英特尔加速:新工艺、新技术、新客户

英特尔今天在名为“加速”的线上活动中为大家带来了海量信息，不过很多玩家只抓住了其中一点：英特尔忍不住开始玩工艺改名了，增强型10nm SuperFin（10ESF）正式改名为7纳米。

新工艺：
14nm时代给大家看了太多次加号（改进增强版），英特尔表示以后没有加号了，将根据晶体管密度来定义等效的工艺名称。除了10ESF更名7nm之外，原本的7nm工艺同步更名为4纳米，将首次使用EUV光刻，每瓦性能提高20%。

新命名的7nm工艺已经进入量产阶段，第12代酷睿Alder Lake以及Sapphire Rapids服务器CPU就采用了该工艺。

新命名的4纳米将应用在预计明年第二季度流片的第14代酷睿Meteor Lake当中。

英特尔3纳米工艺（之前被称为7nm+）每瓦性能继续提升18%，预计2023年第二季度准备就绪。接下来在2024年的英特尔20A工艺（之前被称为5nm）将进入“埃”时代。埃是光波长度和分子直径的常用计量单位，符号：“Å”，1 Å=0.1纳米。20A的下一代是18A工艺，预计2025年问世。

英特尔10纳米工艺在晶体管密度上等同于台积电7纳米，更名同时也是顺应时代趋势：为半节点跳跃或改进变体赋予各自的新名称，而不是不断增加的加号。

新技术：
伴随新工艺的是新技术的应用。英特尔将在4纳米工艺中开始使用EUV光刻，并在3纳米工艺中增加EUV光刻的使用。

英特尔在EUV光刻的应用上较其竞争对手晚很多，不过英特尔表示将在2025年的18A工艺中采用“下一代EUV光刻”，即High-NA EUV。NA同光刻系统中EUV光束击中晶圆前的强度有关。当前的EUV系统中NA值为0.33，而High-NA将达到0.55，从而提高光刻精度。

Gate-All-Around 晶体管也是20A工艺新内容的一部分，英特尔将其称为RibbonFET。

英特尔还将继续推动3D芯片堆叠技术发展。Foveros Omni允许芯片分解，将多个顶级芯片瓦片与多个不同制造节点的基础芯片瓦片互连。Foveros Direct是Foveros Omni的补充，实现了亚 10 微米的凸点间距，为 3D 堆叠的互连密度提供一个数量级的增加。这两项技术都将在2023年准备就绪。

新客户：
作为IDM 2.0计划的一部分，英特尔将为更多客户提供芯片代工服务。英特尔宣布将和高通合作，以20A工艺为高通代工芯片。对于高通这样体量的客户，应该也是一个重大新闻了。