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释放PC的潜能——玩转DDR3内存

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royalk 发表于 2010-8-11 01:28 | 显示全部楼层 |阅读模式
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DDR3内存面世已经一年有余,而现在基本已经正式进入普及阶段。DDR3内存的速度基本是从DDR3-1333开始直到2000甚至更高,跨越的幅度比DDR1代和2代都宽许多,我相信DDR3内存今后的路还会很长。如今市面上的DDR3产品五花八门,同品牌同速度的都有好几种型号,甚至相同型号里边的颗粒都不太一样。对于我们超频玩家来说,从品牌到型号,甚至到颗粒,都应该备受关注。我也收集了许多内存的资料,并大概摸清了一些规律,现在就来分享给大家。

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目录:


内存基础知识篇
时序
频率与时序的关系

DDR3超频知识篇
超频的意义
市售产品规格解读
PCB层数
电压与散热
内存超频幅度的划分
平台的影响
Intel XMP

DDR3超频进阶篇
了解内存颗粒

主流颗粒的参数特征
尔必达(Elpida)
镁光(Micron)D9
力晶(PSC)A3G-A/U
未知颗粒

DDR3超频发烧篇
Intel平台内存选择和调教
AMD平台内存选择和调教
内存颗粒性能总结
写在最后——厂商使用的内存颗粒是会改变的

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royalk  楼主| 发表于 2010-8-11 01:43 | 显示全部楼层

内存基础知识篇——时序

在进入正题前,首先我们要弄清楚内存是干什么用的。内存的作用是充当CPU处理信息的缓存器,平时我们使用计算机的操作大多数是在内存中运行,就像我现在正在打字,在保存它们之前,它们是在内存中的。(这里有个题外话。内存的全称是内部存储器,现在准确说法是RAM,Random Access Memory 随机访问存储器,也叫易失性存储器,断电后数据消失;硬盘等存储器是外部存储器,也可以叫做外存,非易失性存储器,断电后数据不消失。这两者的工作原理与作用有本质区别,在产业中的位置也不一样,有的网站将内存与硬盘都作为存储类产品放到一起,我认为是不对的。有些入门级用户也经常把这两种产品搞混,比如笔者身边有些朋友,问他电脑内存是多大的,往往回答 "500G"。请大家一定搞清楚。)

内存需要随时与CPU通信,同时也要与外部存储器例如硬盘通信。内存和CPU不一样,并不是频率越高,运算速度就越快。因为内存是一种有存取延时的存储器,用户的每一个操作,都要经过内存响应后交给CPU处理,而内存在读取和写入的时候,都会有一个响应时间,这个响应时间,表现就是通常所说的“时序”,它由四个阿拉伯数字组成,而在JEDEC规范中,这四个数字的排序是规定的,为:CL-tRCD-tRP-tRAS。下面分别简单介绍一下这四个参数的意义。

CAS(Column Address Strobe,列地址信号) Latency:简称CL值,表示从内存收到CPU的读取命令后到读取数据结束(响应)的延迟。是内存在确定地址后到读取(写入)数据之前的响应时间。通俗的说,就好比人的反应时间,从你看到某个事物到做出反应或者想法,你的大脑会有一个响应时间。


图:CAS Latency示意图

RAS(Row Address Strobe,行地址信号) to CAS Delay:简称tRCD,从字面意思理解就是行地址信号到列地址信号的延迟,内存中的数据就好比一个表格,有行有列,当内存要读写某个指定地址的数据时,就需要找到它在第几行第几列,而内存会首先发送一个行地址信号(RAS),再发送一个列地址信号(CAS),而这两个信号发送不是同时的,而是有延迟的,这个延迟就是tRCD,并且,这个延迟对同频率下内存性能的影响最大。

图:tRCD示意图

RAS Precharge:简称tRP,即RAS预充电时间。也就是内存从结束一个数据处理到下一个处理开始前的最短时间周期。

图:tRP示意图

Row Active Delay:简称tRAS,指从内存接受到一个新请求到激活内存地址的间隔,这个参数并不是太重要,因为它只是内存要创建一个新数据时候才用到的延迟,但这个值太高或太低都不好,太高了会导致内存地址激活周期变长,影响性能,太低了会造成已激活的地址提早进入非激活状态,出现数据错误或需要重新激活。

简单的说,CL值是内存对同一地址的存取延时,而后边三个则是寻址延时。

内存宏观延迟的算法很复杂,因为除了以上提到的四个参数外还有许多别的参数,但是我们可以用一个基本算法,计算存取延时,来评定内存的性能。首先我们要知道,以上提到的四个参数,单位都为“周期”,而不是纳秒。一个周期是多长呢?这就是由内存频率决定的。我们知道DDR3-1600的实际频率为800MHz,DDR的意识是双倍的数据传输率(Double Data Rate),并不是真实的工作频率。所以DDR3-1600的内存在1秒钟内可以工作800, 000, 000个周期。那么我们就可以反过来推算出它的频率周期是1.25纳秒,而根据上面提到CL值的含义,假设这里CL值为8 clock,那么我们就可以得到内存真正的存取延迟为1.25*8=10ns。

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royalk  楼主| 发表于 2010-8-11 01:51 | 显示全部楼层

