PCEVA,PC绝对领域,探寻真正的电脑知识
开启左侧

影驰最新SSD Thunder GT 128GB评测

[复制链接]
Essence 发表于 2013-3-22 16:21 | 显示全部楼层 |阅读模式
点击数:26356|回复数:55
本帖最后由 Essence 于 2013-3-22 17:07 编辑

影驰SSD产品介绍:

影驰2011年扩展产品线进军SSD行业,并宣布了Laser与Thunder两个系列的产品。Laser系列全部使用了主流的SandForce2281主控,涵盖了从入门到高端的市场。

相比全面铺开的Laser系列,Thunder雷电系列则显得比较神秘,到现在才发布。PCEVA在第一时间收到了影驰送测的Thunder GT 128GB产品。

影驰Thunder  GT 128GB的官方标称性能为:

连续读取:480MB/s
连续写入:300MB/s
最大随机4K读取/写入:70,000/58,000 IOPS

产品图赏:

此次我们收到的是一张工程样品盘。零售版本可能与此会有不同。
image001.jpg

厚度7mm,正面有影驰商标

image002.jpg

背面没有标签,这也是工程样品的缘故

image003.jpg

闪存颗粒编号为TH58TEG7D2HTA20, TH是Toshiba NAND Flash, H代表Stack, 2顆Die以上, 58是Flash相關的產品,包含SSD和主控, T代表Toggle/Legacy, E代表 Vcc 3.3V, G7代表容量, 2的7-2次方Gbit, D= MLC, 24nm, 2= Big Block,H = Die generation, T= TSOP。

内部2个Die(芯片),2 CE,8KB Page,1个Block为256个Page(2MB),2个Plane,接口为DDR 2.0 (400MT/s),TSOP封装。
image004.jpg

PCB背面是另外4个闪存颗粒


image005.jpg

JMF667H主控,支持4通道,每通道最多支持8CE。缓存使用南亚DRAM,Part Number为NT5CB128M16HP-CG,容量2Gb(256MB),频率为DDR3 1333Mhz。

image006.jpg

颗粒特写,我们发现了“混血”的情况,作为工程样品的话倒也可以理解



主控分析介绍

本次影驰Thunder GT 128G使用的主控为JMicron的JMF667H,这颗主控由TSMC的55nm工艺制造,功耗表现非常好,低配667主控专为超极本打造,而尾号带H的型号为高容量版本,区别是每通道1CE提高到8CE支持度,内部是颗32bit的ARM9处理器,32KB ROM和192KB SRAM,支持单颗最大512MB的DDR3缓存。

-物理接口方面支持SATA 6.0Gbps,闪存接口方面为4通道,每通道支持8CE。
-拥有全局磨损平衡算法。
-支持4KB/8KB/16KB的32nm/24nm/19nm的最新一代Toggle DDR 2.0闪存颗粒。
-支持动态电源管理,支持SATA协会的DevSleep模式,上电数据完整性检查,ECC 能力为最大BCH 40bit,支持读取电压微调(当ECC出错时)
image007.jpg


JMicron的JMF667H主控固件为了保证高随机性能,采用的是4KB 映射表。而Toshiba的24nm颗粒物理Page为8KB,等于是做了Half Page Management管理,需要消耗双倍的缓存容量。也就是说当采用24nm 8KB的 Toshiba颗粒时,128GB容量需要128MB的缓存,256GB需要256MB的缓存。而采用19nm 16KB的Toshiba颗粒时,128GB容量需要256MB的缓存,256GB的需要512MB的缓存。

常规测试:

测试平台:

CPU:I5  3470 @ 3.4Ghz(EIST、C1E节能全关)
主板:微星B75MA-E33
内存:南亚易胜4GB DDR3 1600
系统盘:海盗船Neutron 120G
测试盘:影驰Thunder GT 128G
电源:海盗船AX760i
系统:Windows 7 Ultimate 64Bit
磁盘驱动:RST11.0

