傲腾对手来了，三星量产eMRAM

Atom · 发表于 2019-3-7 16:55

三星在昨日宣布正式量产首款商用的eMRAM（嵌入式磁随机存取存储器），采用三星的28FDS（28nm FD-SOI，耗尽型绝缘层上硅）工艺制造。作为常用的eFlash闪存技术的发展到了瓶颈期，这种基于电荷存储方式的存储器已经面临了很多挑战。而eMRAM作为基于电阻的存储方式在非易失性，随机访问等方面拥有比eFlash更好的表现。

eMRAM利用磁致电阻的变化表示二进制0或1，通过测量一个存储单元的电阻来实现读取操作。这种芯片拥有SRAM的高速读取能力和DRAM的高集成度。同时由于其特殊的存储方式，所以也拥有非常高的P/E次数。可谓未来最好的存储芯片选择。三星宣称他们基于28FDS工艺的eMRAM技术能提供更低的成本和功耗，在写入速度上也更具优势。其物理特性决定在写入数据前不需要擦除周期，写入速度比现在的eFlash快1000倍。eMRAM在工作时电压比eFlash更低，所以功耗更低。

三星能将eMRAM的成本控制得较低的原因是这次他们可以轻松地与现有逻辑芯片制造工艺进行集成，仅需要在流程工艺后端添加少量的几个层即可完成制造。通过这种模块化的设计既可以享受现有制造工艺带来的低成本优势，又可以享受到新技术带来的性能提升。

三星宣布将在今年扩大其高密度非易失性存储器解决方案的选择范围，包括在今年推出1Gb的eMRAM的测试芯片。而在此之前，Intel也在不久前宣布他们也已做好eMRAM芯片的大批量生产的准备。随着存储器大厂逐渐开始量产eMRAM芯片，不久后我们将能够用上这种低功耗高性能的存储芯片。

这货成本低，性能强。看来NAND要走到头了。说不定会把3DXP也给淘汰了

kingyesx1 · 发表于 2019-3-7 19:16

淘汰谁不好説。eMRAM出来，价格便宜了，3DXP肯定也会降价啊。
谁会走得更远，看怎么运营吧。用于哪方面、价格、软件、硬件的支持等。
不过我个人认为想走得远，主要还是看用户普及程度吧。

440BX · 发表于 2019-3-7 20:06

主要看成本。希望双方杀价

nazca001 · 发表于 2019-3-7 20:31

高于1000不想入坑，价格才是关键。

FlankerWang · 发表于 2019-3-7 21:36

本帖最后由 FlankerWang 于 2019-3-8 10:22 编辑

密度比dram还低的东西，至少目前的对手根本就不是nand/optane

xaaaaaaaaaaaaaa · 发表于 2019-3-7 21:55

前阵子说intel也搞了个磁阻存储芯片呀

NuclearBomb · 发表于 2019-3-7 22:05

容量密度太低了

xdd6622 · 发表于 2019-3-7 22:11

功耗低，无损耗，密度低点没关系，可以堆在一起提高容量

kingyesx1 · 发表于 2019-3-7 22:31

成本是一个因素，软硬件的支持也是一个重点。
举个例子：国产CPU
国产的价格相对I和A来説肯定是便宜很多了。性能方面我没了解过，所以性价比也不好説。
而且个人感觉国家在这方面的宣传也不够，CPU相关的信息也少，平民想买，肯定会先找相关的信息参考一下
网上新闻有的也只是一些理论数据（猜的，不知道是不是理论数据），没相关软件测试的参考信息，也不知道是不是兼容问题。反正就没见过相关测试的信息。
个人认为，如果将信息守着藏着，不如将信息公开，开放给市场，只要价格合适，买的人应该还是不少的。就像ARM之类的CPU一样，性能和桌面CPU无法比，但在其他方面却有很大的市场。有市场才会有资金对吧？

FlankerWang · 发表于 2019-3-8 10:16

本帖最后由 FlankerWang 于 2019-3-8 10:20 编辑

xdd6622 发表于 2019-3-7 22:11
功耗低，无损耗，密度低点没关系，可以堆在一起提高容量

NAND现在一般256-512Gb/die，MRAM是1Gb/芯片...还是先赶上DRAM的容量水平吧

eterfinity · 发表于 2019-3-8 11:44

这个东西据说可以做成电解电容那样的棒状, 很适合国产化 , 因为咱们国家稀土多可以做成棒状多用点原材料

string · 发表于 2019-3-8 15:51

三星这个是做嵌入式应用的，跟3DXP面向的完全不是一个层次的应用

Atom · 发表于 2019-3-8 15:53

FlankerWang 发表于 2019-3-7 21:36
密度比dram还低的东西，至少目前的对手根本就不是nand/optane

成本低，不知道这个成本是不是每GB的成本

Atom · 发表于 2019-3-8 15:54

eterfinity 发表于 2019-3-8 11:44
这个东西据说可以做成电解电容那样的棒状, 很适合国产化 , 因为咱们国家稀土多可以做成棒状多用点原材料 ...

这个可以有

string · 发表于 2019-3-8 15:55

Atom 发表于 2019-3-8 15:53
成本低，不知道这个成本是不是每GB的成本

那是在跟SRAM比成本，先从MB说起吧，指不定现在有没有超过1GB的

Atom · 发表于 2019-3-8 15:55

string 发表于 2019-3-8 15:51
三星这个是做嵌入式应用的，跟3DXP面向的完全不是一个层次的应用

嵌入式应用，这个确实适合

eterfinity · 发表于 2019-3-8 16:10

Atom 发表于 2019-3-8 15:54
这个可以有

是啊减少引脚做成棒状可以弄一排密集的立在内存板上散热也好
多用点稀土而已靠价格把市场从8国联军手里抢回来.

tualatin · 发表于 2019-3-8 19:22

这个是用来替代nor flash的吧？

Atom · 发表于 2019-3-9 22:48

string 发表于 2019-3-8 15:55
那是在跟SRAM比成本，先从MB说起吧，指不定现在有没有超过1GB的

SRAM，好吧那么速度更快也是和SRAM比较？

FlankerWang · 发表于 2019-3-10 19:33

本帖最后由 FlankerWang 于 2019-3-10 19:35 编辑

Atom 发表于 2019-3-8 15:53
成本低，不知道这个成本是不是每GB的成本

看前两段，对比对象是eFlash

eFlash现在的工艺还是40/55nm水平的

傲腾对手来了，三星量产eMRAM

本帖子中包含更多资源