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[内存] 海力士迈向4000的一步,DDR4 CJR "C-Die"

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547737657 发表于 2018-11-4 00:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
点击数:5549|回复数:27
本帖最后由 547737657 于 2018-11-7 18:08 编辑

原文:Hynix 8Gbit DDR4 CJR "C-Die" (H5AN8G8NCJR)

在这,您可畅所欲言有关Hynix 8Gbit DDR4 CJR的超频经历
我将从结果中筛选有用的数据。


图中RAW CARD B1,是一款双面2Rank内存
————————————————————————————————————————————————————————————————

F.A.Q.
Q:什么是CJR
ACJRHynix C-Die,继MFRAFR之后的第三代8Gbit产品。可在产品页面与PDF数据表中找到:
            Produktseite: H5AN8G8NCJR SK Hynix
            Datenblatt: computing_DDR4_H5AN8G4(8_6)NCJR(Rev1.3).pdf
Q:上哪儿找CJR
A:目前,还没有全面的信息。然而,自2018年第二季度以来,制造商就陆续使用此颗粒。已知芝奇Sniper X DDR4-3600 C19或金士顿Hyper X的一些型号,如DDR4-3200 C16。此外,还有原厂Hynix
Hynix
HMA851U6CJR6N-VK | 4GB DDR4-2666 19-19-19 1.20V | 1Rx16 | Preisvergleich
HMA851U6CJR6N-VKN0 | 4GB DDR4-2666 19-19-19 1.20V | 1Rx16 | Preisvergleich
HMA81GU6CJR8N-UH | 8GB DDR4-2400 17-17-17 1.20V | 1Rx8 | not listed
HMA81GU6CJR8N-UHN0 | 8GB DDR4-2400 17-17-17 1.20V | 1Rx8 | not listed
HMA81GU6CJR8N-VK | 8GB DDR4-2666 19-19-19 1.20V | 1Rx8 | not listed
HMA81GU6CJR8N-VKN0 | 8GB DDR4-2666 19-19-19 1.20V | 1Rx8 | not listed
HMA81GU7CJR8N-VK (ECC) | 8GB DDR4-2666 19-19-19 1.20V | 1Rx8 | not listed
HMA82Gu6CJR8N-VKN0 | 16GB DDR4-2666 19-19-19 1.20V | 2Rx8 | not listed
HMA82GU6CJR8N-VK (ECC) | 16GB DDR4-2666 19-19-19 1.20V | 2Rx8 | not listed

通用 Hynix Speed Bins:

-UH        DDR4-2400 17-17-17
-VK        DDR4-2666 19-19-19
-WM        DDR4-2933 21-21-21
-XN        DDR4-3200 22-22-22
之前已知 Hynix CJR 零售套装 / 目前已知 Hynix CJR 零售清单

请打开原帖查阅

Q:能否期待原厂Hynix内存条或零售CJR颗粒的超频潜力?
A:当然,实际上原厂Hynix内存条体质参差不齐

首发的零售套装的测试证实了这一非凡的超频潜力:

            G.Skill SniperX F4-3600C19D-16GSXW - Hands-on Overclocking @ Jagat OC
            DDR4-4000 18-22-22-42 1.40V
            DDR4-4500 19-25-25-45 1.45V



Q:CJR超频时的表现如何?
A:基于Reous他的F4-3600C19D-16GSXJW首次进行的测试,如下所示:
  • CL:Vdimm影响很小(+/-1)
  • tRCD/tRP:某些频率墙,与Vdimm无关
  • 首时序:CL(n) / tRCD (n+2|3) / tRP (n+2|3|4),更高频率取决于Vdimm,需要对tRCD/tRP进行更大的偏移。
  • 指令比率:好的体质,即使高频仍可在AM4平台达成1T。
  • 高频时对温度敏感,注意散热。

注意:12.1之前的较早版本的Thaiphoon Burner误将IC识别为Hynix 8Gbit MFR(“M-Die”)。
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Show Time:

室温:22℃
主板:Z170 OCF P7.40
电压:SA 1.240v,IO 1.224v,VDRAM 1.464v


Ultimate Tweak


tRCD如上文所述,频率越高,越松;电压越高越紧。
tRFC 比较糟糕,3600频率 448勉强开机,4000频率490才跑稳MT。
效能相比友商低133-166MHz,延迟在39-40ns徘徊。
相比nanya吃压,1.35搞不定的事,+0.1v迎刃而解。然而这对1.48v截止,再加压无效,容易报错。4000 tCWL必须15,否则无法POST,tCL (n-1?),后续将加入多对测试,以及验证极限Tweak小参对效能的影响
(*本人不懂德文,以上内容结合机翻翻译。如有翻译错误/不适之处请务必及时告知,感谢
————————————————————————————————————————————————————————————————
实物图细节:(点击查看大图)


