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芯片内水冷实现1700W/cm2散热能力

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绝对有料 发表于 2020-9-10 10:47 | 显示全部楼层 |阅读模式
点击数:1162|回复数:5
无论是风冷还是水冷散热,芯片内产生的热量都需要经过芯片-IHS顶盖-散热器底座这一环节,效率大打折扣。
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芯片内水冷是未来芯片散热方案的一个理想途径,不过让冷却液通道直接穿过芯片并不简单,实现过程中存在很多障碍。传统的方法是在芯片中添加具有微通道的层,通过水泵使冷却剂流过这些通道并吸收热量,这种方式比传统水冷更接近热源。
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瑞士洛桑联邦理工学院的研究人员最近提出了一种新的技术,利用氮化镓(GaN)切入下方的硅中,在蚀刻过程中通道被加宽,GaN层中的原始间隙被铜填充。在这些通道下设计有冷却剂管线,铜有助于将热量传导至冷却剂。

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研究人员在尝试多种设计方案后实现了1700瓦/平方厘米的散热能力,并将处理器的温度保持在60摄氏度以内。
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目前研究人员只是利用简单芯片进行测试,散热效果很好。但要将这项技术实际运用在CPU或GPU当中还需要将冷却和芯片设计结合在一起,使之重点照顾热量集中的区域,同时不会产生相互干扰。

hui19870321 发表于 2020-9-10 13:20 | 显示全部楼层
冷却剂不会腐蚀铜?
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红色狂想 发表于 2020-9-10 18:00 | 显示全部楼层
石墨烯常温超导钶芯片量产的时候,这项脑脊液散热技术也实用不了
武英仲 发表于 2020-9-10 23:09 | 显示全部楼层
好,下一代游戏手机的卖点有了:
芯片内液冷!
散热能力提高50倍!
wanfeng304 发表于 2020-9-11 09:13 | 显示全部楼层
CPU单核心效率有望突破6g?功耗也是个问题。归根到底还是要从工艺制程上下手。
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haierccc 发表于 2020-9-11 20:45 | 显示全部楼层
我的理解,是不是氮化镓在上,硅芯片在下,中间用某种方法“融合”在一起。
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