Crystal Disk Info信息识读:
image008.png


能够看到一些基本的参数,通电时间、通电次数和非正常断电次数。
温度识别有问题,始终显示为40℃。A8项应该是颗粒PE次数。

AS SSD Benchmark测试:

空盘状态下AS SSD Benchmark得到了924分。
image009.png


作为一款4通道的闪存产品来说,这个持续成绩和QD64的成绩表现还是不错的。而和通道数无关的4KB QD1下,影驰Thunder GT的表现也可圈可点,它使用的24nm Toshiba MLC颗粒功不可没。

CrystalDiskMark测试:
image010.jpg


CrystalDiskMark测试是连续测5次取最佳值,所以成绩比AS SSD Benchmark更高一些。

随机与全0数据模型的测试成绩基本相同,说明主控没有压缩能力。看到这里,估计有些网友会问这颗SSD有没有使用SLC Cache模式来提高写入速度呢?很明显是没有。

这里我们来计算下验证下,这个颗粒Toshoba 24nm Toggle DDR MLC的参数

Part number TH58TEG7D2H
Page size 8KB
Block size 2MB
Plane size 4GB
Plane per one LUN 2 Planes
LUN per one target 1 LUNs
Target per one device 2 targets

Array performance
– Read page: 50μs (TYP)  90μs (MAX)  
– Program page: 1400μs (TYP)
– Erase block: 5ms (TYP)

我们来做个简单粗略的计算,页编程时间为1400μs = 1.4ms,数据输入时间为5ns~10ns/byte基本可以忽略,1个page为8KB,2个plane可以协同工作我们算16KB。
传输率1s/1.4ms X 16KB = 大约11Mb/s的速度。
等等,这颗24nm的颗粒架构是ABL(All-Bit-Line)的,相比传统的HBL (Half Bit Line)架构在读取和写入速度上可以达到2倍。
那么也就是说每颗8GB的芯片有22MB/s的速度,那么128GB的芯片加起来有352MB/s的速度。
所以128G 跑在300MB/s出头的写入很正常,毕竟还要考虑读写干扰,磨损平衡等等的损耗。

PC Mark7存储子系统测试:
image011.png


影驰Thunder GT 128G在PCM7中得到5400分,与M5Pro 128G之前在同一平台上的测试总成绩持平。除Starting applications应用程序加载测试子项外,Thunder GT都取得了领先,因此在日常使用时,这颗SSD绝对属于中高端的体验。

IOMeter稳定态测试:

使用IOMeter进行4KB随机写入(队列深度32),每5分钟记录一次数据,共计2小时。
image012.png

2小时压力测试后最终IOPS为5147


5147的IOPS的表现虽然不是最好,但是考虑这颗SSD没有3层 OP,这个表现已经不错了。早期JMF主控都是使用统一通道操作的,类似RAID 0的模式。而这次667H真的是做到了4个通道分工,不过最大延迟看上去还是有很大的优化余地的。

image013.png


2小时IOMeter写入测试之后立刻使用HDTune进行写入测试:
image014.png


建立分区并全盘格式化,然后再次删除分区,使用HDTune进行写入测试以检测Trim执行效果:
image015.png

Trim之后速度恢复了绝大部分,但是没法达到Secure erase的状态,这两步操作只是为了验证当前的固件Trim功能是否正常。

从上面的全盘格式化Trim之后,我们看到了速度没法完全恢复,持续写入速度再也回不到300MB/s附近了,4K QD64相应的也有一定下降。

image016.png


对于这个问题我们又进行了的进一步的验证:

