为毛 华硕p8z77-v deluxe MOSFET是1上1下的？？华硕在高端主板上也用1上1下是否有误？？？
下面是世纪冰雷版主的原话：
但由于在一般情况下，我们无法得知主板PWM Controller、Driver IC的型号，也许知道了也不方便去查Datasheet，因此我将目前主板CPU供电方案归结为以下3类：
1. 单个电感搭配1上桥，2下桥，或者2上桥，2下桥方案供电，这种一般数电感即可，多相核心供电+单相uncore供电。多为低端主板采用的方案。（由于CPU功耗的上升，1+1上下桥的方案目前已经比较少见了，但偶尔也会在通路的入门主板上看见，辨别方法一致）
2. 双电感搭配1+2上下桥，或者2+2上下桥，这种要看PWM Controller，但大多数主板会采用同步信号方式达到并联等效多相供电方案，也有个别主板是单纯的多相供电，具体产品需要具体分析。
3. 整合上下桥以及Driver的Drmos供电方案，这种比较容易判别，数Drmos个数即可，UNCORE部分若使用Drmos则多为单相UNCORE，其余为核心；有些主板UNCORE部分无采用Drmos，则数Drmos个数即可；另外也有部分主板Drmos数量比PWM控制器多一倍，则需要查证该主板是否使用了PWM Doubler将PWM信号增倍。
R大原话：
MOSFET：由打工仔操纵的闸门，开门就放水，关门就不放水。MOSFET主要参考内阻和封装的指标，也是供电中承担绝大部分热损耗的元件，因为它通过的电流很大，内阻越大发热量就越大。D-PAK封装的MOSFET体积大占地方多，而且内阻通常较大，所以在高端主板上现在大多数厂商已经放弃使用D-PAK封装的MOSFET。MOSFET分上桥和下桥，在一个PWM周期内上桥和下桥不同时导通，其中下桥的导通损耗较大，所以一般主板厂商会使用内阻更低的元件做下桥，或使用2个下桥分摊电流，减小损耗。 |
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