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Intel 760p固态硬盘评测

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Essence 发表于 2018-3-19 15:45 | 显示全部楼层 |阅读模式
点击数:3153|回复数:19
本帖最后由 Essence 于 2018-3-19 16:23 编辑

2016年上市的Intel 600p终于迎来了换代型号:采用全新64层堆叠3D闪存的Intel 760p。喜获性能升级的760p究竟在NVMe固态硬盘当中处于一个怎样的水平?


英特尔固态硬盘产品分为消费级、发烧级、专业级和数据中心级等若干个分类,同时又用类似CPU的形式分有3、5、7、9等多个系列,Intel 760p是首个归属于消费级的英特尔7系列固态硬盘产品,之前的Intel 750则隶属于发烧级产品。从定位来说760p是一款大众定位的“高配”产品。Intel 760p支持5年保修,这在英特尔固态硬盘中很常见,但对于其他一些品牌来说通常是只有旗舰产品才能享受的待遇。


Intel 760p当前有128G、256G和512G三种容量,本次评测的是256G和512G两个容量。PCEVA评测的760p 512G是搭载正式版固件的ES工程样品,外观与正式版的256G略有不同。在过去黑色是英特尔高端产品专属,从中可以感受到英特尔对其的重视。产品标签中使用了Intel 760P字样,不过我们以英特尔产品库为准,依旧写作“Intel 760p”,小写p为NAND闪存类型,大写P则表明产品使用了3D XPoint闪存。

硬件拆解:

M.2固态硬盘的拆解只有撕除标签而已。两颗Intel 760p都是主控+2颗闪存的单面PCB布局。硕大的SMI字样占据了主控显眼位置,而小小的Intel Logo屈居角落。在正式版产品中英特尔以一张全覆盖的贴纸将主控全部盖住。


256G:
Intel 760p 256G使用了单颗南亚512MB LPDDR3缓存,主控编号为T08A92.00。两颗闪存编号为29F01T4ANCTH2,单Die容量256Gb,4Die封装,每颗闪存颗粒可支持4通道4CE,容量1024Gb(128GB)。

512G:
Intel 760p 512G使用编号T06B66.00的主控搭配2颗Hynix DDR4缓存,每颗缓存容量512MB,两颗一共1GB。闪存颗粒为2颗29F02T4AOCTH2,单Die容量256Gb,8die封装,每颗闪存颗粒可支持4通道8CE,容量2048Gb(256GB)。



Intel 760p所用主控应该是慧荣SM2262的定制版,使用PCIe 3.0 x4接口,支持NVMe 1.3协议,8个闪存通道,每通道最大4CE。英特尔二代3D TLC闪存的配置能够令主控跑满8通道,避免了Intel 600p只能利用3个或6个闪存通道的尴尬,是760p性能提升的一大保障。


缺失的金手指:

Intel 760p 256G的PCB背面是空白的,而512G的PCB背面则有两个闪存空焊位,或许是给未来1TB和2TB型号所留。可能有朋友已经注意到了PCB背面M.2接口中部分缺失的金手指:



实际上这些位置的金手指在M键位的M.2接口中定义都是“无连接”(N/C),将其直接省去并没有影响。



M.2有很多键位,与固态硬盘相关的主要是B和M键位。



nighttob的M.2科普帖中所说一样,M2的键位设计的比较有迷惑性,像当年DDR内存一样,容易被强插导致插反。在Intel省去部分金手指之后,通过正反面金手指数量来判断键位的方法失效,所以英特尔在760p上直接标出了M键位。



测试平台及信息识别

测试平台:

CPU:Intel Core i7 [url=mailto:\[email\]7700K@4\.8Ghz\[\/email\]]\[email\]7700K@4\.8Ghz\[\/email\][/url](所有CPU节能特性关闭)
主板:华硕ROG STRIX Z270F Gaming
内存:影驰Gamer II DDR4 3000 8GB*2
硬盘:金士顿HyperX Fury 240G(系统盘)
         Intel 760p 256G(FW:001C)
         Intel 760p 512G(FW:001C)
系统:Windows 10 Pro 1709,16299
驱动:系统默认stornvme,关闭写入缓冲区刷新(除特别说明以外)

