今天英特尔宣布了第二代QLC闪存固态硬盘665p，在沿用慧荣SM2263主控的基础上更新了96层堆叠的QLC闪存，预计会带来比660p更高的性价比表现。
Intel 665p所用的96层堆叠QLC闪存在保持单芯片容量不变的情况下缩小了芯片尺寸，从而能够在相同的晶圆上制造出更多的芯片。此外665p还有一些小变化，譬如在SM2263主控右下角增加了Intel的Logo，不过SMI的商标依然位于最显眼的位置。
英特尔在内存与存储日活动现场向公众展示了Intel 660p与Intel 665p的性能对照。首先是当代Intel 660p 1TB：
对比可以看到，Intel 665p 1TB的顺序读写带宽提升40-50%，随机存取IOPS提升大约30%，随机读写延迟上也有不小的进步：
在内存与存储日活动上，英特尔还介绍了下一代144层堆叠3D堆叠闪存，它将于2020年问世。特别值得一提的是，英特尔会首先推出QLC版本的第四代3D闪存，TLC版本则会稍晚一些。
第四代3D闪存将是英特尔和美光在闪存领域合作关系破裂之后，由英特尔自行设计的第一代闪存技术。之前有消息称美光已经决定在下一代3D闪存中转向使用Charge Trap电荷捕获结构，英特尔将成为唯一一家继续在3D闪存当中采用Floating Gate浮栅结构的厂商。
|
收藏
转播
