近日在线上举办的三星Tech Day活动中，三星半导体介绍了他们在计算存储、V-NAND闪存、人工智能以及数据中心产品中的新进步。
计算存储：
三星SmartSSD在固态硬盘中加入了Xilinx FPGA计算引擎，使用计算存储技术在本地处理数据，从而释放主机内存带宽和I/O接口带宽，提高工作负载性能和系统效率。
简单来说，计算存储就是将一部分计算任务交给更靠近数据的SSD来完成，从而减少对CPU以及PCIe带宽资源的占用。
三星SmartSSD计算存储驱动器目前已经上市，它是业界首款可定制、可编程的计算存储平台，通过将计算推进到数据所在的位置，可为数据密集型应用增速10倍以上。
第7代V-NAND闪存：
三星在2013年宣布推出V-NAND 3D闪存，目前三星980PRO等固态硬盘使用的已是第6代V-NAND闪存。
在三星Tech Day活动上，三星展示了一款基于第7代V-NAND闪存的消费级固态硬盘。第七代V-NAND使用了2000MT/s闪存接口，可满足PCIe 4.0以及未来PCIe 5.0接口固态硬盘对传输带宽的需求。
第7代V-NAND还将扩展到数据中心级固态硬盘，能效表现相比第6代V-NAND提高16%。在此之后的第8代V-NAND则会拥有超过200层堆叠。从前面的V-NAND路线图来看，第8代V-NAND可能将首次采用string stack设计。
HBM-PIM助推人工智能和机器学习：
AI人工智能和ML机器学习需要处理海量数据，传统的HBM内存已经无法跟上该领域的创新速度。三星展示了采用PIM内存计算技术的HBM内存，可解决典型的CPU/GPU内存带宽瓶颈，提升AI/ML应用性能。
简单来说，PIM就是为内存加入计算能力，从而最大限度地减少数据在CPU和DRAM内存之间移动产生的额外开销，这在语音识别、自然语言处理等应用中特别有用。在今年的Hot Chips 33上三星还宣布计划推出面向显卡的GDDR6-PIM、面向移动/物联网计算的DDR5-PIM和LPDDR5-PIM内存计算产品。
数据中心解决方案：
三星在数据中心主题演讲中展示了全新E1.L规格128TB固态硬盘、以太网SSD（E-SSD）、ZNS分区命名空间SSD。
三星BM1733a使用了单die容量1Tb的3D QLC闪存，单个闪存颗粒封装32颗die，提供4TB存储容量。一块BM1733a中使用了32颗这样的闪存颗粒，实现128TB存储容量。
E-SSD是基于100GbE接口的以太网SSD，通过将存储接口整合到以太网交换机中，降低云服务提供商的TCO总拥有成本。
ZNS分区命名空间SSD可以在数据中心负载中更好地利用NAND闪存。ZNS以内需根据数据使用和访问频率进行分组，并按顺序存储在SSD的独立区域中，显著减少SSD的写入放大率并提高SSD使用寿命。
总的来说，计算存储、HBM-PIM和E-SSD、ZNS SSD都是企业级相关的存储技术，而第七代V-NAND闪存以及DDR5-PIM/LPDDR5-PIM有望应用在消费级产品当中。这些技术创新将在未来影响我们工作、生活和娱乐的方方面面。
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