CrystalDiskInfo信息识别:

NVMe统一了SMART信息格式,各种品牌的NVMe固态硬盘健康度信息都比较容易识别。Intel 760p 128G/256G/512G的官标写入寿命分别为72TBW、144TBW和288TBW,根据写主机写入量,05 Percentage Used已用寿命会根据官标TBW计算并展现出来。

256GB:



512GB:



工具箱软件及NVMe驱动:

最新版本的英特尔固态硬盘工具箱已提供对Intel 760p的支持。



工具箱除了标准NVMe属性显示之外,还能查看C0(192)和C4(196):警告温度以及极端温度持续时间记录:



在删除所有分区后,固态硬盘工具箱可以为Intel 760p执行Secure Erase安全擦除操作:



与SATA固态硬盘不同,PCIE NVMe协议的Intel 760p进行Secure Erase安全擦除之前无需断电或让系统进入睡眠状态。尽管Secure Erase警告对话框里的中文翻译略显蹩脚,但并不难理解。



在短暂的等待之后,固态硬盘工具箱完成了对Intel 760p的Secure Erase安全擦除。进入Windows 8时代以后,由于操作系统的限制,很多品牌的固态硬盘工具箱软件都无法在系统内执行Secure Erase,Intel固态硬盘工具箱能够继续提供该功能显得难能可贵。



另外一个好消息是,英特尔从一开始就为760p提供了NVMe驱动程序,驱动版本号是4.0.0.1007。本次评测以微软默认stornvme驱动为主,对安装Intel NVMe驱动后的测试成绩单独安排章节与系统默认驱动进行对比。



基准测试

基准测试1:TxBENCH测试

通过Txbench测试可以看到Intel 760p的4K单线程读取速度在71mB/s(1000进制,换算成1024进制为66.12MB/s)以上,这是一个非常有意思的地方。Intel 760p并未使用3D XPoint闪存,而以普通NAND闪存的延迟水平来说,这样的4K单线程读取速度是难以实现的。Intel到底是怎样做到的?后面的章节中会有单独的测试和说明。

256GB:



512GB:



使用微软默认驱动测试时,Txbench对Intel 760p的Max区块是256K,而安装Intel NVMe驱动之后,Txbench对Intel 760p测试的Max区块会变回128K。为方便对比,这里补充测试CrystalDiskMark 5.5与CrystalDiskMark 6.0的测试成绩。两个版本CrystalDiskMark的主要不同在于CrystalDiskMark 6.0用4K Q8T8随机读写取代了CrystalDiskMark 5.5中的Seq持续读写测试,这个变化主要是针对NVMe而设。NVMe协议能够支持最多64K个队列,每个队列支持64K条命令,而AHCI协议仅有一个队列,32条命令。4K Q8T8在NVMe固态硬盘中理论上有机会发挥出比4K Q64T1更高的性能。

256GB:



512GB:



基准测试2:PC Mark 7测试

256GB:



512GB:



基准测试3:PC Mark 8测试

Intel 760p 256G与512G的PC Mark 8成绩在当前NVMe固态硬盘当中都属于上游水平,但相比Intel 750 400G略低一些。

256GB:



512GB:



基准测试4:SLC Cache测试

Intel 760p 256GB的SLC缓存容量大约为3GB,缓存外持续写入速度大约280MB/s。



Intel 760p 512GB的SLC缓存容量大约为5.5GB,缓存外持续写入速度大约550MB/s。


Intel 760p使用了一种特殊的SLC缓存策略,具体内容将会在单独文章中解读。

基准测试5:NVMe驱动影响

英特尔为760p提供了NVMe驱动支持,该驱动除了能方便Windows 7系统安装之外,还可以对Windows 10下NVMe固态硬盘性能起到一定帮助。为了测试的精准度,评测中大部分测试项目使用了微软默认stornvme驱动,但有必要在此对Intel NVMe驱动的性能做一简单对比。

