石墨烯技术助力100TB+硬盘：
日前包括新加波国立大学、美国阿贡实验室、印度CSIR先进材料和工艺研究所、英国剑桥和埃克斯特的跨国研究团队在Nature Communications上介绍了最新的研究成果。文中指出了制约机械硬盘容量进一步增长的一个因素：盘片上位区域减小，使磁极方向的信号强度降低，磁头需要降到距离盘片更低的高度上进行读写。
目前在磁头和盘片表面的碳涂层厚度大约为3nm，对应每平方英尺1Tb的磁记录密度（单个盘片容量约2TB，9盘片共18TB）。该研究团队尝试利用石墨烯技术将保护涂层厚度降低到1nm，由此应该能够实现每平方英尺10Tb的存储密度，这样在一块9盘片的机械硬盘中就可以存储高达180TB容量的数据。
HAMR（热辅助磁记录）是增加磁记录密度的一个新方向，通过激光将热量施加到特定盘片位置以写入数据，但由此产生的高温使得传统碳涂层的厚度不能低于4nm，保护涂层需要在高达700~800K（热力学温度，大约相当于427~527摄氏度）的环境下保持热稳定性。研究人员用1-4层化学气相沉积（CVD）生长的石墨烯涂层结合HAMR，发现石墨烯涂层可以满足对耐磨和热稳定性的需求。
小编评论：最近这一波Chia硬盘挖矿热潮应该又给机械硬盘厂商提供了不少利润，加紧研发更大容量的机械硬盘吧。
On-die ECC不能替代传统ECC纠错：
在DDR5内存的众多特性中，On-die ECC是一个非常吸引人关注的点。将On-die ECC列为标配的DDR5内存是否就不再需要ECC内存纠错功能了呢？
答案是否定的。On-die ECC无法保护端到端数据完整，它只能发现和纠正出现在内存单元中的数据错误。这个技术的初衷是为了在制程微缩后提高DRAM芯片良率。
而我们平时所说的ECC内存纠错，是在内存控制器上生成和验证ECC纠错信息，能够发现和纠正在数据移动路径上发生的比特翻转。
综上，服务器DDR5内存依然需要传统的ECC内存纠错技术：
简单来说，个人电脑上使用的Non-ECC UDIMM=8颗内置On-die ECC的DRAM颗粒， ECC UDIMM=8颗内置On-die ECC的DRAM颗粒 + 2颗用作ECC的DRAM颗粒。
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