内存基础知识篇——频率与时序的关系

本帖最后由 royalk 于 2010-8-11 02:02 编辑

既然上边提到了内存的速度由频率和时序决定,那么我们在超频内存时候也要同时侧重这两个因素(这两个因素同时也决定内存的品质与售价)。

我们可以很容易理解,比如一个应用程序不需要那么大的传输带宽,那么你的频率再高也是白搭,降低延迟就可以让这个程序的执行性能更高。但是又有一些程序需要很高的传输带宽,而不需要那么低的延迟,那么我们就要提高的传输带宽才能让这类程序运行性能更高。乍看之下这两个因素存在一定的矛盾性,因为通常降低了延时就无法运行在高的频率,传输率就受影响,反之如果运行在高的频率,那么延时就也要相应提高。但是别忘了,提高频率的同时也是可以降低延迟的,例如我们之前算出DDR3-1600 CL8的延迟为10ns,那么超频到DDR3-1800的时候,CL不变,延时就会变成8.9ns。这样既提高了带宽又降低了延时。然而,现在的内存都使用双通道甚至三通道技术,在带宽上直接可以实现翻倍,所以传输率实际上不成问题。我们主要考虑的是如何降低延时。

图:三通道DDR3-1600 7-7-7下的内存带宽


图:三通道DDR3-2000 9-9-9下的内存带宽

我们看到,在三通道上,内存带宽根本就不成问题,DDR3-1600和2000差距非常小,这是因为CPU和内存控制器间的总线速度和内存控制器的执行速度都成了瓶颈,使得内存实际带宽距离理论值3通道DDR3-2000的48000MB/S差距很大,而从延迟来看,DDR3-1600 7-7-7反而更小,虽然差距不大,但也是进步。因此,我们可以说,把66%的侧重点放在提高内存频率上,33%的侧重点放在降低延时上,还有1%,那就是锻炼自己的判断能力和权衡利弊的能力。

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royalk  楼主| 发表于 2010-8-11 01:56 | 显示全部楼层

DDR3超频知识篇——超频的意义

本帖最后由 royalk 于 2010-8-11 02:02 编辑

我们知道,内存的频率是和处理器的外频有一个比例关系,而在超频的时候,只要改变了外频,内存的频率也会相应改变。

对于除了Intel的i7 980X和K系列不锁倍频的CPU、以及AMD的Black Edition CPU以外,超频都需要通过提高外频来实现。当你拉高外频的时候,内存频率就会相应的提升。因此,内存的好坏,对整个平台超频能力,就会有较大的影响。

有些同学说,可以降低内存分频来达到更好的超频效果,这有一定的道理,但不应该盲目降低内存分频,否则可能不仅得不到性能提升,甚至会有下降。而且,就算改变了内存分频,在超频上也是有可能会碰到盲区的,再加上主板可能会有分频bug,或者CPU的内存控制器分频bug,导致带来更多的负面影响。

举个例子,假如你买了AMD Phenom II X6 1055T的CPU,又买了一组很普通的DDR3-1600内存,然后按照大家都知道的Phenom II X6可以很容易超频到4GHz,NB频率也很容易超到2800MHz以上。想要达成这样的效果,你至少需要把外频提高到286MHz才行。但是,假如你手头的内存在安全电压和合理的时序下,只能超频到DDR3-1800,你碰到的问题就会非常棘手,你现在会有两种选择:第一种是内存使用1333分频,加电压或者放宽参数超频到DDR3-1900,这样一来你又得面临两个问题,一是电压加高了不安全,二是内存延时太高,性能可能还不如默认的DDR3-1600。那么你就会考虑第二种选择,把内存降到1066分频,这样你的内存就运行在DDR3-1524左右,那你也会碰到一个问题,那就是内存实际上是处于降频运行的状态,况且DDR3-1600并不是很高,再降频,心里多少会有些不舒服。所以在碰到这些问题后,你就会想,我手头上这些内存不行,我得换更好的内存,至少能超到1900以上的。而这些问题,实际上就是碰到了内存的超频盲区,那就是:使用较高的分频,内存超不上去,而使用较低的分频,内存却是降频运行。

这两种情况对性能有什么影响呢?请看下面的测试



图:内存运行在DDR3-1524 9-9-9下的Everest和Winrar测试



图:内存运行在DDR3-1524 6-7-6下的Everest和Winrar测试



图:内存运行在DDR3-1900 9-9-9下的Everest和Winrar测试

从测试结果我们可以看到,在两种分频下,内存带宽差得并不多,而DDR3-1524 9-9-9则稍微逊色一些。和上边提到的类似,双通道即可满足Phenom II的内存带宽。但是内存潜伏期(行寻址、列寻址和中间的延迟所耗费的时间的总和)延时却差了10%以上。而在对内存性能相当敏感的Winrar解压缩速度测试上,我们也可以看到,DDR3-1524 6-7-6和DDR3-1900 9-9-9速度大致相当,而都比DDR3-1524 9-9-9快了10%左右,如果进一步降低延迟到DDR3-1900 7-9-7(见Phenom II X6 1055T测试贴,3846KB/S),Winrar的速度还会进一步提升,幅度大约在5%左右。而在其它的测试和应用上,内存性能的影响差距较小。因此,我认为,内存超频的意义,不是为了得到更强大的性能,而是要辅助CPU得到更强大的性能。

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royalk  楼主| 发表于 2010-8-11 02:11 | 显示全部楼层

DDR3超频知识篇——市售产品规格解读

市售内存的定位非常细,低、中、高各档次遍布,价格相差很明显,高端内存已经被大家成为“超频条”。也许很多人会认为超频条才是超频专用,但又太贵,买不起怎么办?但实际上低端条也具有一定的超频能力,哪怕是再低端的内存也一样可以超频。下面先对市售的个档次内存规格进行梳理。

