为什么英特尔/美光的3D闪存还在用浮栅型结构？

kkess 发表于 2018-7-28 13:07
没说点上。

TR200性能一般是因为主控是PS3111定制版，这个主控只有两个闪存通道，但是作为无外置缓存它 ...

那人是个初学者，被枪文误导了而已，不用太在意的

Floating Gate浮栅代表着场效应晶体管的传统结构，其原理通俗易懂，我喜欢Floating Gate浮栅式结构。

kkess 发表于 2018-7-28 13:07
没说点上。

TR200性能一般是因为主控是PS3111定制版，这个主控只有两个闪存通道，但是作为无外置缓存它 ...

有道理。
看起来是东芝不想采购DRAM芯片导致。

linkerlin 发表于 2018-7-28 21:54
有道理。
看起来是东芝不想采购DRAM芯片导致。

那点dram没几个钱，东芝倾向外置无缓存是因为他们觉得外置缓存不配掉电保护不安全。

ssn774 发表于 2018-8-6 02:02
那点dram没几个钱，东芝倾向外置无缓存是因为他们觉得外置缓存不配掉电保护不安全。
...

没几个钱？你还真大方，一颗没几个钱，几万几十万上百万就是钱了。厂商都是要利润的，没有慈善家。
现在Dram less的方案数量已经不少了。NVMe现在能支持HMB，dram less带来的性能损失会更小一些，以后无缓存的廉价方案会更多

糊了么 发表于 2018-8-6 23:24
没几个钱？你还真大方，一颗没几个钱，几万几十万上百万就是钱了。厂商都是要利润的，没有慈善家。
现在D ...

你的意思的是小厂寨厂出的起这个钱东芝反而出不起？

ssn774 发表于 2018-8-8 07:54
你的意思的是小厂寨厂出的起这个钱东芝反而出不起？

看来你绝对没做过买卖，也从没打算过做买卖

ssn774 发表于 2018-8-8 07:54
你的意思的是小厂寨厂出的起这个钱东芝反而出不起？

别高估了躬匠。Q200EX之前有DRAM，虽然并没啥用，现在不声不响就阉割了。

连你坛的坛友水平都开始水了吗？HG6系列的dram缓存问题，见之前浴室的科普：
http://bbs.pceva.com.cn/thread-118231-1-1.html
这里顺便讲几个稳定性提高的做法，前面说了数据是和第1级和第2级ECC模块生成的纠错码一起写入闪存的，那么当数据读取的时候如果第1级纠错码无法纠错的时候会使用延迟稍高的第2级纠错码进行纠错。另外随着外置缓存容量的增加，出错率也在增加，我们平日的电脑如果内存出错一般会出现蓝屏，死机等问题，而SSD的缓存是用来存放映射表的，如果出错则可能是直接变砖的。目前消费级产品SSD都不会去做外置缓存的冗余保护ECC，只会做主控内SRAM的冗余保护，因此容量越大缓存越大的SSD会更容易出错。东芝Q Pro系列的SSD固件索性就把外置缓存给整个去掉了，既降低了运行功耗，省却了成本，也保证了数据安全，同时去掉缓存后mSATA，M.2这类版型较小的尺寸也有空间优势。

但是去掉外置缓存虽然保证了数据安全，却会带来性能上的下降，比如最直接的影响就是低队列下的随机读取性能，因为没有了大容量的外置缓存，大部分数据的映射表都只能放在闪存里，小部分在主控SRAM里，虽然东芝采用了SLC Cache模式来提高闪存访问速度，但是毕竟不能和外置缓存的速度相比，因此每次随机读取数据时候如果SRAM里没有对应数据的地址，则需要先进入闪存里把映射表读取进入缓冲区，再根据查表模块找到真实数据再次读取出来，这样就会造成了2次读取，我们叫做读放大。读取放大可以被多队列命令隐藏，单条命令的时候就没辙了。写入数据的时候有数据缓冲区合并写入闪存，因此随机写入量不大的时候没事，一旦随机写入量超过数据缓冲区平衡能力（查表速度跟不上，因为映射表不在SRAM就可能会需要先从闪存里读进数据缓冲区）就会出现性能低下，但是家用环境这种情况很少，真的需要用到这部分性能的时候，请选择其它高耐久度高性能企业级产品。