256GB:
安装Intel NVMe驱动后CrystalDiskMark测得的持续与随机读写性能均有不同幅度上涨:


PC Mark 7存储测试展现出来的差异不太明显,安装Intel NVMe驱动之后测得的PC Mark7标准存储成绩下降1分,RAW成绩则上涨347分。

在安装Intel NVMe驱动之后测得的PC Mark 8存储测试成绩发生下滑,存储分小降2分,存储带宽则下降4.42MB/s。


512GB:
安装Intel NVMe驱动后Intel 760p 512G在CrystalDiskMark中提升最明显的是4K单线程随机读写性能,分别提高4.11MB/s和39.7MB/s。



PC Mark 7存储测试展现出来的差异不太明显,安装Intel NVMe驱动之后测得的PC Mark7标准存储成绩上涨8分,RAW成绩则上涨462分,对实际使用性能影响较小。



在安装Intel NVMe驱动之后测得的PC Mark 8存储测试成绩上涨4分,存储带宽上涨18.53MB/s。



基准测试6:发热与限速点

禁用PCIE Express链接状态电源管理,室温19度裸机环境下Intel 760p 512G待机温度大约为35度左右。



以2048K区块进行QD32持续写入,5分钟内最高温度69。Intel 760p的温度限制在69度左右,达到该温度后触发限速,其后温度会在67度到69度之间波动。



Intel 760p的缓存外写入速度并不快,持续读取更容易使温度快速达到限温点。闲置稳定温度下使用2048K区块QD32持续读取,只需不到1分钟就会达到限温点。通过测试发现,Intel 760p报告的最高温度为70度。由于热成像仪的限制,带有金属外壳的主控位置温度不能被正确识别。靠近主控附近的最热点测得温度84.1度,估计主控温度应该在100度左右。


制约NVMe固态硬盘耐温值的主要是NAND闪存以及DRAM缓存,它们的安全工作温度上限通常在70到95度之间,而主控芯片作为主要发热源,在设计时已经充分考虑了高温问题。当前NVMe固态硬盘报告的温度通常都不是主控温度,而是由靠近闪存或缓存的独立测温元件报告的。

进阶测试

进阶测试项目1:随机读写理论测试

由于SLC缓存容量限制,高队列深度下写入测试结果仅供参考。

256GB:




512GB:




进阶测试项目2:4KB QD32 随机写入离散度测试,时间5000秒。

无文件系统下使用IOMeter进行128K QD32持续写入半小时,空闲15分钟后改用4K QD32随机写入5000秒并每秒记录。

256GB:
128K QD32持续写入过程:



4K QD32随机写入5000秒:


最后500秒:稳定态成绩比较糟糕,与主控能力及固件优化有关,760p毕竟不是Intel自研的企业级主控,面临的也不是重压写入应用环境,这是可以理解的。


512GB:
128K QD32持续写入过程:



4K QD32随机写入5000秒:


最后500秒:


进阶测试项目3:PCMARK 8扩展存储测试之性能一致性部分(稳定态家用环境性能)

这个测试主要是给家用最恶劣环境下的性能参考(全盘不留任何剩余空间,禁用了Windows文件系统缓存跑纯RAW模式)。


Intel 760p的PC Mark 8扩展测试成绩还不错,尤其是稳定态下512G的成绩要比256G好很多。

总结:

760p是英特尔消费级NAND闪存固态硬盘中定位最高的产品。通过闪存升级,760p一改上代600p给人留下的性能羸弱印象,成功晋级高端NVMe固态硬盘序列。

在从MLC到TLC、从2D TLC到3D TLC的发展过程中,我们看到了很多初代产品解决从无到有问题,第二代产品针对性查漏补缺和完善增强的例子。Intel 760p使用的第二代64层堆叠3D闪存相比600p中应用的初代32层堆叠3D闪存,单Die容量从384Gb下降到256Gb,更加适合小容量固态硬盘产品,有利于保障性能的发挥。英特尔第二代3D闪存还增补了对Copy Back特性的支持,使得760p在面对超过缓存容量的大量写入时,应对起来更为得心应手。