我们使用Iometer对Thunder GT 128G进行全盘10分钟的4KB QD32测试。
image017.jpg


测试结束时的成绩跌到106MB/s,我们知道全盘已经被随机4KB的数据填满了。
image018.jpg


之后我们进行了格式化Trim后ASSSD测试。很明显持续写入跌落到了230MB/s。
image019.jpg


接下来我们再来验证持续填充会不会造成这种问题。

进行Secure erase操作后,用Iometer填充持续数据到50%容量后进行AS SSD Benchmark测试,成绩没有下降。

image020.jpg

image021.jpg


Secure erase操作后,用Iometer填充持续数据到80%容量后进行AS SSD Benchmark测试,成绩没有下降。

image022.jpg

image023.jpg


Secure erase操作后,用Iometer填充持续数据到99%容量后进行AS SSD Benchmark测试,成绩没有下降。

image024.jpg

image025.jpg


删除分区跑HDTUNE写入,写入速度也没有下降,和出厂态时一样。

image026.jpg


经过上面的2步验证后我们得知,在这块盘当前的固件条件下,随机写入填满后,持续写入性能会下降20%左右。而且除了做Secure Erase之外,无法恢复到出厂性能。持续写入填满全盘则不会影响性能。

总结:

相比“大众”主控SandForce2281,JMF667H由于可以搭配外置缓存,随机性能表现不错,AS SSD Benchmark跑分总成绩上高于同等颗粒的SandForce方案产品。主控支持Trim功能,工作还算正常,只是还有一些细节需要调教。国产主控能有这样比较好的表现,让人十分欣慰。

影驰SSD以性价比作为主要卖点,在2012年的时候首次将240GB容量带入千元级以下产品中,给追求最大性价比的玩家提供了一个选择。此次推出的Thunder系列产品使用了JMicron最新的JMF667H主控,得益于搭配的Toshiba 24nm Toggle DDR颗粒,总体性能表现不错,如果价位适中的话,会在今年的SSD市场中占有一席之地。
hepcboy 发表于 2013-3-22 16:35 | 显示全部楼层
看起来不错,就是不知道可靠性,兼容性怎么样了
cwjragnarok 发表于 2013-3-22 16:57 | 显示全部楼层
性能有下降不知道后面固件能否修复,不过性能看起来已经非常出众了。现在我自己用Intel 520也觉得写入这个速度已经足够,关键还是看读取。
坏心眼 发表于 2013-3-22 17:05 | 显示全部楼层
看起来还不错,有机会弄快玩玩!
单车佬 发表于 2013-3-22 17:08 | 显示全部楼层
我比较关心的是,这个24nm的Flash,能坚持供货多久,后续的19nm 20nm性能如何。
沙加妙 发表于 2013-3-22 17:09 | 显示全部楼层
观望下 不知道什么价位的~~~
单车佬 发表于 2013-3-22 17:14 | 显示全部楼层
沙加妙 发表于 2013-3-22 17:09
观望下 不知道什么价位的~~~

http://bbs.pceva.com.cn/thread-84434-1-1.html
这里貌似写了799,有点小贵,实际到手不知道多少钱
wsy2220 发表于 2013-3-22 17:20 发自PCEVA移动客户端 | 显示全部楼层
本帖最后由 wsy2220 于 2013-3-22 17:29 编辑

如果后面颗粒不缩水还是不错的

点评

不缩水价格没优势  发表于 2013-3-22 18:53
yddzhandao 发表于 2013-3-22 18:21 | 显示全部楼层
我看见影驰就无爱!
mustardgs 发表于 2013-3-22 22:44 | 显示全部楼层
第一时间送来测评 以后颗粒别缩水啊
nighttob 发表于 2013-3-22 23:04 | 显示全部楼层
JMF要翻身了
单车佬 发表于 2013-3-22 23:20 | 显示全部楼层
中立地说,假如Flash涨价,这个价钱还是可以接受,但心水价当然是699。
貌似V300开始供货不足了
eclipseX 发表于 2013-3-22 23:30 | 显示全部楼层
这个满盘4K还是36MB/s额……
zh_555 发表于 2013-3-23 02:53 | 显示全部楼层
只要品质有保证,我们用户肯定欢迎群雄混战(否则SSD永远昂贵下去)。
shangyb 发表于 2013-3-23 07:37 | 显示全部楼层
持续关注 JMF667H的 后续表现
overthink 发表于 2013-3-23 08:52 | 显示全部楼层
JMF这次还成,不知道长期使用稳定性怎么样
yuan18 发表于 2013-3-23 13:03 | 显示全部楼层
价格贵了,不如买intel 330 120g
qingren036 发表于 2013-3-23 15:29 | 显示全部楼层
本帖最后由 qingren036 于 2013-3-23 15:42 编辑

