AMD的MCM GPU确认、三星200+层3D闪存

去年年底首次见诸于专利文件当中的AMD MCM多芯片模块GPU终于得到确认。

在AMD提交给Linux的内核补丁当中，提到该GPU拥有两个芯片，分别被称为主要和次要芯片。按照软件设计，主芯片将获取有效的功率数据，而次要芯片将和主芯片通信以分配功率平衡。补丁中还提到该GPU支持HBM2E显存，允许每个堆栈高达16GB的容量。

首个采用MCM设计的AMD GPU据信是为HPE Cray EX超算准备的Instinct MI200，基于CDNA2架构，预计在明年上市。

小编知道大家关心的问题：MCM或Chiplet设计会出现到下一代Navi 31和Navi 32 GPU当中吗？这个问题的确切答案目前还无人知晓。

三星宣布200+层堆叠的3D闪存：
日前三星公开讨论了未来第七代V-NAND和第八代V-NAND 3D闪存，其中第七代V-NAND最快于今年下半年进入到消费级固态硬盘产品当中（会是990PRO吗？）。其2000MT/s的闪存接口将能够满足PCIe 4.0以及下一代PCIe 5.0 SSD对读写带宽的需求。针对企业级应用，三星第七代V-NAND的电源效率比当前第六代产品提高了16%。

当前三星980PRO、980和870EVO使用的第六代V-NAND具备1xx层堆叠，第七代V-NAND有可能会采用176层设计。三星在文中还宣布已经研发出了可工作的第八代V-NAND闪存（原型），其具备200+层堆叠高度。

三星对3D闪存的未来表示乐观，目标瞄准超过1000层堆叠。