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明年SSD什么样?100层3D闪存展望

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绝对有料 发表于 2019-8-6 22:03 | 显示全部楼层 |阅读模式
点击数:707|回复数:3
本月初,东芝宣布了RD500/RC500 NVMe固态硬盘,标志着东芝96层堆叠BiCS4闪存在消费级SSD中进入实用状态。96层3D闪存方兴未艾,下一代的更先进技术已经开始浮现。
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今天我们将要讨论的是超过100层堆叠的下一代3D闪存,包括三星120层级V-NAND V6、东芝128层BiCS5以及SK Hynix 128层的所谓“4D-NAND”。

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东芝存储的BiCS5拥有96层的堆叠高度,它在结构上是由两个tier堆砌而来,每个tier都是一个48层堆叠的闪存阵列。

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TLC类型的BiCS5可提供7.8Gb/mm2的存储密度,相比96层BiCS4提升32%。QLC类型的BiCS5暂时还没有确定,不过应该会比创造1.33Tb/die容量记录的BiCS4 QLC更上一层楼。
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三星继续缺席本年度FMS闪存峰会,但也赶在同时宣布了V-NAND V6以示重视(同时也给自己省下一大笔赞助费)。虽然从存储密度来看,120层级别(实际可能在11X层)的它尚不及东芝96层产品容量密度大,但三星使用的是单体结构,整个大楼拔地而起,没有单独的分段,所以在制造成本上相对更有优势。当然,三星这样做也承受了很高的减薄压力:避免顶部与底部通孔直径变化过大引发可靠性问题。
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此外,输掉容量优势的三星在性能方面找到了自己的闪光点:虽然东芝三星同属Toggle技术阵营,但三星的闪存接口带宽更高。这意味着三星拥有更低的读取延迟,同时还有机会在主控中使用更少的闪存通道数量,来达到与东芝相近的顺序读取速度。不过东芝的写入速度将在BiCS5迎来一次突破,并实现对三星的反超。

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预计到明年下半年,世界主要闪存制造商都将进入到12X层级别的堆叠高度。顺带提一下国内的长江存储,它们的目标是在今年年底实现64层3D闪存的量产,并跳过96层工艺节点,直冲128层堆叠,争取与其他闪存原厂齐头并进。
丶季沫 发表于 2019-8-7 00:55 | 显示全部楼层
所以固态长期还是降价咯。
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ljz6600 发表于 2019-8-8 15:31 | 显示全部楼层
明年底价格战? 明年底笔记本最低配512G SSD?
红色狂想 发表于 2019-8-13 22:18 | 显示全部楼层
4T只要1000出头儿的SSD大姐姐仓库盘我已经等不及了……
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