间隔不到2月，Techinsights更新了今年第三季度全球闪存技术路线图，新路线图将对未来3D闪存技术的预期拓展到了2022年。与上一次更新相比，还有一个新消息：美光将转向ChargeTrap类型，从而将英特尔晾在了原地！
此前，包括三星、美光在内的闪存原厂使用ChargeTrap电荷捕获结构取代2D平面时代的Floating Gate浮栅结构，使ChargeTrap成为了事实上的主流3D闪存形态。但英特尔和美光选择的是在3D闪存中沿用Floating Gate浮栅结构（当然也进行了改良）。下图为东芝BiCS 3D闪存与2D平面闪存的结构对比。
美光过去曾表示使用Floating Gate浮栅结构造3D闪存非常合适，因为它成熟，并且性能、品质和可靠性都得到了验证。然而，最新的消息是，在和英特尔闹翻之后，美光已决定自行转向Charge Trap电荷捕获型3D闪存的研究。毕竟电荷捕获型结构有助于提升闪存写入耐久度，这是从工作原理上决定的。
至于未来几年3D闪存堆叠层数的发展，TechInsights这次的预测要保守了很多，预计2020年能够达到200层级的水平，而不是之前有人预测的512层。如果单看近期的发展前景，2019年将是QLC大发展的一年。东芝的96层QLC闪存是存储容量最大的，达到1.33TB/颗粒。
除了路线图之外，Techinsights还给出了两张有趣的图片，其中一张是截至近几年Techinsights通过电子显微镜研究过的各家闪存的结构图片。
另外一张是手机闪存近几年的发展，主要是苹果iPhone和它的老对手三星的对比。从图中可以看到，自2015年以来，UFS正逐步成为手机闪存的主流。从品牌来看，三星和东芝几乎形成垄断，在SK hynix影响力下滑的同时，美光闪存至今没能打入主流移动存储芯片市场。
最后，固态硬盘的价格现在正稳步下调，希望各家一定要Hold住，不要跟风玩工厂着火、产能不足的游戏……
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