芯片内水冷实现1700W/cm2散热能力

无论是风冷还是水冷散热，芯片内产生的热量都需要经过芯片-IHS顶盖-散热器底座这一环节，效率大打折扣。

芯片内水冷是未来芯片散热方案的一个理想途径，不过让冷却液通道直接穿过芯片并不简单，实现过程中存在很多障碍。传统的方法是在芯片中添加具有微通道的层，通过水泵使冷却剂流过这些通道并吸收热量，这种方式比传统水冷更接近热源。

瑞士洛桑联邦理工学院的研究人员最近提出了一种新的技术，利用氮化镓（GaN）切入下方的硅中，在蚀刻过程中通道被加宽，GaN层中的原始间隙被铜填充。在这些通道下设计有冷却剂管线，铜有助于将热量传导至冷却剂。

研究人员在尝试多种设计方案后实现了1700瓦/平方厘米的散热能力，并将处理器的温度保持在60摄氏度以内。

目前研究人员只是利用简单芯片进行测试，散热效果很好。但要将这项技术实际运用在CPU或GPU当中还需要将冷却和芯片设计结合在一起，使之重点照顾热量集中的区域，同时不会产生相互干扰。

冷却剂不会腐蚀铜？

石墨烯常温超导钶芯片量产的时候，这项脑脊液散热技术也实用不了

好，下一代游戏手机的卖点有了：
芯片内液冷！
散热能力提高50倍！

CPU单核心效率有望突破6g?功耗也是个问题。归根到底还是要从工艺制程上下手。

我的理解，是不是氮化镓在上，硅芯片在下，中间用某种方法“融合”在一起。