多谢大大的评测,看了之后确认我之前怀疑的跑SLC模式是错误的。看闪存的布局和JMF667H的结构图来看,应该是使用了比较复杂的interleave算法,和超线程类似,写入从最小的plane开始,1个DIE里面2个plane交叉,1个闪存芯片里面2个DIE交叉,每通道2个闪存芯片再交叉,这样算出来大概每通道的理论写入速度是84.5M/S,4通道就是338M/S,考虑损耗等300M/S确实可以达到,效率很高了,实际速度就比8通道的低5%左右(M5PRO)。256G采用4DIE的闪存芯片甚至4通道理论写入值达到630M。与别的厂商8通道硬件提速不同,智微这次主要用交叉算法就是软件解决闪存提速问题,好处就是节约成本,不需要做那么多通道(减少很多硬件开销),电路设计简单,只需要每通道连接多DIE再用算法解决。缺点就是算法比较复杂,比通道消耗更多的时间和CPU,连接的DIE越多,延迟越大(闪存的页读取和页编程是固定的,CPU处理算法也需要时间),对主控的CPU消耗也更大。JMF667H采用单CPU(其他厂商新品貌似都是多CPU了),发热和稳定性有待考验,尽管说是55NM,这颗主控的亮点就在于interleave算法了,对算法依赖比较大,固件很关键,就是不知道写入放大和垃圾回收如何。4K采用4K映射表确实不错,4K速度很快,256M的缓存也能满足19NM的16K page需求,DDR3-1333不知道是不是全速支持,MARVELL的9187才支持到DDR3-800。总的来说智微在SSD主控上这几年走了不少弯路,但不断以自己的自有技术为基础进行改进创新(JMF662甚至8通道每通道最大16CE,其他一般主控都是8通道每通道4CE),JMF667H也算是成功的开始了,在成本和性能上达到了一个高度,能否经受市场考验和实战考验才是关键。
mercuryfall 发表于 2013-3-23 23:43 | 显示全部楼层
qingren036 发表于 2013-3-23 15:29
多谢大大的评测,看了之后确认我之前怀疑的跑SLC模式是错误的。看闪存的布局和JMF667H的结构图来看,应该是 ...

感觉上仍然有点违和感,等回去验证一下。

还有多交叉提速是东芝颗粒的特性,不是JF主控的原因。浦科特跟镁光都是marvell,但浦科特写入明显比镁光快就是这个原因。
虽然确实会提高编程难度就是了。
qingren036 发表于 2013-3-24 00:35 | 显示全部楼层
本帖最后由 qingren036 于 2013-3-24 00:56 编辑
mercuryfall 发表于 2013-3-23 23:43
感觉上仍然有点违和感,等回去验证一下。

还有多交叉提速是东芝颗粒的特性,不是JF主控的原因。浦科特跟 ...


东芝主要是ABL架构速度翻倍,只要是多DIE的颗粒都可以采用交叉提速,JMF用4通道,每通道2芯片交叉(128G一般主控都是8通道,每通道单芯片),每颗芯片内部再2DIE交叉,DIE内部2个PLANE又交叉,算法结构比较复杂,固件开发难度当然是大点,主控CPU消耗也大,延迟大一点。对比一下镁光M4 256G和M3P 256G(两个都是同样的主控,8通道,每通道4CE也就是4个DIE交叉,M4 128G 芯片page和每通道DIE都不同,不比较128G),M3P实际持续写几乎是M4的1.8倍,这里就体现出颗粒架构的差别了。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

快速回复 返回顶部