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全球NAND闪存制造商技术路线图

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绝对有料 发表于 2018-7-26 09:02 | 显示全部楼层 |阅读模式
点击数:1692|回复数:5
本帖最后由 绝对有料 于 2018-7-26 17:24 编辑

如果说iFix做的是数码产品的拆解,Techinsights做的则是半导体产品的深度“拆解”:利用X光与电子显微镜等手段分析专利与技术。最近TechInsights“拆解”了SK Hynix的72层堆叠3D闪存,同时还整理了最新的全球NAND闪存制造商技术路线图。
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单从堆叠层数来说,SK Hynix的72层堆叠比当前流行的64层堆叠层数更高,但256Gb的单Die容量跟64层堆叠技术基本一样。根据TechInsights的介绍,该闪存相比SK Hynix上一代48层堆叠3D闪存的Block体积增大50%,同时拥有更低的写入延迟。同时,闪存接口带宽也从667MT/s提升到800MT/s。

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SK Hynix的闪存不出名有多重原因,一方面内存才是SK Hynix的主要业务,NAND在记忆体类收益中仅占19%,NAND市占率则以11.1%排在美光之后。

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另一方面,SK Hynix的多数NAND闪存产出被用于移动设备领域,留给固态硬盘的份额并不多。SK Hynix的原厂固态硬盘在国内没有零售渠道,也给大家了解SK Hynix带来了距离。

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接下来将目光转移到路线图,这份由TechInsights整理的全球闪存制造企业技术路线图中已经有了国内企业长江存储的身影,直接从32层堆叠3D闪存起步的它跳过了2D平面时代的发展,不过距离行业主流水平依然有一定距离,需要更加努力地追赶。

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从上图可以看到,2D平面闪存的发展基本已经停滞。在48层堆叠技术上持续使用很长时间之后,各闪存原厂似乎都有加速技术换代的计划。下一代96层堆叠技术可能只持续一年,就将尝试上马128层堆叠。

采用3D XPoint技术的傲腾NVDIMM内存条在图中标注为今年下半年。不过根据小编的观察,过去技术节点的时间点标注大多是以企业宣布为准,并非产品大规模量产或最终产品上市时间。路线图上的未来科技不排除跳票延迟的可能。

overthink 发表于 2018-7-26 15:58 | 显示全部楼层
HY脚踩两只船了?闪存接口也用Toggle 3.0
绝对有料  楼主| 发表于 2018-7-26 17:23 | 显示全部楼层
overthink 发表于 2018-7-26 15:58
HY脚踩两只船了?闪存接口也用Toggle 3.0

信息有误,应该还是ONFI。已修正。
nighttob 发表于 2018-7-26 22:42 | 显示全部楼层
overthink 发表于 2018-7-26 15:58
HY脚踩两只船了?闪存接口也用Toggle 3.0

HY一直是脚踩两条船

tsammammb 发表于 2018-7-27 14:12 | 显示全部楼层
路线图中各家3D NAND线宽的数据有可靠来源么,和其他消息源出入有些大啊
liuxinglaoweng 发表于 2018-7-27 23:41 | 显示全部楼层
台湾南亚有产NAND吗
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