标示。
盘体厚度7mm，可以兼容大部分笔记本。
盘体分解后，外壳内部贴有导热贴帮助主控散热。
果然PCB边角有显示L9S的字样，256GB容量正面一共8颗东芝TSOP封装闪存，一颗南亚外置缓存，主控面积比前任M5S小了好多。
256GB型号PCB背面很干净，只有一堆测量点
主控为Marvell 88SS9188 代号"Monet Lite" 4通道节能型主控，比8通道的Marvell 88SS9187 代号"Monet"的主控封装面积小了一圈。
256GB容量的M6S外置缓存采用的是单颗南亚DDR3L-1600 11-11-11 512MB，工作电压1.35V，比之前的产品使用的缓存更节能。
闪存为东芝A19颗粒，64Gbit Die，每颗内部封装4个Die，组成16GB容量，8颗粒组成256GB容量，16KB Page，4MB Block，2 Planes，TSOP封装最大可工作在DDR 1.0模式下（200MT/s）
128GB型号也是正面一共8颗东芝TSOP封装闪存，一颗美光外置缓存。
128GB型号PCB背面也很干净，依然只有一堆测量点
128GB型号主控和前面的256GB一样采用Marvell 88SS9188 代号"Monet Lite" 4通道节能型主控。
外置缓存改为美光的256MB DDR3L-1600 11-11-11 256MB，工作电压1.35V。
闪存为东芝A19颗粒，64Gbit Die，每颗内部封装2个Die，组成16GB容量，8颗粒组成128GB容量，16KB Page，4MB Block，2 Planes，TSOP封装最大可工作在DDR 1.0模式下（200MT/s）
同型号2个容量的盘放一起还真的感觉一模一样。
硬件架构特点
看完开箱图后我对本次浦科特M6S硬件架构上的一些看法：
1. A19的采用
Toshiba之前的T19颗粒，TYPE A/B/C其实并非真正的19nm，64Gbit Cell尺寸是19nm x 26nm ，换句话说只有一边是19nm，而这次A19 64Gbit的Cell尺寸为19nm x 19.5nm，才算是真正意义上的19nm颗粒，这次改变不但Die尺寸小了，成本大幅度降低的同时（为128Gbit价格战做准备），性能也得到了进一步提升，目前来看A19的品质表现异常出色，强于美光的20nm和SK Hynix的21nm/16nm。
2. SLC模式是否必须
由于Toshiba的颗粒拥有ABL架构，写入速度往往比较强，而且目前128GB的产品已经属于入门级，即使在这个容量下持续写入都已经可以达到300MB/s以上，足够满足一般家庭需要，而属于主流级的256GB产品写入就直接破400MB/s了。在当前SATA 6Gbps的限制下，我觉得根本没必要做SLC Cache模式，除非为了跑出高分或者特殊需求又或是采用了低写入性能的128Gbit MLC/TLC颗粒才需要考虑。
3. 外置缓存1.35V的采用
由于DevSleep技术的引入，很多SSD厂商开始特意的强调节能特性，那么给节能型主控搭配低电压的DDR3对性能影响不大，还起到锦上添花的作用。
4. 颗粒DDR2.0和DDR1.0
当前主控最大支持200MT/s每通道的能力，换句话说DDR 1.0接口标准的颗粒绰绰有余，采用TSOP封装的颗粒是跑不到200MT/s以上速度的，但是足够满足当前主控支持颗粒带宽的需求。
5. 看到这里很多用户可能还有个最大疑问，到底浦科特M6S采用的"Monet Lite " 4通道主控会对性能产生多少影响？这些影响会影响到哪些方面？好吧，带着这个疑问让我们进入测试阶段。
测试之前再次强调下浦科特引以为豪的SSD关键技术：True Speed，下面这个视频里讲解了True Speed的是干什么和如何实现的。
http://player.youku.com/embed/XNDM4MDI2OTg4
测试平台及SSD基础信息
测试平台：
CPU：:Intel Core i5-4670K OC 4.5G 主板：技嘉B85N Phoenix
内存：美光灯条DDR3 1600 4GBX2
显卡：MSI N760ITX GAMING
主硬盘：Plextor PX-128M5S
从盘：那4个测试盘
电源：Enermax Revolution 85+ 1050W
散热器：采融变形金刚
SSD基准信息判定：Crystal Disk Info
CDI的信息还是按照以前的路数计算，不确定是否正确，浦科特更新了1.14版的工具箱，增加了对M6全系列家族的支持。
基准测试
基准测试项目1： TXBench 0.95
M6S的持续和随机成绩从各个角度来看都强过被浦科特故意限速的前辈M5S，甚至对比M5Pro也不甘示弱。256GB在写入上比128GB的稍强一点，读取上则差不多。
基准测试项目2： PCMARK 7
PCMARK 7的跑分上，M6S的分数比我们之前测试的M5Pro都高，这4通道主控是要干掉8通道的节奏？
基准测试项目3： PCMARK 8
PCMARK 8的跑分上，M6S的分数也在中高端产品线等级，换句话说可以肯定浦科特这次M6S是固件全开速度，没做任何特意限制了。
进阶测试及总结
进阶测试项目1： QD深度对随机4KB读写造成的影响
在4KB随机不同QD深度读取测试中发现，2个容量的盘基本没有任何区别。
在4KB随机不同QD深度写入测试中发现，256GB容量的盘只有在QD超过8后才显示出优势。
300多MB/s的随机4KB最大读写已经属于SATA 6Gbps SSD的高端产品成绩了。
进阶测试项目2： 离散分布测试（IOMETER 5000秒）
在IOPS稳定态之后，可以发现256GB平均在10000 IOPS附近，而128GB的大约在8000附近，相差不是很大。总体离散度可以说表现比较糟糕，但是最大的问题在于其中穿插着不少0 IOPS的点，这是为什么呢？之前的M5S不会出现这种情况呀，M5S跑分还没有M6S高呢，让我们在下一个进阶测试项目中做出解释。
进阶测试项目3： PCMARK 8扩展存储测试之性能一致性部分
可以看出虽然跑基准测试样样跑不过M6S的M5S（被浦科特有意限速），在PCMARK 8扩展测试高压力情况下，成绩反而比M6S好（虽然浦科特在这一部分成绩都比较惨，但是我这里说矮子里拔高子），换句话说只有在需要大幅度消耗内部垃圾回收带宽的时候，8通道的主控才能发挥出优势。
总结：从本次浦科特的M6S系列128GB和256GB容量的测试可见，对于家用环境压力不大的情况下他们不但更节能高效，加上东芝原厂高品质A19颗粒的和浦科特放开固件限制后，性能上也会表现出上一代旗舰产品M5Pro的相同水准，价格上就更占了便宜，2个容量的盘性能表现也基本相当，因此选择适合自己容量的即可。但是当读写压力增大后或者运行在没有Trim支持的环境下，True Speed的垃圾回收速率会受到内部通道数减少的影响，最终造成延迟表现不理想，和之前的产品一样，不建议在高写入压力的服务器上使用浦科特的SSD。
| 
收藏
转播
