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关于IVB温度问题,下一步测试计划

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royalk  楼主| 发表于 2012-5-12 22:18 | 显示全部楼层
命运原点 发表于 2012-5-12 22:13
R大家加油啊,什么时候能有结果呢?

那得看液态金属什么时候到
heren3 发表于 2012-5-12 22:21 | 显示全部楼层
和一直以来看到的一样,晶体管是靠着基板那面的

所以我很希望在基板的散热上做点手脚
str007 发表于 2012-5-12 22:22 | 显示全部楼层
用事实说话,坐等结果
kinno 发表于 2012-5-12 22:37 | 显示全部楼层
蜗牛也是牛 发表于 2012-5-12 23:08 | 显示全部楼层
先标记,支持更新!
没人要你是 发表于 2012-5-12 23:53 发自PCEVA移动客户端 | 显示全部楼层
R大又要发力了!
迷雾森林 发表于 2012-5-13 00:28 | 显示全部楼层
支持R大的测试计划
pikhome 发表于 2012-5-13 01:14 | 显示全部楼层
日本鬼子弄虚作假卖广告而已,不管真相如何都达到了所需要的宣传效果,跟娱乐圈一个吊样,没点新意 pcwatch那种测试方式就如同R大的开盖测试中增加了一个步骤——横向切割散热器底座再涂上硅脂粘回去,打个比喻就是R大脱了裤子就拉稀,日本鬼子脱了裤子,然后又穿上,再拉稀
血牛嘎嘎 发表于 2012-5-13 07:29 | 显示全部楼层
补个720p的
http://115.com/file/anc3m2fo#
Coollaboratory_Liquid_Ultra_720p.7z
hiticeball 发表于 2012-5-13 08:48 | 显示全部楼层
支持R大的新测试,真想自己也试试
索命书生 发表于 2012-5-13 09:01 | 显示全部楼层
支持R总,第三点我很赞同
huilailewo 发表于 2012-5-13 09:09 | 显示全部楼层
本帖最后由 huilailewo 于 2012-5-13 09:16 编辑

顶r大再测;差20度也太离奇了,看上面大家都说了
1-系数82的神油跟普通硅脂的10内的不在1个数量级上;
2-82神油的涂抹有变相扩大芯片面积扩大热导出面积减小单位面积上热量的嫌疑;
3-压力,r大自己也说了,但如果是有铜均热底的散热器直触核芯怎么也不会比铜合金的顶盖还多1层硅脂的差,
  希望r大查1下intel文档看能否查到---粘合顶盖与基板时顶盖与核芯间的压力(压强);

4-有报导说“Intel还介绍了22nm工艺晶体管的一些情况,代号P1270的22nm将会制造两种不同的晶体管,一种称为“Quarter-leakage”,它的漏电流正常,速度最快,另一种则是速度中等但漏电流只有1/10的慢速晶体管。不同等级的CPU使用这两种晶体管的比例也不一样,最快的CPU中有70%快速晶体管和30%的慢速晶体管组成,其中一些特挑的芯片则有75%的快速晶体管以及25%的慢速晶体管。”

      那代号P1270外会不会有别的代号的芯片,怎么区分呢?
               要是75%用低漏电晶体管呢?

   
血牛嘎嘎 发表于 2012-5-13 09:13 | 显示全部楼层
huilailewo 发表于 2012-5-13 09:09
顶r大再测;差20度也太离奇了,看上面大家都说了
1-系数82的神油跟普通硅脂的10内的不在1个数量级上;
2-82 ...

用100%慢速的晶体管估计就死活加压也上不去5.0G了
huilailewo 发表于 2012-5-13 09:17 | 显示全部楼层
本帖最后由 huilailewo 于 2012-5-13 09:36 编辑
血牛嘎嘎 发表于 2012-5-13 09:13
用100%慢速的晶体管估计就死活加压也上不去5.0G了


改了,75%,那个低20度的测试好像没测超频
就拿100%的低漏电晶体管讨论也行吧,
纯属猜想:
以前也有用液氮降温频率能超上7G,如果换多点低漏电低频率的管子让发热降下来以适合散热器的现状,也不失为是个务实的办法,里外普通风冷主频都起步来了不如让温度低点。

这可能要多个批号的IVB对比测试了
血牛嘎嘎 发表于 2012-5-13 09:20 | 显示全部楼层
huilailewo 发表于 2012-5-13 09:17
改了,75%,那个低20度的测试好像没测超频

同学你不是根本没看原报道吧。。
4.6G 1.2V
huilailewo 发表于 2012-5-13 09:34 | 显示全部楼层
血牛嘎嘎 发表于 2012-5-13 09:20
同学你不是根本没看原报道吧。。
4.6G 1.2V

看漏了,不好意思
0.618 发表于 2012-5-13 09:42 | 显示全部楼层
开个低温ES版  看看里面用的是不是硅胶....
huilailewo 发表于 2012-5-13 10:14 | 显示全部楼层
日本人测的这个看来不是ES版,
r大能不能再搞来个零售版测1下呢,2个版本的数据
royalk  楼主| 发表于 2012-5-13 10:40 | 显示全部楼层
huilailewo 发表于 2012-5-13 10:14
日本人测的这个看来不是ES版,
r大能不能再搞来个零售版测1下呢,2个版本的数据 ...

没有区别的,都是E1步进,里面都是一样的硅脂
royalk  楼主| 发表于 2012-5-13 10:55 | 显示全部楼层
huilailewo 发表于 2012-5-13 09:09
顶r大再测;差20度也太离奇了,看上面大家都说了
1-系数82的神油跟普通硅脂的10内的不在1个数量级上;
2-82 ...

压力我只查到IHS到socket的,没啥用。
IHS到die的压力默认情况下我觉得封胶有一定厚度可能会充当缓冲的作用,现在我把封胶剃干净了,这样IHS边缘和PCB就会留出一定的间隙,IHS完全靠散热器和socket护盖固定,所有的压力都由die承受,这样对die的压力是会增大的,应该有利于更换硅脂后的散热改善,并且由于厚度变薄导热材料的影响也可能会减小。小日本垫了双面胶,厚度可能会比原来的封胶大,造成对导热材料敏感,这也是我的一个疑点。另外他们的原装硅脂测出温度偏高,我不知道是不是开盖后再原封不动盖回去测的,如果是这样的话,数据就坑爹了。

晶体管一代工艺两类漏电性质是应该有的,但是漏电少的部分我估计会优先做笔记本和服务器的CPU,台式机的应该还是继续用高漏电的为主。
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