PCEVA,PC绝对领域,探寻真正的电脑知识
开启左侧

海力士中国建厂 三星量产96层闪存

[复制链接]
绝对有料 发表于 2018-7-11 00:37 | 显示全部楼层 |阅读模式
点击数:925|回复数:6
在美光遭到国内制裁的同时,另外两大内存制造巨头三星和海力士受到更多关注。SK Hynix去年在中国设立了海力士系统集成电路有限公司,专注于代工业务。据韩国Bizwire报道,Hynix已决定将其位于韩国清州M8工厂的老化200毫米晶圆生产线搬迁到中国继续使用。
image1.jpeg


200毫米晶圆(8寸)在当前属于较为落后的技术水平,但自去年以来,全球200毫米晶圆厂产能就一直存在短缺。尽管不涉及300mm(12寸)工艺生产的尖端芯片,但200毫米产能可以满足无晶圆厂设计公司的需求:对于大量在老旧200毫米成熟节点上制造的元器件,比如模拟器件、通信IC和传感器,200毫米尽管落后但依然有市场需求。

image2.jpeg

虽然内存和闪存给SK Hynix带来了丰厚的利润,但SK Hynix希望减少对他们的依赖,并寻找新的增长点。内存虽然现在赚钱,但等中国掌握技术之后,谁又能预测未来的市场?

另一条消息,三星刚刚宣布第五代V-NAND三维闪存进入量产阶段。新一代3D闪存将使用96层堆叠技术,但存储容量保持在单Die 256Gb不变。

image3.jpeg

在此之前3D闪存一直是以存储容量作为主要增长点,第五代V-NAND只保留了64层堆叠初期的存储密度,毕竟三星64层3D闪存进入SSD产品也还没多久。三星将远期目标设置在1Tb单Die容量,这将需要QLC形式闪存来实现。
image4.jpeg

尽管存储容量没有增长,但由于物理尺寸缩减,第五代V-NAND的存储密度实际上有所增加。除此之外,第五代V-NAND将使用全新Toggle 4.0闪存接口,闪存芯片与主控之间的接口带宽提升40%,达到1.4Gbps,闪存写入延迟相比上代技术也将下降30%左右。第五代V-NAND还将使用1.2V电压取代当前使用的1.8V电压,从而带来功耗方面的进步,移动电子设备将从中受益。
image5.jpeg

akingmax 发表于 2018-7-11 06:57 | 显示全部楼层
看来国产与三星差距很大
红色国度 发表于 2018-7-11 09:26 | 显示全部楼层
96层,屌。 啥时候128层
来自苹果客户端来自苹果客户端
七月流火 发表于 2018-7-11 19:53 | 显示全部楼层
国产不知道几年能追上
Atom 发表于 2018-7-11 22:20 | 显示全部楼层
这技术中国赶紧掌握吧,
来自苹果客户端来自苹果客户端
红色狂想 发表于 2018-7-13 23:54 | 显示全部楼层
千层馅饼,没了镁光俩棒子就更可以随意涨价了。。。
CityVen 发表于 2018-7-15 12:08 | 显示全部楼层
为啥堆叠层数提高了 容量还是这么大?
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

快速回复 返回顶部