http://bbs.pceva.com.cn/thread-136819-1-1.html
一般的A19nm MLC是单个或者2个Plane的，这个类似于把2个Plane的A19nm MLC胶水，内部带宽提升，但没法拿来做Micro SD卡。硬件规格超出了主控内部SRAM寻址范围，所以和上面1TB的饥饿鲨VX500（或者东芝Q300 Pro）一样，需要增加一颗外置缓存来扩展。当初东芝Q200 EX刚发布时，看到有缓存以为能够提升随机性能，结果测试下来没有明显提高，最终就把这颗外置缓存看成了摆设，其实它是一个重要元件，但不是为了提升性能设计罢了
东芝的企业级产品里，有一颗较偏读取的并采用类似硬件方案的SATA接口SSD（代号Hawk-M3R），也是随着闪存工艺的更新，经历了19nm到15nm MLC闪存的过渡（Hawk-M3Rx -> Hawk-M3Ry -> Hawk-M3Rz），取消了SLC缓冲设计和搭配随机性能提升的固件，采用了完整掉电保护方案来保证数据完整性。
所以一套完整的方案（软硬件结合），均是量身打造的，想在固件里提升随机性能，在加速的同时也请搭配掉电保护防止变砖。SSD完整方案的延续，是技术和经验的积累，不要单纯理解为这是挤牙膏，相比一套全新方案，固件的健壮性会有更好的保证。

总结来说dram带来了随机读取性能的提升，但也有掉电丢映射表的风险，所以HG6选择了阉保安全。HG5d、HG6系列的前期型号Q、Q pro、Q300pro都是没有dram缓存的，后期型号多出来的dram是用来缓存颗粒寻址的，并不用来缓存映射表，所以也没按1m对应1g给那么大容量，但绝不是摆设。

至于现售的oem型号，除了HG6之外,SG5、SG6、XG5，全都是有dram缓存的
，这和东芝普及群联方案有关：https://business.toshiba-memory. ... cts/client-ssd.html
所以楼上的商业精英们，你们觉得东芝在dram稀烂贱的时候阉割外置缓存，等dram价格高涨的时候反而把外置缓存都加上了，是一种为成本考虑的行为吗？

ssn774 发表于 2018-8-8 22:17
连你坛的坛友水平都开始水了吗？HG6系列的dram缓存问题，见之前浴室的科普：
http://bbs.pceva.com.cn/thre ...

你自己说了1、“A19……最终就把这颗外置缓存看成了摆设，其实它是一个重要元件，但不是为了提升性能设计罢了”；“后期型号多出来的dram是用来缓存颗粒寻址的，并不用来缓存映射表，所以也没按1m对应1g给那么大容量，但绝不是摆设”


2、“至于现售的oem型号，除了HG6之外,SG5、SG6、XG5，全都是有dram缓存的，这和东芝普及群联方案有关”
然而现在拖洗吧不声不响阉割了Q200EX的“重要元件”，不知是不是为了应对DRAM暴涨？
至于2，你都说了原因，和东芝普及群联方案有关，不得不上啊。
商人总是逐利的，躬匠也不可能例外。

ssn774 发表于 2018-8-8 22:17
连你坛的坛友水平都开始水了吗？HG6系列的dram缓存问题，见之前浴室的科普：
http://bbs.pceva.com.cn/thre ...

售价与产品品质当然有关联的，我吐槽只是吐槽，层主莫激动

kkess 发表于 2018-7-28 13:07
没说点上。

TR200性能一般是因为主控是PS3111定制版，这个主控只有两个闪存通道，但是作为无外置缓存它 ...

说得很好，我也曾经是东芝q200ex的用户，这盘非常稳，期间用过一个供电不稳的移动硬盘盒把它放进去拷数据，意外断电n次，没有数据损失，更没有挂盘。后期放的东西多了，写入速度确实会下降，我是个急性子，做se让它恢复速度了事，嘿嘿

tx97 发表于 2018-8-9 14:15
你自己说了1、“A19……最终就把这颗外置缓存看成了摆设，其实它是一个重要元件，但不是为了提升性能设计 ...

1.颗粒不是4plan自然用不到dram，而且现在dram价格是小幅回落的谢谢。
2.东芝当年可以阉9187，现在就可以阉群联。
3.产品生命末期的大量降价甩货的幅度比那点dram高多了，觉得大厂会扣那几个dram属于皇帝用金扁担。

我说，你们跑题也跑得太远了吧，怎么都在讨论东芝如何缩水