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拨开迷雾寻找真相!OCZ Vertex 4系列固态硬盘深入评测与解析

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justwp7 发表于 2012-7-17 19:08 | 只看该作者
我还是乖乖选三木棒子的SSD吧
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star_xin 发表于 2012-7-18 13:03 | 只看该作者
学习了,浴室老大整理的思路非常清晰! OCZ 的厂家有点不厚道!
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l58zg8shpz 发表于 2012-7-18 13:10 | 只看该作者
我来总结,花128G的钱买256G性能的64G
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book8899174 发表于 2012-7-18 19:27 | 只看该作者
看了大大的测评,果断入了OCZ 256GB!!!非常感谢!
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hoho9043 发表于 2012-7-18 21:09 | 只看该作者
果然是坑爹物...
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cfcf 发表于 2012-7-19 10:11 | 只看该作者
大大的帖子,,总是很专业
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aspease 发表于 2012-7-19 13:56 | 只看该作者
听校长讲课
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ccl3000 发表于 2012-7-20 22:39 | 只看该作者
支持M4,耐久度太牛B了
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lm469 发表于 2012-7-22 18:18 | 只看该作者
giorgio 发表于 2012-7-14 21:44
好帖,头一次这么前排

其实就跑分来说OCZ确实不错。

马牌是什么?
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bssharp 发表于 2012-7-22 18:57 | 只看该作者
看到说要复习mlc原理,基本猜到下文了~不过mlc读取分两步神马的还是第一次听说
ps:最后一个词应该是事半功倍吧,想在评分里说的~结果平板抽了,打俩字就确认了
71#
giorgio 发表于 2012-7-22 21:42 | 只看该作者
lm469 发表于 2012-7-22 18:18
马牌是什么?

马威尔主控

美满科技
72#
wusuoweishaoye 发表于 2012-7-22 23:31 | 只看该作者
本人水平有限,但是看到浴大的文章,忍不住又要发表下看法,望浴大勿怪。。我主要是想就MLC和SLC的读写时间谈谈(我无理论基础,仅仅凭浴大在本文的一点说明而发言)
读2bit数据时,MLC需要在同一个地方先后读2或3次,从时间上来说,就是需要2-3次读的时间,而SLC需要在两个地方各读1次,则只需要读1次的时间,则MLC的读速度是SLC的1/2或1/3(假定MLC和SLC读1次的时间相同)
写2bit数据时,MLC似乎默认状态是“11”?只在写“00”时需要在在同一个地方写两次,即需要2次写的时间,而其他状态只需要1次写的时间,SLC只需要在两个地方各写1次,则只需要1次写的时间。从概率上讲,MLC只有1/4的时候比SLC多写1次,则MLC的写速度是SLC的4/5(假定MLC和SLC写1次的时间相同,且四种状态平均)
可貌似目前是读速相差不大,而写速度差很多。。。何解?请浴大科普,谢谢先(也许浴大以前的文章有详细解释,麻烦给个链接)
73#
strategy 发表于 2012-7-23 19:56 | 只看该作者
果然是跑分神器,不中用
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xmiangui 发表于 2012-7-23 22:07 | 只看该作者
本帖最后由 xmiangui 于 2012-7-23 22:11 编辑
wusuoweishaoye 发表于 2012-7-22 23:31
本人水平有限,但是看到浴大的文章,忍不住又要发表下看法,望浴大勿怪。。我主要是想就MLC和SLC的读写时间 ...


个人理解:

写入包括擦除和编程,先擦除再编程,擦除将SLC变为1,MLC变为11,然后再编程为需要的值。

SLC
1        0  (擦除后的状态就是)
0        1  (编程加一次电压)
平均编程加压次数  (0+1)/2 = 0.5

MLC
11        0  (擦除后的状态就是)
10        1  (编程加一次电压)
01        1  (编程加一次电压)
00        1+1(编程加两次电压)
平均编程加压次数  (0+1+1+2)/4 = 1
75#
wusuoweishaoye 发表于 2012-7-24 08:08 | 只看该作者
本帖最后由 wusuoweishaoye 于 2012-7-24 08:10 编辑
xmiangui 发表于 2012-7-23 22:07
个人理解:

写入包括擦除和编程,先擦除再编程,擦除将SLC变为1,MLC变为11,然后再编程为需要的值。


兄弟的理解似乎有一定道理...不过,似乎应该算SLC的时候再加1bit,毕竟MLC一个地方就是2bit(抱歉我用"地方",术语我也不知道怎么说)
SLC
11 0 (擦除就是)
10 1
01 1
00 1(2个地方同时编程各1次,但只需1次时间)
则平均编程时间 (0+1+1+1)/4=3/4,,,因MLC平均编程次数为1,则MLC写速度为SLC的3/4

之前我得出4/5的比率,是没有考虑"11"状态不用编程....

现在的状况是,无论按兄弟的计算(1/2),还是按我第二次计算,MLC相对SLC的速度比我第一次计算的4/5更小了..
76#
neeyuese  楼主| 发表于 2012-7-24 08:20 | 只看该作者
wusuoweishaoye 发表于 2012-7-24 10:08
兄弟的理解似乎有一定道理...不过,似乎应该算SLC的时候再加1bit,毕竟MLC一个地方就是2bit(抱歉我用"地方 ...

你这个问题等我晚上回家来回答你吧。
77#
Heagle 发表于 2012-7-26 10:01 | 只看该作者
原来这就是V4性能强劲的真相,要快不要命了,还敢保5年,Ocz真牛逼
78#
mrmnm 发表于 2012-7-27 00:49 | 只看该作者
浴室大, 看你的的文章前我在考慮入手, 看到后想請教幾個問題
首50%比尾50%快4倍是一口氣全盤寫入才会出現嗎? 因為我我一天寫入不了幾個g, 空閒時間还是佔多數, 如果有足夠時間做回收, 比方說我已用了60%容量, 閒置10小時, 再寫入時剩下的40%是20%快+20%慢, 还是40%慢呢?
如果是前者, 我自己是接受的, 因為如先前有高手說過, ssd通常是死于非命的, 要用盡芯片的5000次寫入才坏的相當罕有, 在我看來寫入放大的問題不大, 只要不是10多倍就差不多了, 對吧?
另外, 我的ssd買來是想給舊式本本用的, 不知ssd兼容性如何?
我的本本是fujitsu S6520, GM47+ICH9M芯片, 打算買256g的那款, 不知可行嗎?
謝謝你

补充内容 (2012-7-30 02:12):
http://bbs.pceva.net/thread-20304-1-1.html
关于SSD的寿命问题, 超级版主James007ss在一樓中說過
以一款120G的SSD为例,一般用户每个月消耗不会多于35个P/E
79#
linxiabing 发表于 2012-7-28 06:47 | 只看该作者
我买了ocz 128g 我是第一批的 初始版本1.3  然后我也手贱拆了看
当然密封贴纸没有被识破 还原的时候天衣无缝 跑题了 嘿嘿
我拆开了看 我这个是intel的颗粒 1g缓存
我只问我这片 按照这种豪华配置 就算他这种算法再损耗耐久度
我也就c盘5g左右  d盘(我分区了)装点游戏也就20来G
128g的ssd 估计用不到1半

一句话求总结 内部颗粒够好的情况下 耐草不  美国保5年 换回来肯定是垃圾了。呵呵
80#
Kael 发表于 2012-7-29 18:39 | 只看该作者
楼主对SSD的研究之深让我叹为观止啊
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