低端内存,最常见的为金士顿普条或者窄条,还有威刚的万紫千红,它们标的参数都是DDR3-1333 9-9-9 1.5v。这些内存价格最低,出货量也最大,也有一定的超频能力,基本上95%的人都会选购这样的内存,其中就包括相当一部分超频用户。

图:金士顿KVR1333D3N9/2G DDR3-1333 9-9-9


中端内存,会带有散热片,基本上是标DDR3-1600 9-9-9或者8-8-8,电压为1.5v到1.65v。这一档次的内存,用的芯片鱼龙混杂,很多是1333颗粒,而且都被散热片遮住并不能直接看到,如果你买到不好的内存颗粒,就在很大程度上影响超频。


图:芝奇F3-12800CL9D-4GBRL DDR3-1600 9-9-9


高端内存,基本上标称DDR3-1800或更高,时序则有很多,7-7-7、8-8-8和9-9-9都有,也有别的类似7-8-7这样的参数,电压通常是1.65v或更高。这些内存基本上是选用比较好的颗粒,都能运行在比较高的速度,价格也相对较高,但是就算是这些高端内存,里边还是有很多乾坤,等你看完颗粒的介绍就会明白。

图:海盗船CMGTX2 Dominator GT DDR3 2250 8-8-8

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royalk  楼主| 发表于 2010-8-11 02:13 | 显示全部楼层

DDR3超频知识篇——PCB层数

现在DDR3内存一般使用6层到8层的PCB,而我们通常遇到出货量最大的低端内存,一般为6层PCB。

在DDR3-1600的内存中,有部分主攻高端内存的厂家如海盗船、芝奇、OCZ等就会使用8层PCB;威刚、金士顿这些可能会继续使用6层PCB。

我们知道,PCB的层数越多,电气性能就越好,对内存的超频也越有利。我们可以从内存边上的PCB上看到一个数字,那就代表着PCB的层数,在一些品牌的官网,如OCZ和芝奇,也同样可以查到内存使用的PCB层数。例如,芝奇F3-12800CL7D-4GBECO就是使用8层PCB。

图:G.Skill F3-12800CL7D-4GBECO采用8层PCB

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royalk  楼主| 发表于 2010-8-11 02:14 | 显示全部楼层

DDR3超频知识篇——电压与散热

JEDEC规范中DDR3默认电压是1.5v,但很多高端内存都使用1.65v甚至更高的电压。其实这些电压都在DDR3安全范围内,日常超频就可以把电压加到1.65v长期使用,跑测试和冲极限还可以再高些。(在这里我要重申一点,根据狂少的建议,非8层PCB,内存电压请不要加超过1.75v,尤其是在Intel P55/X58平台上,因为PCB层数太少,会导致信号质量低劣,有可能损坏CPU内存控制器。)

对不同内存颗粒,电压要区别对待,并非越高越好。例如力晶颗粒在1.6-1.65v之间很好超,高于1.65v后则会变得不稳定。又有部分颗粒比较吃电压,例如三星的HCF0以及镁光的D9系列,在1.8-1.9v才能有比较好的发挥。使用三星HCF0颗粒的金士顿HyperX DDR3-2000,电压标称值就为1.7-1.9v。

总的来说,不论哪种颗粒,在使用8层PCB的情况下,不建议将电压长期超过1.85v使用,而在P55/X58平台,同样不建议超过1.75v。

散热方面,从我自己的使用经验看,不必过多担心,在没有采用特别散热的手段下我都正常超到每种颗粒的极限值并可以跑完memtest 200%(按照上文规定的电压范围进行操作),运行时手摸内存也就是微温而已。只要你不是无限制加电压,那些带水冷头或热管的散热片我个人认为是小题大做。
royalk  楼主| 发表于 2010-8-11 02:20 | 显示全部楼层

DDR3超频知识篇——内存超频幅度的划分

本帖最后由 royalk 于 2010-8-11 02:21 编辑

就像CPU一样,内存的超频幅度也有规律可循。根据不同等级的用户,我把内存的玩法分为“入门级”、“进阶级”与“发烧级”,用户可以根据所用产品与自身技术水平分别选择不同的超频幅度。

入门级,我们将所有平台都定在DDR3-1600 9-9-9,因为这很容易达成,哪怕是最廉价的金士顿普条、威刚万紫千红等DDR3-1333内存,只要不存在个体的体质问题,在不加压或者稍微加压到1.6v下就可以轻易达成1600 9-9-9。入门级标准都一样,所以没有做到下表中。

进阶级,使用廉价的DDR3内存稍作调整和优化后可达成,时序当然要低于9-9-9,否则还是入门。

发烧级,要使用上等的内存颗粒才可以达成。在这里我做成表格,大家可以作为参考,根据自身条件来达成不同的超频频率,而不要奇怪为何超不上去或浪费计算机的潜能。也许有读者会问下表中为何每个平台的频率还不一样,那么请看下一段。

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royalk  楼主| 发表于 2010-8-11 02:23 | 显示全部楼层

DDR3超频知识篇——平台的影响

目前市场上能支持DDR3内存的平台有四种:
Core 2 CPU的P45/X48平台;
Nehalem Bloomfield/Gulftown的i7 900系列的X58平台;
Lynnfield/Clarkdale i3/i5/i7 800系列处理器的P55/H55平台;
AMD Phenom II/Athlon II的K10平台。


