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X-NAND:SLC的速度+QLC的容量

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绝对有料 发表于 2020-11-16 10:45 | 显示全部楼层 |阅读模式
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SLC速度快耐久度高但价格昂贵,QLC闪存速度慢不耐用但价格便宜容量大。NEO半导体在前不久的FMS2020闪存峰会上介绍了一种兼具SLC速度和QLC容量的新型闪存:X-NAND。
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NEO半导体于2012年成立于加利福尼亚州圣何塞,在存储器设计架构和单元结构方面拥有20项美国专利。下图右三为公司创始人兼首席执行官Andy Hsu,右五为联合创始人、工程副总裁Ray Tsay,他们二人都毕业于台湾省内大学,到美国深造并取得硕士学位。
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X-NAND概念首次提出是在2018年,是面向AI和5G新兴市场的存储解决方案。本次是NEO半导体首次全面深入地分享其细节。

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NEO半导体提供的数据显示,X-NAND的读取和写入延迟仅有传统QLC的30%和37%,读取和写入带宽则是传统QLC的27倍和14倍。X-NAND使用了16Plane设计(而不是常见的2Plane或4Plane),提供了更高的读写并行度,同时还缩小了芯片的体积。
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普通NAND闪存通常每个Plane拥有一个16KB页面缓冲区,而在X-NAND中每个平面具备1KB页面缓冲区,具有16个Plane。Plane的划分可以减少位线的长度,从而有助于提高性能。

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对于TLC和QLC固态硬盘来说,SLC缓存一旦用尽,写入速度就会明显下降。而X-NAND的一个显著优势是它允许同时进行SLC和QLC写入模式,为闪存提供了一种始终保持SLC性能的方式。

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X-NAND可以使用多个存储体同时进行SLC和QLC写入,从而保障SLC缓存永远不会满,同时可以用SLC速度将数据编程到QLC页面。这部分原理小编暂时也不是很明白,从下图来看可能是让最上方的红色Plane1作为SLC缓存,当需要释放为QLC形态时,Plane 2、Plane 3、Plane 4和Plane 5各自写入QLC单元四比特数据的中一个,从而实现SLC到QLC的全速写入。

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X-NAND是在传统NAND上的优化,所以制造工艺无需进行结构性更改,实现难度要比开发另一种3D XPoint闪存要容易得多。NEO半导体凭借X-NAND获得了本次FMS闪存峰会的“硬件架构最佳展示奖”。

McLaren 发表于 2020-11-16 13:53 | 显示全部楼层
QLC的速度是SLC的12%
固特异轮胎 发表于 2020-11-17 20:30 | 显示全部楼层
MLC:当我不存在?
tsammammb 发表于 2020-11-20 11:03 | 显示全部楼层
QLC的寿命也能稳定提升就好了
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