英睿达首个QLC闪存固态硬盘P1的继任者P2已经低调地出现在其官网上。作为入门款的NVMe固态硬盘，P2有很多不同寻常之处，首先是它只提供250GB和500GB两种容量（P1为500GB和1TB），这使得人们有理由怀疑它选择了在闪存上行复古之道：极有可能再次启用了3D TLC闪存。
英睿达P1使用了慧荣SM2263主控搭配64层堆叠的3D QLC闪存，对应英特尔型号为660p。2个月前，英特尔用96层堆叠的3D QLC更新了665p固态硬盘。但鉴于英特尔和美光已经在去年分手，英特尔660p的发展迭代模式不一定适用于英睿达P1。
美光曾有过闪存复古的历史，在入门级SATA固态硬盘BX系列中，BX200使用16nm平面TLC闪存，而之后的BX300则用回了MLC闪存（尽管是初代32层堆叠的）。美光在4月初宣布将在本季度内量产基于RG架构的下一代128层3D闪存，如果选择此时利用P2清理一部分当代96层堆叠3D TLC库存，倒也说的过去。
此外P2还有一个疑点，其250GB型号的标称顺序写入速度比500GB型号更快，这一反常现象可能预示着250GB使用与500GB不同的闪存类型。在同一型号不同容量产品中混用不同die容量甚至是不同制程闪存是比较常见的，但如果混用TLC/QLC两种类型闪存就很罕见了。
英睿达P2的两种容量均提供150TBW耐久度，保修5年。美光暂时没有提供P2的主控、闪存以及随机读写性能指标。Tom’s Hardware认为美光可能在英睿达P2中换用了群联的主控，这一点是存疑的：一方面美光没有使用群联方案的传统，另一方面群联现在提供的PCIe 3.0 x4接口NVMe主控方案中也没有与标称性能类似并使用板载DRAM缓存的对应型号。
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