一年一度的FMS闪存峰会开幕在即,东芝存储正式宣布推出XL-FLASH低延迟闪存,瞄准DRAM内存与普通NAND闪存之间的空白。
XL-FLASH并没有像英特尔/美光的3D XPoint那样直接跳出传统NAND闪存框架,而是在NAND结构的基础上加以改进,成功将当前3D TLC闪存的读取延迟降低10倍。由于采用SLC结构,XL-FLASH的写入效能也将远高于目前常用的3D TLC闪存。
由于采用了成熟的NAND结构,XL-FLASH依然可以通过3D堆叠的形式来控制成本,兼具偏近内存的低延迟特性和断电后不丢失数据的特点,为数据中心以及企业级存储提供数据分层、内存扩展功能。
XL-FLASH并非简单的3D SLC,它还在结构上进行了革新。譬如采用4KB而非16KB作为Page页容量,获得更低读写延迟及随机效能;采用16-Plane而非常见的2-Plane结构,增强并发读写效能。
第一代东芝XL-FLASH将具备128Gb的单Die容量,并可采取2die、4die或8die封装以取得单个32GB、64GB或128GB的闪存颗粒。XL-FLASH的存储密度相比当代96层堆叠3D TLC低一半左右,但与国产长江存储32层堆叠3D TLC持平。
不同于英特尔/美光的3D XPoint以及三星的Z-NAND,东芝存储的XL-FLASH不会采取封闭生态,而是选择同时对外销售。这意味着其他存储厂商也可以推出采用XL-FLASH闪存的固态硬盘或是NVDIMM类产品。前不久Marvell推出的新一代PCIe 4.0主控88SS1321已经宣布了对XL-FLASH的率先支持。相信随着更多厂商的加入,傲腾类高端SSD的价格将更加亲民。
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