对于这四种不同平台的基本架构,只有Core 2架构的内存控制器是在主板上,且濒临淘汰,在这里我不做过多的介绍。

对于Intel Lynnfield在P55(包括H55)平台而言,基本上内存控制器都可以支持到DDR3-2000或更高的频率,实现DDR3-2000并不难,这样刚好可以得到200bclk和3600MHz的Uncore频率。发烧级,我们可以挑战222bclk和4000MHz的Uncore,这个难度非常大,而内存跑到DDR3-2200 8-8-8更是只有Elpida Hyper颗粒可以做到。所以我把Lynnfield平台的发烧级超频目标定在DDR3-2200 8-8-8上。

对于Clarkdale用户而言,要考虑内存充当集显显存的情况,同时搭配的主板多为H55,在内存参数优化上可能不如P55,另外Clarkdale的内存控制器体质并不如Lynnfield(我个人就没法在同一张主板上使用i5 655K点亮DDR3-2000,而换上875K就可以非常稳定)。搭配H55平台的Clarkdale处理器,bclk可以轻易达到200甚至220MHz,综合以上,我认为进阶级目标是:使用1066分频让内存运行在DDR3-1600到1800之间取低参比较合理;如果IMC体质好的,1333分频来达成DDR3-2000的发烧级目标。

对于X58平台,我们先撇开六核心Gulftown不说,我们首先考量的就是Uncore频率必须大于等于内存频率的四倍,也就是说你如果想在X58平台上达成DDR3-2000,那么Uncore频率必须到4GHz以上,这个对于IMC的压力比较大,然而体质好的也是可以达成的。因此我们把发烧级目标定在DDR3-2000,而进阶级目标则定在Uncore跑3600MHz,内存运行在DDR3-1800。对于Gulftown六核心来说,则不再有这个限制,因此我定制了和Lynnfield相同的标准。

对AMD平台来说,Deneb核心的内存控制器很难让内存稳定在DDR3-1900以上,因此我们可以选择使用DDR3-1600到1800的稳定频率跑低延迟。发烧级目标依然是海盗船GTX2的默认参数之一DDR3-1800 6-6-6;进阶级目标则是力晶颗粒可以轻易达成的DDR3-1600 7-8-7。对于Thuban核心来说,内存控制器有一定的改良,可以跑上DDR3-2000了,所以我们把发烧级目标定在DDR3-2000(我只在Thuban下使用Elpida Hyper颗粒成功达成DDR3-2000 7-8-7,并且极其不稳定,力晶颗粒可以稳定工作在DDR3-2000 8-9-8,极限也跑到了DDR3-2247)。

当然,在AMD平台,内存的超频通常会受到主板的制约,华硕的890系列主板对内存的超频能力最强,可以稳定DDR3-2000,技嘉次之,华擎第三,水平均在DDR3-1800到1900左右,而其它厂商的仍然很难达到DDR3-1800的水平。但这并不是说它们不好,跑在DDR3-1700左右选择低延迟,性能并不差。

然而,不管是使用哪个平台,CPU的内存控制器体质也同样制约着你的内存超频,有些CPU的内存控制器体质不是很好,在达到高频后就不是很稳定,例如我手头这颗Core i5 655K就只能运行在DDR3-1800的频率,并且不能设置CL7,再往上就无法稳定了,DDR3-2000更是开不了机。对于X58平台和Nehalem处理器,Uncore频率更是制约你的内存达到高频的一个重要因素。所以,在挑CPU的时候,内存控制器的体质也是其中的一个因素。
royalk  楼主| 发表于 2010-8-11 02:24 | 显示全部楼层

DDR3超频知识篇——Intel XMP

XMP全名Extreme Memory Profile,是Intel在测试过各内存厂商的产品后为其定制的类似SPD的一系列优化性能的内存参数,而且是为超频定制。因此最后要提的一个基本超频技巧,就是如果你的内存支持XMP,别忘了打开它。有些内存是支持两组XMP设定,有一组是跑低延迟的,一组是跑高频的,记得按需选择,别用低延迟的XMP去超高频。另外,在XMP的基础上,还是可以有一定的优化空间的,这个在下文将介绍到。例如你不太了解某款内存的体质,但是它支持XMP,那么你就尽管开启这个功能,可以省却很摸索的时间。
royalk  楼主| 发表于 2010-8-11 02:26 | 显示全部楼层

DDR3超频进阶篇——了解内存颗粒

现在介绍DDR3的进阶玩法,对于普通玩家来说,这部分内容也可以帮助你挑选好的内存,了解自己手头的内存体质,在超频的过程中少走弯路。

决定内存超频表现的因素,不是制造内存厂商,而是他们所使用的颗粒。

在众多内存品牌中,有一部分厂家是内存颗粒的直接生产厂家,例如镁光、尔必达、现代、三星等,而有一部分则是不生产内存颗粒的,例如海盗船、芝奇、OCZ、金士顿和威刚等。在这些自己生产颗粒的厂家中,他们出品的内存应该都是用自家颗粒,例如镁光的灯条在DDR2时代就红极一时。

然而,在这些自己生产颗粒的厂家中,他们给自家内存用的颗粒往往不是最好的颗粒,而是比较低端,主打主流市场或者OEM市场的,当然像镁光自家也有比较高端的内存,但是很少见,价格也非常之贵。而像老牌高端内存品牌例如海盗船、芝奇、OCZ等,他们的高端内存用的却是那些颗粒生产厂家的最好的颗粒,他们会把这些采用这些好颗粒的内存标到很高的频率,或者很低的延时,而且大多数价格也非常昂贵。

