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三星30nm金条简测

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1#
magicalz 发表于 2011-8-14 18:10 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
点击数:4114|回复数:8
既然测了就贴上来吧,给大家一个参考

我的是1129周,made in china
1.5V 1600 6 8 7 18可以进系统,但是过不了测试,一直放宽到1600 7 8 8才可以过MT 200%
这条子不吃电压,加到1.65v和1.5v没什么区别



1.6v 2000 8 9 9可以进系统但是也过不了测试,放宽到2000 8 10 9可以过MT 200%



稍微优化一下,tRFC降低点,电压减到1.55v也能过MT

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评分

参与人数 1活跃度 +25 收起 理由
royalk + 25

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2#
royalk 发表于 2011-8-14 18:11 | 只看该作者
可能跑高频就会吃电压了,不过我估计是没40nm的吃电压
但是体质貌似比40nm的稍微稳定一些,没那么多体质差异了
3#
ctq119 发表于 2011-8-14 18:19 | 只看该作者
LZ有空测下2133……
4#
magicalz  楼主| 发表于 2011-8-14 18:20 | 只看该作者
等有空的时候换到p67平台上再测试看看吧,现在我的p67平台拆散了懒得装起来。。。
5#
stoneh 发表于 2011-8-14 19:36 | 只看该作者
高频测试段的情况期待一下~
6#
nikkos 发表于 2011-8-15 01:59 | 只看该作者
7-8-8 1800都能点亮..
7#
情非首尔 发表于 2011-8-15 09:21 | 只看该作者
感谢分享
8#
magicalz  楼主| 发表于 2011-8-17 17:32 | 只看该作者
7-8-8 1800都能点亮..
nikkos 发表于 2011-8-15 01:59



是的,也许放宽tRAS和tRFC可以在保证过memtest的情况下让tRCD和tRP收的更紧一些吧,有时间再详细测试一遍
9#
boolzy 发表于 2011-8-17 17:41 | 只看该作者
等新周期的测试29 已经完了...
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