美光又一次成为推广闪存新技术的急先锋:继C200存储卡首次用上96层3D QLC闪存之后,SATA固态硬盘产品线也获得更新:1300系列用上了96层堆叠3D TLC闪存。
与当前在售的1100系列(使用初代32层3D TLC闪存)相比,美光1300系列保持了最高2TB容量不变,在相同的主控下通过固件调整实现了性能的微增。
96层堆叠技术还对闪存的耐久度产生了积极的影响,美光1300的TBW写入量指标相比1100系列也有了一定的提高。通过参数表还能发现,随着3D闪存存储密度的提升,小容量固态硬盘更易受到读写并发度降低的影响,要实现全性能发挥至少需要选择512GB或更高容量的型号。
根据美光公开的信息显示,96层闪存使用了两个48层闪存进行二次堆叠,令堆叠层数翻倍,单Die容量512Gb。
而应用在C200存储卡上的96层3D QLC闪存单die容量更是达到了1Tb(128GB),虽然不敌东芝BiCS4的1.33Tb水平,但却更早进入到实际应用当中。
通过将8个96层3D QLC闪存die封装到一起,美光已经制造出了最高1TB容量的microSD存储卡。不过目前美光还没有将新的96层3D QLC闪存应用到固态硬盘当中,已经问世的3D QLC闪存固态硬盘均为64层堆叠工艺。
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