一些在低端市场人气很旺的牌子,例如金士顿和威刚,他们也有使用同样优质颗粒的内存,超频能力也不比海盗船等差太多,而价格却可能会便宜一半以上。因此,对于大多数玩家而言,我们要找的就是,在廉价内存中使用好颗粒的,而不是一味的迷信某个牌子。下面,我们来看一些厂家的某些型号的内存超频情况。

图:一些内存的超频情况

我们从上图可以看到,海盗船的XMS3系列DDR3-1600内存在超频上垫底,而OCZ的白金条DDR3-1866则次之,而这两个厂商都是赫赫有名的高端内存厂商,他们的有些低端产品,在超频上也是差强人意。

使用了好颗粒的博帝Sector 5、金士顿HyperX、海盗船Dominator GT和威刚的DDR3-2200,都可以在CL8下达成DDR3-2100以上的频率。还要注意到,芝奇的Ripjaw DDR3-1333 C7则是整个测试中的黑马,在CL8的时候可以达成DDR3-2000以上,它在超频能力上并不比以上提到的高端内存差太多,但价格只有这些内存的一半甚至更低。

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royalk  楼主| 发表于 2010-8-11 02:31 | 显示全部楼层

DDR3超频进阶篇——主流颗粒的参数特征 尔必达(Elpida)

{:4_114:} 内存马甲底下的秘密,厂家和媒体不会告诉你……

既然上边提到了内存颗粒是决定内存超频的因素,那么,现在的DDR3中,有哪些颗粒是“好颗粒”呢?那我们不妨先来看一些高端内存的拆解例子。此外,我会结合这些例子来说明这些颗粒大概的超频表现。


图:金士顿HyperX DDR3-2133 CL8,采用Elpida MGH-E Hyper颗粒


图:Mushkin 996731 DDR3-2000 CL8,采用Elpida MNH-E Hyper颗粒


图:Team Xtreem DDR3-2200 CL9,采用Elpida BBSE颗粒


图:金士顿HyperX DDR3-2133 CL9,采用Elpida BDBG颗粒

尔必达的MGH-E和MNH-E号称Hyper双雄,它们可以称为是DDR3内存中最强的颗粒,一般可以在1.7v电压左右工作在DDR3-2000 7-7-7的状态下,或者在1.65v左右工作在DDR3-1600 6-6-6的状态下,CL9的极限频率可达DDR3-2400以上。这两个颗粒对电压也较为敏感,甚至加压到1.8v以上还有提升。

无论是频率还是时序,还是对电压的敏感度,尔必达的hyper颗粒都有着很不错的表现,但是非常遗憾现在尔必达hyper颗粒已经停产,留存下来的价格也被炒得相当高。BBSE和BDBG颗粒相对hyper稍微逊色一些,但是工作在DDR3-2000 8-8-8还是没有问题的,BDBG是作为尔必达的新颗粒出现,未来前景看好。BBSE颗粒更是出现在某些中端内存上,例如我之前用过的一条威刚红色威龙DDR3-1600就是使用尔必达BBSE颗粒,价格也比较便宜,唯一的差别就是只有6层PCB。

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royalk  楼主| 发表于 2010-8-11 02:32 | 显示全部楼层

DDR3超频进阶篇——主流颗粒的参数特征 镁光(Micron)D9

本帖最后由 royalk 于 2010-8-11 03:25 编辑


图:博帝Viper DDR3-1600,采用镁光D9JNL颗粒


图:金士顿HyperX DDR3-1800 CL8采用镁光D9GTR颗粒


镁光颗粒在DDR2时代红极一时,D9GMH的出色表现可谓家喻户晓。在DDR3时代,虽然它的风头被尔必达盖过,但是D9系列的超频性能依然不差,而且保持了它非常吃电压的风范,在1.9v以上更是表现出色,可以达成DDR3-2000 8-7-7或者是在1.75v左右达成DDR3-1600 7-7-7。

但是,从上边提到的来看,由于现在我们的P55和X58平台就算把内存电压加太高也有损坏CPU内存控制器的可能,因此,不建议使用Intel平台使用D9系列的颗粒。对于AMD平台玩家,D9系列依然是个不错的选择,镁光自家的廉价DDR3-1333 Value内存就使用D9JNM颗粒,也有不错的超频表现。

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royalk  楼主| 发表于 2010-8-11 02:34 | 显示全部楼层

DDR3超频进阶篇——主流颗粒的参数特征 力晶(PSC)A3G-A/U

本帖最后由 royalk 于 2010-8-11 02:36 编辑


图:Silicon Power XPower DDR3-2000 CL9采用力晶(PSC)A3G-A颗粒


图:这些低端内存所采用的都是力晶颗粒

力晶(PSC)作为台系颗粒中出货最大的,在DDR2后期也被广泛采用,现在在DDR3内存中依然是很流行的。

也许大家从上图都已经认识到,力晶颗粒通常被各厂商打磨,识别它的最简单的办法就是看下边的那排编号,以A3G-A结尾,也有一些是以A3G-U结尾,其中A3G-U被认为体质比较好。力晶颗粒上高频的能力并不输给尔必达颗粒,某些特挑体质好的甚至可以在DDR3-2100以上依然工作在CL6的低延迟下,电压也仅需要1.65v。

