美光在最近一个季度的收入相比去年同期降低了39%,但仍然获得8.4亿美元利润,超过了外界预期。NAND闪存业务贡献了美光收入总额的31%,美光正计划进一步削减闪存产量,把NAND晶圆产出降低10%。
除了控制产量减缓产能过剩之外,美光还在研发其第四代3D闪存技术。这是美光与英特尔结束合作之后首次独立研发的新闪存结构,将采用128层堆叠技术,并带来一次激进的架构变革。
在前三代3D NAND闪存产品中,美光一直没有使用业界主流的Charge Trap电荷陷阱结构,而是沿用2D平面闪存时代的Floating Gate(FG)浮动门原理。而第四代产品中用来替代FG的是名为Replacement Gate(RG)替代门的新结构,PCEVA小编目前还没有发现有其他公司采用该技术,它有可能是Charge Trap电荷陷阱结构与CuA工艺的结合。
美光承诺第四代3D NAND闪存将比96层闪存写入速度提高30%以上,当然同时还会带来更低的制造成本以提升价格竞争力。
至于不赚钱的3D XPoint黑科技闪存,美光这次避开了讨论它。目前3D XPoint闪存的唯一客户是英特尔的傲腾系列,但由于价格的原因,傲腾的销量并没有达到预期水平。美光对此也多次表达了不满,但同时自己也拿不出更好的3D XPoint闪存应用方案来。
另一方面,美光近期宣布部分恢复对华为的出货。最早积极响应禁运的美光做出此举相信也是受到了销售压力的影响。截至5月30日,华为智能手机在今年已经卖出1亿台,对于美光是一个无法忽视的存在。
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