沉寂许久之后，英特尔在内存与存储日活动爆出大量猛料，其中既有企业级高端傲腾内存产品，也有大众关心的下一代3D NAND闪存路线图。
首先来看采用3D XPoint黑科技闪存的傲腾产品阵容。代号为Barlow Pass的傲腾DC持久内存将在明年随新一代Xeon至强可扩展处理器一同上市，这种傲腾内存模块使用DDR4内存插槽，需配合英特尔特定服务器平台搭配使用，未来可能会扩展到工作站平台。
代号Alder Stream的下一代傲腾DC固态硬盘将提供比当前傲腾DC P4800X更强的IOPS指标，以及更低的读取延迟表现。下图是70%读取30%写入的混合随机读写测试，几乎平直的IO延迟曲线正是高性能存储应用梦寐以求的，无疑能够代替一部分过去只能使用DRAM内存的应用。
遗憾的是消费级的傲腾内存产品线并没有更新，英特尔宣传的依然是早先的Optane Memroy H10二合一固态硬盘（3D XPoint+3D QLC）。Optane SSD 815P和Optane Memroy M15已经被取消，前者是因为118GB的容量在当代太小而显得鸡肋，后者是因为配备机械硬盘的电脑越来越少，M15没有了加速的对象……
其实通过英特尔的宣传图可以看到，目前3D XPoint闪存依然是第一代两层堆叠技术。在同美光在闪存合作方面分家后，英特尔3D XPoint闪存暂时还需要依赖美光的工厂来提供。
相比3D Xpoint，3D NAND闪存研发方面英特尔的进展要顺利的多。明年上市的第四代3D闪存已经确定将使用144层堆叠技术，并且同96层堆叠时代不同的是QLC闪存将成为首发产品。
英特尔还讨论了PLC（5bit per cell）的可行性。当然，这种技术目前还停留在理论可行性研究阶段，并没有量产的时间表。
在同美光分道扬镳之后，英特尔的第四代3D闪存会继续沿用Floating Gate浮栅结构，英特尔表示这种结构在数据保存期上较Charge Trap结构更有优势。
当然，每种技术通常都是具有两面性的，电荷捕获层是绝缘体，可以使用更薄的隧道氧化层实现更快的写入速度和更低的擦除电压，同时减少相邻单元间的电容耦合，提高性能和可扩展性。英特尔将是明年唯一采用浮栅结构的闪存制造商，其他厂商都使用Charge Trap电荷捕获结构。
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