PSC颗粒有两个缺点:一是不吃电压,在1.65v以上不会有任何提升,在CL8-CL9时甚至超过1.58v就会出现越加压越不稳定的情况;二是,使用力晶颗粒时,TRCD值要放得比较宽,基本在1.65v可以勉强达成DDR3-1600 6-7-6,稳定则需要6-8-6,在DDR3-2000时,体质好的颗粒可以达成6-9-6的参数,体质不太好的则是8-9-8或者9-9-9,电压都不超过1.65v。

力晶颗粒的第一个缺点也恰恰是它在某些方面的优点,电压不高,可以让超频的安全性大大增加,价格也相对低廉,市面上也比较容易买到。因此,P55和X58平台的廉价内存,首选力晶颗粒。力晶颗粒的频率主要被TRCD决定,通常在DDR3-1600以上时,TRCD就要设为8,在DDR3-1800以上,就为9,在DDR3-2100以上则为10。

在这里我还想重点说一下力晶颗粒,虽然它遍布高中低端,在各种内存上均看得见它的身影,但是并不是说买了采用力晶颗粒的低端的便宜内存就一定能捡到便宜。力晶颗粒在出厂前都经过特挑,不同的体质决定了它的去向是高端还是中低端,因此,你可以指望使用力晶颗粒、8层PCB、低电压的芝奇F3-12800CL7D-4GBECO超频到DDR3-2000,但如果你想指望使用6层PCB、体质稍差的力晶颗粒的金士顿普条也有这样的表现,难度是大了些。

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royalk  楼主| 发表于 2010-8-11 02:39 | 显示全部楼层

DDR3超频进阶篇——主流颗粒的参数特征 未知颗粒


图:MachX DDR3-2000采用的未知颗粒


图:承启DDR3-1333 CL9所采用的未知颗粒


图:芝奇的F3-12800CL9D-4GBRL采用的未知颗粒


这种神秘颗粒在最近引起了我的注意,它在芯片上也是和力晶颗粒类似,只留下一串编号,是以E开头的12位编号。但从各玩家处得到的信息来看,它们没有和力晶颗粒那样对TRCD如此敏感的特征,也比力晶颗粒更为对电压敏感些。目前也尚无定论它是出自哪家。而同样有DDR3-2000的内存型号采用了这种颗粒,例如芝奇的F3-16000CL9D-8GBTDD和MachX的DDR3-2000 CL9,这种颗粒可以在1.65v左右工作在DDR3-2000 9-9-9,而在1.7到1.75v可以工作在DDR3-2000 8-8-8,而加压到1.9v最高频率可达DDR3-2500 9-9-9以上,可以说超频能力非常可观。

但是,这种颗粒也并不都是像我上边所说的那么出色的,就在之前我测试的承启的DDR3-1333 CL9内存,采用的也是类似颗粒,虽然我在1.74v电压下也达成了DDR3-2000 8-11-8,但是它的特性并不和我上边所提到的类似,反而有点像对TRCD更敏感的力晶颗粒的特征,但我们知道,它比力晶颗粒要更为吃电压。而现在广受超频玩家追捧的芝奇F3-12800CL9D-4GBRL内存,也使用的是这种颗粒,它的性质又是另一个情形。因此,这种颗粒虽然有可能出自同一家,但是超频能力也是截然不同,有待后续做更多的研究和求证。

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royalk  楼主| 发表于 2010-8-11 02:45 | 显示全部楼层

DDR3超频发烧篇——Intel平台内存选择和调教

本帖最后由 royalk 于 2010-8-11 03:27 编辑

上边说了这么多颗粒的特征,现在我们就来把它们付诸实际,分成Intel与AMD两个平台来介绍。

在Intel平台,我们首先得搞清楚,Core i3/i5的内存分频最大为1333分频,也就是bclk的10倍,同时还有bclk的8倍也就是1066分频,而Core i7则支持1600分频,为bclk的12倍。在某些主板,例如华硕、映泰等,BIOS的选项会给你直接选择已经计算好的频率,所以要注意改变外频的时候,这些数字会随着改变,不要把超频后的内存频率误认为是某个分频的数字以免混淆。此外,我还想再提醒大家一次,注意X58平台Uncore频率要为内存频率的四倍才能开机。在这里我们以超频到200bclk为例,如果使用1333分频,那么内存将被同步超频到DDR3-2000,而使用1066分频,内存将被超频到DDR3-1600。

对于入门级与进阶级用户,在Intel平台可以选择廉价的、电压较低的、运行在DDR3-1600的内存,那么力晶颗粒就是首选,上边已经提到,力晶颗粒可以在大约1.65v电压下工作在DDR3-1600 6-8-6或者1.55v电压下工作在DDR3-1600到1800 7-8-7,这样搭配上200bclk,使用1066分频刚好合适。不幸买到雷U的同学,bclk或者uncore频率上不去,这时候可以选择使用1333分频来走180bclk,内存工作在DDR3-1800 7-8-7,也是个很好的选择。

对于发烧级玩家,要达成DDR3-2000甚至更高的目标,就应该选择特挑的力晶颗粒,1.65v工作在DDR3-2000 6-9-6,或者尔必达的颗粒,在1.75v以内工作在DDR3-2000 8-8-8甚至更低的延迟。同时,这些颗粒也有冲击DDR3-2400以上的能力,可以供Core i7超频到200bclk还要使用1600分频的同学使用。

