本帖最后由 neeyuese 于 2010-5-27 09:40 编辑
目前水区人多,现在这里开贴,等时机成熟会转移到SSD区。
就像标题说的,这个帖子里我们大家一起来理性分析,讨论思考关于目前SSD的一切。
希望大家一起把有用的技术资料,资料连接,测试成绩集合起来,共同完成这个帖子。
对于SSD相关的问题和回答我也会总结起来。
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NAND的几个参数,指标缩写:
SLC: Single-Level Cell
MLC: Multi-Level Cell
SB: Small Block=(512+16)Bytes/page
LB: Large Block=(2048+64)Bytes/page
DDP: Double Die Package
QDP: Quadruple Die Package
DSP: Double Stack Package
1P,2P,4P: Plane 与CE无关
举例SAMSUNG MLC---K9G4G08U0M为普通MLC,
K9L8G08U0M(DDP)为双片K9G4G08U0M组成
K9G4G08U0M为DDP,有4个Plane,1个CE,1个R/B,每个Plane由1024个Block和(2048+64)Byte page registers组成,一个Block有128个Page,每个Page有(2048+64)Byte,所以总容量为4*[1024*128*(2048+64)Byte+(2048+64)Byte]=8Gbit+256Mbit,MLC按page读,写(编程),按block删。内部Page寄存器大小与每个page的大小相同,以便于同步写.
K9L8G08U0M虽然由2个K9G4G08U0M die封装而成,但仅有一个CE和一个R/B,其控制芯片#1 #2读写是由内部的R/B(#1),R/B(#2)信号来实现,Interleaving(交叉存取)过程中,Host通过发送F1h来询问芯片#1的状态,发送F2h来询问chip #2的状态.
K9L8G08U0M(DDP) 由2个K9G4G08U0M芯片封装而成
K9HAG08U1M(QDP) 由2个K9L8G08U0M芯片封装而成,CE1和CE2分离,R/B1和R/B2分离。
K9MBG08U5M (DSP) 由4个K9L8G08U0M芯片封装(2片堆叠),CE1/CE2/CE3/CE4 ,R/B1 R/B2 R/B3 R/B4都是分离的。 |