RAW CARD A1,颗粒分布均匀,右侧印有SC 8GB字样,马甲与颗粒未充分接触




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the7spy 发表于 2018-11-4 10:29 | 显示全部楼层
正好手里的金士顿HyperX Predator DDR4 3333套条(8G *2)就是这个海力士的CJR颗粒。
超频能力确实出乎意料之外,特别在我这一代锐龙R5 1500X + X370这样对内存极不友好的平台上,上3600很轻松(SOC 1.1V,DRAM1.36V)。但是过MT100%就需要降回到3466并且放开一些小参,这个我估计是15X的IMC太孱弱的原因,毕竟我用DRAM-Calculator-for-Ryzen-1.4.0.1优化小参的时候只要超过3466软件就会提示已经到达ZEN一代的极限。

总的来说与比较优秀的Bdie条子相比,时序上有些劣势,但是频率上毫不逊色(起码在我这套A平台上是如此)。
另外上面提到吃电压,但是从我自己的经历来看,1.35V就能到3600,再高似乎也没让内存在这个频率上变得更稳定,当然这个锅可能是1500X的IMC来背。




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547737657  楼主| 发表于 2018-11-4 11:24 | 显示全部楼层
本帖最后由 547737657 于 2018-11-4 13:12 编辑
the7spy 发表于 2018-11-4 10:29
正好手里的金士顿HyperX Predator DDR4 3333套条(8G *2)就是这个海力士的CJR颗粒。
超频能力确实出乎意料之 ...

你可参照对方的ODT设置电阻,或许有惊喜
https://www.chiphell.com/thread-1913592-1-1.html

吃压相比nanya A die得出的,后者1.4v以内,1.35v勉强走个4000C18。
此外,hardwareluxx/RTC的晒图可能筛选过体质,本人同频3600时序甚至不如Ryzen平台,tRAS,tFAW,tWTR s无法参照;tRFC基本等同。
总而言之,7代IMC优于Ryzen 200MHz左右,今日尝试4133C16开机,尝试10次,BIOS 2次,Win徽标蓝屏 1次,其余7次以失败告终。

the7spy 发表于 2018-11-4 20:50 | 显示全部楼层
547737657 发表于 2018-11-4 11:24
你可参照对方的ODT设置电阻,或许有惊喜
https://www.chiphell.com/thread-1913592-1-1.html

感谢,CHH的这个帖子写的很详细,有空我再折腾一下这套内存看看能不能稳住3600。
SF2281 发表于 2018-11-4 22:35 | 显示全部楼层
hy也能上4000?不错不错
来自苹果客户端来自苹果客户端
547737657  楼主| 发表于 2018-11-5 12:42 | 显示全部楼层
SF2281 发表于 2018-11-4 22:35
hy也能上4000?不错不错

嗯,海力士在于颗粒本身的进步,三星C die估计BIOS对A2 RAW CARD优化的结果。后者4133 19-23-23 1.35v,电压真的低!
the7spy 发表于 2018-11-5 13:27 | 显示全部楼层
547737657 发表于 2018-11-5 12:42
嗯,海力士在于颗粒本身的进步,三星C die估计BIOS对A2 RAW CARD优化的结果。后者4133 19-23-23 1.35v,电 ...

昨晚看了CHH的帖子后又简单尝试了一下,3600依然无法保证过MT,帖子中的超频方法我感觉并不适合海力士颗粒。CHH那位总结的经验可能对三星BDIE这类吃电压的颗粒更加适用一点。比如它的第一步小参全Auto先摸频率与DIMM电压和SOC电压的方式就和我的超频感受完全不一样。我这对金士顿条子如果全AUTO直接上3600最多进BIOS,加载win10的瞬间极大概率蓝屏,而且加压也不管用,特别是SOC电压,在我手里的感受是1.08V-1.1V是最优的,加到更高对稳定性反而起了反作用。


跑到德文原贴那里瞄了一眼,展示出来的CJR颗粒芝奇SniperX超频结果中的电压频率关系和我的经验比较相仿,即使超到3800的频率,DIMM电压1.35V,SOC电压1.1V以内。

由于我的平台特性可能也限制了内存超频的发挥,加上4核8线程的U跑MT也比较慢,暂时不准备折腾了。。。

SF2281 发表于 2018-11-5 16:43 | 显示全部楼层
547737657 发表于 2018-11-5 12:42
嗯,海力士在于颗粒本身的进步,三星C die估计BIOS对A2 RAW CARD优化的结果。后者4133 19-23-23 1.35v,电 ...