Intel平台的内存调教,在前面我们已经提到,Intel平台有个XMP规范,十分方便,因此我们在超频时,可以先在BIOS中载入XMP设置,再在XMP的基础上进行调教。在这里,我以P55-UD4上将G.SKILL F3-12800CL7D-4GBECO,默认为DDR3-1600 7-8-7-24-2T,1.35v的内存,超频到DDR3-2000的设置为例。以下是在BIOS中各项内存参数,我们不必一一知道它们是什么,一般只用根据内存体质改动前四个,其它默认即可。以下表格,是Intel XMP中的预设值,和我设置的值。


表:G.Skill F3-12800CL7D-4GBECOXMP设置

这里我们将芝奇的F3-12800CL7D-4GBECO超频至DDR3-2000,延迟为8-9-8-24-1T,电压提高到1.56v。这里由于载入了XMP设置,因此许多参数可以使用Auto设定,特别说下TRFC,由于ECO是采用了力晶颗粒,力晶颗粒在上DDR3-2000的时候这项参数很难达到默认值88,因此我们将它提高到108,如果还不稳定可进一步提高至124。


图:成功将Core i7 875K超频到4GHz,DDR3-2000 8-9-8-24-1T

最终DDR3-2000 8-9-8可以完成memtest 20分钟的测试。之后进一步调教,最终在1.64v的时候可以达成DDR3-2000 6-9-6-28-1T,这个频率并不太稳定,这里只是展示一下超频的过程。如果你对自己的条子不放心,放到9-9-9的时序是很稳妥的办法,只是不太好看而已。

图:成功达成DDR3-2000 6-9-6-28-1T

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royalk  楼主| 发表于 2010-8-11 02:57 | 显示全部楼层

DDR3超频发烧篇——AMD平台内存选择和调教

本帖最后由 royalk 于 2010-8-11 03:28 编辑

至于在AMD平台上,我们知道想要达成DDR3-2000就不是那么容易,因为大多数主板都无法让内存运行在DDR3-2000上。

不过不要紧,既然上不了高频,我们就应该更注重低延时,在DDR3-1600到1800之间运行,可以让CPU-NB频率达到2600MHz-2700MHz,而Thuban用300外频运行1066分频,内存就可以到DDR3-1600,这时候NB频率刚好在3000MHz。而在DDR3-1600到1800达成低延迟,可以选择尔必达颗粒和镁光D9颗粒,因为在AMD平台上内存电压可以稍微高一些,但也不要超过1.75v。以上两个颗粒,基本可以在1.75v以内、DDR3-1600到1800的频率下就可以6-6-6或者7-7-7的延迟,比力晶颗粒的7-8-7要稍微好些。当然,力晶颗粒依然是廉价的万金油,在配合ASUS主板和Thuban核心的CPU下,也可以达成DDR3-2000 8-9-8。

AMD平台内存的调教,和Intel平台有所不同,首先是没有XMP这样的预设条件,其次是AMD平台各项参数的含义可能和Intel平台有所区别,因此无法参考。以下我以Elpida MGH-E Hyper颗粒和ASUS M4A89TD PRO的设置为例,来说一下AMD平台调教内存的三个要素:

1、内存时序和电压。这个是必须的,也是最重要的,AMD平台的内存时序大概有以下这些:

内存电压,长期使用建议8层PCB不超过1.75v,6层PCB不超过1.65v。这里我设为1.7v。

2、DRAM Drive Strength,这里边的选项,稍微影响高频下的稳定性,把它们全部设为最小值即可。一般来说全Auto也无妨。


3 Channel Interleaving,这一项在Award BIOS的主板上,设为Enabled。而在AMI BIOS的主板上,设为XOR of Address Bit 16:9。

超频实战,最终我使用Phenom II X4 955 Black Edition处理器在210外频下达成了DDR3-1685 6-6-5-18,并通过memtest测试。


图:AMD平台DDR3 1685 6-6-5-18-1T

接下来换上六核心1055T,这里关闭成四核是为了主频能上更高,并尝试冲击DDR3-2000,最终在7-8-7-21下达成DDR3-2000,可惜由于不是黑盒,NB只能运行在2500MHz,性能并不理想。而且这个设置下也不是很稳定,只能跑Everest内存带宽。

图:AMD平台Phenom II X6 1055T达成DDR3-2000



在6-6-6-15下达成DDR3-1600,并同时达成NB 3000MHz。


图:AMD平台Thuban达成DDR3-1600 6-6-6-15-1T

以上超频过程并不是要你模仿笔者,而是重在分析的过程。也就是说,你必须先明白自己的平台,再根据内存的颗粒体质制定一套频率与延时的组合,这样很快就可以达成目的。

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royalk  楼主| 发表于 2010-8-11 03:15 | 显示全部楼层

DDR3超频发烧篇——内存颗粒性能总结

本帖最后由 royalk 于 2010-8-14 01:36 编辑

买对的,“未必”选贵的!

