日前一项2018年发起的专利诉讼再次引起大众的关注，诉讼双方分别是中科院微电子研究所和英特尔（以及英特尔的合作方戴尔、京东）。案中涉及的FinFET（鳍式场效晶体管）技术被广泛应用在英特尔的酷睿处理器当中。
最新的进展是7月28日国家知识产权局专利审查委员会对英特尔提出的201110240931.5号FinFET专利无效申请进行了口头听证。此前英特尔已经在中美两地多次对中科院微电子研究所的FinFET提起无效化申请，但无论在中国还是在美国都没能推翻该专利。
从业内人士的分析来看，英特尔很难绕过这项专利，最终可能会选择和中科院微电子研究所达成和解协议，以避免包括酷睿处理器在内的大量产品被禁售。
FinFET技术解决了晶体做薄后的漏电问题，使晶片内构从水平变成垂直。FinFET技术在2011年首次被英特尔用于制造22nm的第三代酷睿处理器，目前来看，至少在3nm工艺之前FinFET都将被继续广泛应用。
FinFET的发明者是中国科学院外籍院士、微电子微型化物理及可靠性物理研究学者胡正明教授，不过外界并不清楚胡正明教授手中是否握有相关的专利。2017年，韩国科学与技术学院也曾以侵犯FinFET专利为由，将三星、高通以及GlobalFoundries告上法庭，三星最终被判决赔偿4亿美元。
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