强, HY到D4后期终于可以了。
eraser666 发表于 2018-11-5 21:50 | 显示全部楼层
卧槽,怪不得最近我觉得海力士颗粒的体质变好了,原来根本就是新颗粒
eraser666 发表于 2018-11-5 21:52 | 显示全部楼层
这识别错误太坑人了,我一直以为是MFR变好了
原来是CJR
FlankerWang 发表于 2018-11-5 23:20 | 显示全部楼层
8Gb cjr的原厂rdimm/lrdimm已经有默认2933/3200的customer sample/engineering sample了,至少看上去跟三星8Gb d-die/16Gb a-die的进度差不多

三星那边颗粒进度能查到默认3200的,原厂条进度还只能查到2933
龙抬头 发表于 2018-11-10 19:33 | 显示全部楼层
不容易啊,百花齐放才是春啊
547737657  楼主| 发表于 2018-11-11 15:20 | 显示全部楼层
我会陆续更新CRJ的体质!
小小的进步,通过RAM Test 1000%
纯净精简版系统下的带宽,如此美妙!


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the7spy 发表于 2018-11-11 23:18 | 显示全部楼层
547737657 发表于 2018-11-11 15:20
我会陆续更新CRJ的体质!
小小的进步,通过RAM Test 1000%
纯净精简版系统下的带宽,如此美妙!

牛逼牛逼~~~~
话说你的条子是芝奇狙击者3600C19?
547737657  楼主| 发表于 2018-11-12 11:05 | 显示全部楼层
the7spy 发表于 2018-11-11 23:18
牛逼牛逼~~~~
话说你的条子是芝奇狙击者3600C19?

是,你可以关注新版3200C16幻光戟的颗粒了
the7spy 发表于 2018-11-12 11:10 | 显示全部楼层
547737657 发表于 2018-11-12 11:05
是,你可以关注新版3200C16幻光戟的颗粒了

幻光戟3200C16还是算了,万一没摸到CJR感觉血亏。
双十一刚刚败了一套影驰HOF3600陶瓷条,不知道哪里弄来的库存,没听说影驰要复产这个系列。到手了和我的金士顿CJR比较一下


547737657  楼主| 发表于 2018-11-12 17:17 | 显示全部楼层
本帖最后由 547737657 于 2018-11-17 16:43 编辑
the7spy 发表于 2018-11-12 11:10
幻光戟3200C16还是算了,万一没摸到CJR感觉血亏。
双十一刚刚败了一套影驰HOF3600陶瓷条,不知道哪里弄来 ...

CJR被筛选过的B die摁在地上摩擦摩擦
52/50 4000 15-20-20-34 2T 1.56v 35.8ns,隔壁NGA轻松33.5ns
[NGA]Z390太极&M11G&Z390ACE


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the7spy 发表于 2018-11-21 21:46 | 显示全部楼层
547737657 发表于 2018-11-12 17:17
CJR被筛选过的B die摁在地上摩擦摩擦
52/50 4000 15-20-20-34 2T 1.56v 35.8ns,隔壁NGA轻松33.5ns
[NGA]Z ...

IU我就不比了,和自己的金士顿CJR颗粒条子比一下,HOF3600EX的结果

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the7spy 发表于 2018-11-26 13:20 | 显示全部楼层
547737657 发表于 2018-11-11 15:20
我会陆续更新CRJ的体质!
小小的进步,通过RAM Test 1000%
纯净精简版系统下的带宽,如此美妙!

问下你这个RAM test软件可以分享一下吗?
看起来很简洁


547737657  楼主| 发表于 2018-11-26 17:24 | 显示全部楼层
本帖最后由 547737657 于 2018-11-26 17:29 编辑
the7spy 发表于 2018-11-26 13:20
问下你这个RAM test软件可以分享一下吗?
看起来很简洁

RAM Test 1.1.0.0
RAM Test is a fast and reliable memory testing software capable of detecting both faulty hardware and overclock instability. Its key features include:
  • An easy-to-use graphical user interface
  • Support for up to 8 TB of RAM and 64 threads
  • Optimized code paths for AVX/AVX2 capable processors
  • Portability (i.e. can be run from a USB flash drive)
RAM Test 1.1.0.0 screenshots:



优点:速度超快,是HCI Memtest 5.1的3x以上!
缺点:与传统的HCI Memtest有较大差异,默认CPU Cache Default设置对L3/Cache压力偏小;出错时间不确定性,忽快忽慢。
Default模式较为均匀

其余的自行摸索,售价9,99 €



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