本帖最后由 绝对有料 于 2018-8-30 16:35 编辑
作为全球首款的消费级QLC闪存NVMe固态硬盘，英特尔660p已经低价上市。不过据外媒援引消息人士的话说，目前英特尔制造QLC闪存的成本甚至超过了TLC闪存，有点赔钱赚吆喝的意思。
英特尔使用的QLC闪存源自与美光合资的IMFT工厂，该闪存使用64层3D堆叠工艺制造。早些时候宣布QLC闪存的东芝目前并没有把64层堆叠3D QLC带到市场上来，反而是将QLC闪存大规模量产的计划推迟至明年初的96层堆叠工艺下。三星的3D QLC固态硬盘目前还处在产品宣布的阶段，上市时间未知。
据报道，IMFT目前生产的QLC闪存良率不足一半，只有大约48%可用于制造固态硬盘。而相比之下，当前IMFT 64层堆叠TLC闪存的良率已达到九成左右，制造QLC的成本甚至不比TLC低。通常来说良率会随着工艺成熟而逐渐上升，不过3D闪存转向96层堆叠节点已经迫在眉睫，660p可能等不到64层3D QLC成熟的那一天。
令人欣慰的是，作为QLC闪存固态硬盘，英特尔660p的定价依然足够低。目前淘宝上512G容量售价699元左右，1TB和2TB版本暂未上市。
目前从纸面性能来看，空盘状态下的英特尔660p还是非常漂亮的，外媒评测的1TB版本在PCMark 8存储测试中5075分，这个成绩已经和定位高端的3D TLC型号英特尔760p基本一致。
但是，空盘跑分的纸面成绩如果落实到日常使用中还能剩下多少就很难说了。通常来说，采用全盘SLC缓存的固态硬盘都会在空间使用率上升到一定程度、不得不随时做垃圾回收的时候发生较为明显的掉速。PCEVA目前尚未了解到660p在这种情况下的性能表现，暂时也没有发现有媒体对QLC闪存进行大家喜闻乐见的耐久度试验。
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