存储和计算一直是分不开的两个方面,闪存的发明和应用让电脑、手机、数码设备的性能迎来了突飞猛进的发展。而逐渐完善中的MRAM存储介质有或将给手机性能与电池续航时间带来新的突破。
目前CPU中的L1、L2缓存使用的都是SRAM,特点是速度快、成本高、容量小。MRAM磁阻式随机存取内存容量比SRAM大的多,速度上也与SRAM比较接近:远快于普通DRAM内存。
作为MRAM技术的主要推动者,Spin Memory公司最近宣布和ARM达成合作协议,ARM将在未来的新架构中尝试使用MRAM取代SRAM,从而使CPU拥有更大的缓存容量和更低的运行功率。
目前MRAM已有16MB容量的成品问世,预计到2019年能够将最大容量扩展至128MB,用MRAM取代SRAM后,大容量缓存可有力推动CPU效能的提升。不过主要挑战来自于MRAM的耐久度能否满足CPU缓存数据的高速反复读写:有可能再过几年CPU就不再是耐用品咯,不过这对手机用户来说应该不是个问题?
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