英特尔今日正式发布了665p固态硬盘，这是继660p之后的第二款QLC闪存NVMe固态硬盘，使用96层3D NAND闪存。
Intel 665p沿用了慧荣SM2263EN主控，在升级闪存的同时，性能和耐用度均有一定提升。特别是官标写入耐久度相比660p提高50%。
根据英特尔公开的信息显示，Intel 665p将使用动态SLC缓存策略：在盘内空间使用率在50%或更低时，Intel 665p 1TB将拥有140GB的缓存，2TB版本拥有280GB的缓存（占用部分未使用的用户容量空间）。在盘内空间使用率达到75%之后，SLC缓存的容量将降至保底的12GB或24GB（来自OP预留容量）。
不过QLC闪存在SLC缓存用尽之后的写入性能依然不够理想，Intel 665p 1TB的缓存外顺序写入速度仅有100MB/s。由于96层3D QLC闪存产能的原因，Intel 665p上市初期仅提供1TB版本，2TB型号将在2020年第一季度上市。
由于英特尔已经结束与美光在闪存研发方面的合作关系，明年问世的144层3D闪存将由英特尔独自研发，目前的消息是只会有3D QLC一种形态。
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