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英特尔加速:新工艺、新技术、新客户

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绝对有料 发表于 2021-7-27 15:01 | 显示全部楼层 |阅读模式
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英特尔今天在名为“加速”的线上活动中为大家带来了海量信息,不过很多玩家只抓住了其中一点:英特尔忍不住开始玩工艺改名了,增强型10nm SuperFin(10ESF)正式改名为7纳米。
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新工艺:
14nm时代给大家看了太多次加号(改进增强版),英特尔表示以后没有加号了,将根据晶体管密度来定义等效的工艺名称。除了10ESF更名7nm之外,原本的7nm工艺同步更名为4纳米,将首次使用EUV光刻,每瓦性能提高20%。

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新命名的7nm工艺已经进入量产阶段,第12代酷睿Alder Lake以及Sapphire Rapids服务器CPU就采用了该工艺。
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新命名的4纳米将应用在预计明年第二季度流片的第14代酷睿Meteor Lake当中。
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英特尔3纳米工艺(之前被称为7nm+)每瓦性能继续提升18%,预计2023年第二季度准备就绪。接下来在2024年的英特尔20A工艺(之前被称为5nm)将进入“埃”时代。埃是光波长度和分子直径的常用计量单位,符号:“Å”,1 Å=0.1纳米。20A的下一代是18A工艺,预计2025年问世。

英特尔10纳米工艺在晶体管密度上等同于台积电7纳米,更名同时也是顺应时代趋势:为半节点跳跃或改进变体赋予各自的新名称,而不是不断增加的加号。

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新技术:
伴随新工艺的是新技术的应用。英特尔将在4纳米工艺中开始使用EUV光刻,并在3纳米工艺中增加EUV光刻的使用。

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英特尔在EUV光刻的应用上较其竞争对手晚很多,不过英特尔表示将在2025年的18A工艺中采用“下一代EUV光刻”,即High-NA EUV。NA同光刻系统中EUV光束击中晶圆前的强度有关。当前的EUV系统中NA值为0.33,而High-NA将达到0.55,从而提高光刻精度。

Gate-All-Around 晶体管也是20A工艺新内容的一部分,英特尔将其称为RibbonFET。

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英特尔还将继续推动3D芯片堆叠技术发展。Foveros Omni允许芯片分解,将多个顶级芯片瓦片与多个不同制造节点的基础芯片瓦片互连。Foveros Direct是Foveros Omni的补充,实现了亚 10 微米的凸点间距,为 3D 堆叠的互连密度提供一个数量级的增加。这两项技术都将在2023年准备就绪。

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新客户:
作为IDM 2.0计划的一部分,英特尔将为更多客户提供芯片代工服务。英特尔宣布将和高通合作,以20A工艺为高通代工芯片。对于高通这样体量的客户,应该也是一个重大新闻了。

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