以下是我收集的一些主流颗粒在时序9-9-9-24,电压为1.65v下的超频能力,这是一个颗粒在多个平台测试得到的数据的平均值,所以可能有双通道有三通道,也有些有AMD平台的数据,供大家参考,可能有人会提出疑问:三通道是不是超频会受影响更多些,无法超到这么高?我觉得其实还好,除非三通道中有一根内存体质不是太好,或者也可能出现几条内存单插都很好,一混插就影响超频的情况,但这毕竟是极少数,有可能可以通过调整微参解决,这没有一个统一的方法,只能自己尝试。另外,如果你的内存颗粒没有在这个图表上出现,那么有一种可能是新出的颗粒,我没有收集到超频性能的数据,当然我也鼓励大家自己尝试;而另一种可能则是你买到了其它非主流颗粒,或者低端的廉价颗粒,它们的超频能力往往不会很好。

图:主流高品质内存颗粒的超频能力

然而,并不是所有的内存颗粒都那么“死板”,在9-9-9-24下就一定能超的高,下面我就来归纳一下这些主流颗粒的内存习性,以及它们的最佳工作状态。

表:一些颗粒的工作电压及表现特征

由于厂商很明白市场对频率的认知,所以标称DDR3-2000的条子价格就比较高。但实际上,某些DDR3-1600低延迟的颗粒(例如CL7的,它们的价格相对比较低廉,用的也是比较上好的颗粒,因为DDR3-1600 CL7已经不容易),往往可以在CL9甚至更低的延迟下超频到DDR3-2000,但价格却比DDR3-2000便宜不少。

如果一味追求高品质内存,往往也会令人失望。例如海盗船最新的Dominator GT系列内存,价格昂贵,3*2G要2500元以上,再加上其外观红梳子与黑色散热片、PCB的组合,与华硕玩家国度的配色十分搭调,被很多发烧人士追捧。但是,在盲目追捧的背后,你可能忽视了颗粒的问题。海盗船内存在标签上会有一个Version,不同的Version代表不同厂家的颗粒。例如之前的Ver2.1是尔必达Hyper颗粒,而最新的行货则为Ver7.1,也就是力晶颗粒。所以买海盗船的内存超频时,一定要看清楚标签。


图:海盗船TR3X6G1600C7标签上为Ver2.2,判断是采用尔必达BBSE颗粒


图:海盗船TW3X4G1600C9D,Ver3.2,从它的高压设定可以判断它是镁光D9颗粒

现在我就把海盗船内存标签上的Version的含义附上,供大家参考:

表:海盗船内存Version所代表使用的颗粒厂商(只适用DDR3.海盗船DDR2的颗粒是另一个版本)

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royalk  楼主| 发表于 2010-8-11 03:18 | 显示全部楼层

写在最后——厂商使用的内存颗粒是会改变的

以上扯了这么多,大家应该也能明白我的观点了,那就是,内存颗粒决定内存超频。但是最后,有一点我不得不说,那就是内存颗粒会随着时间而改变,某些老颗粒会停产,某些新颗粒又会出现。相同型号的内存所使用的颗粒也会随之改变,很可能上一批还是极品内存,下一批就会变得很一般。

这种颗粒的变化,在高中低端内存都有发生,而高端内存有频率的保障,用的始终是好颗粒,价格也一直居高不下。而中低端内存,也有可能在一段时间内会使用好颗粒,例如威刚的红色威龙使用尔必达BBSE颗粒,而在过一段时间,又换成D9KPT,现在也许是力晶的了,而过一段时间或许又换成和芝奇的大钢牙一样的无名颗粒。总之,中低端内存都会有一定的超频潜能,但是这种潜能会随着厂商对颗粒体质的了解而越来越小,他们会把稍微好的颗粒去标成更高端的型号,从而降低成本,和增加利润。

咱们再看更深入的例子:芝奇的F3-12800CL7D-4GBECO在早期(2010年初)时使用的是上等的力晶颗粒,可以在Intel平台运行在DDR3-2200 6-9-6,而后来我在四月份购买这个内存时,运行在DDR3-2000 6-9-6都无法稳定,现在这款内存也被玩家追捧得很高,但是更有说是上不了DDR3-2000的,体质越来越差。而我们知道,在年初的时候,并没有F3-16000CL6T-6GBPIS这个型号,而现在有了,因此可以说,芝奇是使用特挑的力晶颗粒能运行在DDR3-2000 CL6的去标成PI系列的高端内存,只要能运行在DDR3-1600 7-8-7的就可以标为ECO,所以ECO的体质自然就变差了。我找到了两张G.Skill Perfect Storm的拆解图。


这是老款的Perfect Storm,使用Elpida MNH-E Hyper颗粒



这是新款的Perfect Storm,用的是无名颗粒,应该和MachX的是同一个颗粒


我们知道尔必达hyper颗粒已经停产,因此芝奇这次换了新的颗粒,这个颗粒同样可以运行在DDR3-2133 CL9。因此这款高端内存虽然换了颗粒,但是体质得到了保障。但是,从之前的测试来看,这个新颗粒并不能在DDR3-1600下达成6-6-6-15,这就是它不如尔必达hyper的地方,所以,如果打算选购这款内存,而又想运行在低延迟的同学,就要注意这个区别了。

但是,一般来说厂商也不会频繁更换颗粒,因为这也会耗费他们测试的时间和人力。而一些厂商例如威刚在红色威龙这个型号就换过很多颗粒,海盗船的XMS3系列也类似。所以中端市场可能是换颗粒最频繁的。总的来说,内存市场鱼龙混杂,颗粒随时都在改变,而现在的内存又带有散热片,无法直接看到颗粒,所以在买内存之前最好能找到最近的测试作为参考,这样碰到换颗粒的几率就会大大降低。最后,祝大家都能买到自己满意的内存!

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凄寒 发表于 2010-8-11 07:29 | 显示全部楼层
NB的文章,NB的人,拜读了~
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