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美光已转舵 目标电荷捕获型3D闪存

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绝对有料 发表于 2018-9-15 22:59 | 显示全部楼层 |阅读模式
点击数:830|回复数:10
间隔不到2月,Techinsights更新了今年第三季度全球闪存技术路线图,新路线图将对未来3D闪存技术的预期拓展到了2022年。与上一次更新相比,还有一个新消息:美光将转向ChargeTrap类型,从而将英特尔晾在了原地!
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此前,包括三星、美光在内的闪存原厂使用ChargeTrap电荷捕获结构取代2D平面时代的Floating Gate浮栅结构,使ChargeTrap成为了事实上的主流3D闪存形态。但英特尔和美光选择的是在3D闪存中沿用Floating Gate浮栅结构(当然也进行了改良)。下图为东芝BiCS 3D闪存与2D平面闪存的结构对比。
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美光过去曾表示使用Floating Gate浮栅结构造3D闪存非常合适,因为它成熟,并且性能、品质和可靠性都得到了验证。然而,最新的消息是,在和英特尔闹翻之后,美光已决定自行转向Charge Trap电荷捕获型3D闪存的研究。毕竟电荷捕获型结构有助于提升闪存写入耐久度,这是从工作原理上决定的。

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至于未来几年3D闪存堆叠层数的发展,TechInsights这次的预测要保守了很多,预计2020年能够达到200层级的水平,而不是之前有人预测的512层。如果单看近期的发展前景,2019年将是QLC大发展的一年。东芝的96层QLC闪存是存储容量最大的,达到1.33TB/颗粒。

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除了路线图之外,Techinsights还给出了两张有趣的图片,其中一张是截至近几年Techinsights通过电子显微镜研究过的各家闪存的结构图片。

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另外一张是手机闪存近几年的发展,主要是苹果iPhone和它的老对手三星的对比。从图中可以看到,自2015年以来,UFS正逐步成为手机闪存的主流。从品牌来看,三星和东芝几乎形成垄断,在SK hynix影响力下滑的同时,美光闪存至今没能打入主流移动存储芯片市场。

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最后,固态硬盘的价格现在正稳步下调,希望各家一定要Hold住,不要跟风玩工厂着火、产能不足的游戏……

羽落风尘 发表于 2018-9-16 09:09 | 显示全部楼层
有那几个垃圾回收厂出垃圾产品压价  固态价格难涨
440BX 发表于 2018-9-16 21:54 | 显示全部楼层
qlc来了,大容量肯定平民价格了
来自苹果客户端来自苹果客户端
aixiangsui 发表于 2018-9-17 07:41 | 显示全部楼层
照片好像不是电镜。。
atmosphere 发表于 2018-9-17 10:46 | 显示全部楼层
好吧。看不懂。。。
pphiuyt 发表于 2018-9-17 18:54 | 显示全部楼层
用QLC 全盘模拟SLC  得多酸爽
CityVen 发表于 2018-9-17 19:17 | 显示全部楼层
pphiuyt 发表于 2018-9-17 18:54
用QLC 全盘模拟SLC  得多酸爽

跑完缓存跪成狗
bvg 发表于 2018-9-18 18:37 | 显示全部楼层
aixiangsui 发表于 2018-9-17 07:41
照片好像不是电镜。。

那个网站有电镜的照片,主帖里这个的确不是
kunlun1990 发表于 2018-9-18 19:00 | 显示全部楼层
不知道紫光的那个3D是什么类型的?镁光告我们抄袭,想必也是Floating Gate咯?
tcase 发表于 2018-9-18 19:10 | 显示全部楼层
从7袋苹果开始,闪迪好像隐身了。E3NAND好像就是PCIE 3.0 x2接口的,东芝和三星提供的闪存估计也是同样接口?不然开发起来也太麻烦了
dosmatters 发表于 2018-9-18 23:43 | 显示全部楼层
tcase 发表于 2018-9-18 19:10
从7袋苹果开始,闪迪好像隐身了。E3NAND好像就是PCIE 3.0 x2接口的,东芝和三星提供的闪存估计也是同样接口 ...

WD收购闪迪了之后,闪迪就半废了
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