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铠侠宣布BiCS5闪存:112层堆叠

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绝对有料 发表于 2020-2-3 12:10 | 显示全部楼层 |阅读模式
点击数:1032|回复数:4
近日铠侠(原东芝存储)宣布了第五代BiCS 3D闪存,将在今年第一季度内向合作伙伴提供样品。新闪存将使用112层堆叠技术,而非之前传言中的128层。
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112层堆叠的BiCS5将取代2018年问世的96层堆叠BiCS4,成为铠侠/西数的新一代3D闪存产品。BiCS4的96层堆叠由2x 48层Stack组成,而同时期的三星V-NAND V5采用单Stack 9X层堆叠。

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不再成“整数”的堆叠层数意味着铠侠可能已经解决了100+层堆叠带来的顶部与底部通孔直径变化过大、影响稳定性的问题,通过单stack设计进一步优化制造成本。

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根据铠侠提供的信息,BiCS5首发的依然是3D TLC闪存(512Gb die),更大容量的1Tb TLC die以及1.33Tb QLC die将在晚些时候提供。虽然容量没有变化,但更高堆叠层数可帮助缩小芯片尺寸(存储密度提高20%),降低每GB容量的制造成本。同时铠侠还表示BiCS5将带来50%的闪存接口提速(800MT/s->1200MT/s),这将带来更低的存取延迟以及更高的数据吞吐带宽,在PCIE 4.0时代为固态硬盘提供更为充沛的动力。

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mikuluka 发表于 2020-2-10 21:30 | 显示全部楼层
目前期待基于BiCS4的RD500 2TB的型号,基于BiCS5颗粒的产品如果性价比够高的QLC感觉跟英特尔660p/665p2T掰下手腕了,之前自己常用的几块NVME测试下来发现东芝竟然是目前性能和温度平衡做的最好的厂家,,SN750 512 1T还有PM981/981A 97EP温度和缓外速度RD500竟然最平衡,不过也期待英特尔的非傲腾颗粒下的中高端NVME760p 1T停产太久了,,,
zhangboyang 发表于 2020-2-11 22:08 | 显示全部楼层
mikuluka 发表于 2020-2-10 21:30
目前期待基于BiCS4的RD500 2TB的型号,基于BiCS5颗粒的产品如果性价比够高的QLC感觉跟英特尔660p/665p2T掰下 ...

Intel是不是打算普通民用市场只做660P/665P,760p和545s都迟迟没有下一代

mikuluka 发表于 2020-2-12 08:58 | 显示全部楼层
zhangboyang 发表于 2020-2-11 22:08
Intel是不是打算普通民用市场只做660P/665P,760p和545s都迟迟没有下一代

感觉可能也是制程都怼到1XNM了 英特尔从CPU到NAND都产能不足闹的,不然不科学的例如JD的760p至今1TB版本没货665p还没有国行 660p也小涨,期待有下一代被905成本太贵之前买了块905最好发现普通NVME也够我用果断1.5T出了换了小10T的普通NVME 760p660psn750 rd1000
zhangboyang 发表于 2020-2-12 11:22 | 显示全部楼层
mikuluka 发表于 2020-2-12 08:58
感觉可能也是制程都怼到1XNM了 英特尔从CPU到NAND都产能不足闹的,不然不科学的例如JD的760p至今1TB版本 ...

同容量665p好像性能还不如660p,傲腾,我感觉还最好是加速作用吧,顺读跟普通nvme固态差不多,主要还是4K的读取优势,普通的使用环境iops没那么高,也就体现不出来优势

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