虽然单Die容量下降,但是英特尔第二代3D闪存的存储密度更高,依旧符合降成本的发展目标。预计英特尔第二代3D闪存后续还会有单Die 512Gb容量的版本,英特尔计划中的1T和2T版760p很可能就在等待它们来实现。


依照《PCEVA产品评价标准》,Intel 760p 256G的PC Mark 8存储分在5000以上,性能体验获得5分;使用缓存加速且离散性高低相差范围超过50%,负载表现获得2分;英特尔原厂3D TLC闪存,做工用料获评4分;PCIe+NVMe,接口协议获评5分;5年质保并由厂商提供直接送修服务,拥有标准工具箱以及NVMe驱动程序,Intel 760p消费体验获得5分。



依照《PCEVA产品评价标准》,Intel 760p 512G的PC Mark 8存储分在5000以上,性能体验获得5分;使用缓存加速且离散性高低相差范围超过50%,负载表现获得2分;英特尔原厂3D TLC闪存,做工用料获评4分;PCIe+NVMe,接口协议获评5分;5年质保并由厂商提供直接送修服务,拥有标准工具箱以及NVMe驱动程序,Intel 760p消费体验获得5分。


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七月流火 发表于 2018-3-19 16:39 | 显示全部楼层
就关心900p什么时候能到1k以内
440BX 发表于 2018-3-19 16:52 | 显示全部楼层
主控也打INTEL标了。  SMI不一般啊
440BX 发表于 2018-3-19 16:53 | 显示全部楼层
七月流火 发表于 2018-3-19 16:39
就关心900p什么时候能到1k以内

这个估计要两年左右吧
红色狂想 发表于 2018-3-19 17:20 | 显示全部楼层
嗯,一看见黑色pcb就来劲儿
羽落风尘 发表于 2018-3-19 17:21 | 显示全部楼层
红色狂想 发表于 2018-3-19 17:20
嗯,一看见黑色pcb就来劲儿

我喜欢白的
羽落风尘 发表于 2018-3-19 17:22 | 显示全部楼层
512G写入提升挺大的
waterdq1004 发表于 2018-3-19 20:54 | 显示全部楼层
以后有需求可以买的系列
Atom 发表于 2018-3-19 22:57 | 显示全部楼层
羽落风尘 发表于 2018-3-19 17:21
我喜欢白的

额,我喜欢粉的
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Atom 发表于 2018-3-19 22:58 | 显示全部楼层
羽落风尘 发表于 2018-3-19 17:22
512G写入提升挺大的

对,必须买512,容量性能两相宜
来自苹果客户端来自苹果客户端
knetxp 发表于 2018-3-20 08:02 | 显示全部楼层
256G最低多少钱能入手?
hongxu1600 发表于 2018-3-20 09:42 | 显示全部楼层
4K这么高,什么黑科技?
c11220k 发表于 2018-3-20 13:04 | 显示全部楼层
有一个疑问,在TxBENCH测试中提到
“通过Txbench测试可以看到Intel 760p的4K单线程读取速度在71mB/s(1000进制,换算成1024进制为66.12MB/s)以上,这是一个非常有意思的地方。Intel 760p并未使用3D XPoint闪存,而以普通NAND闪存的延迟水平来说,这样的4K单线程读取速度是难以实现的。Intel到底是怎样做到的?后面的章节中会有单独的测试和说明。”
可是并没有看到后面的说明?到底是什么技术有这么高4K的成绩?
guangyunjian 发表于 2018-3-20 14:22 | 显示全部楼层
依照《PCEVA产品评价标准》 这一段出现了两次
红色狂想 发表于 2018-3-20 22:44 | 显示全部楼层

脑海里瞬间出现的是影驰玩家堂
krest 发表于 2018-3-20 23:47 | 显示全部楼层
guangyunjian 发表于 2018-3-20 14:22
依照《PCEVA产品评价标准》 这一段出现了两次

两兄弟长的再像也是两个人,两段长的再像,也有区别
doymll 发表于 2018-3-21 15:50 | 显示全部楼层
对了.好奇他的缓存怎么不用INTEL自家的.
arc100 发表于 2018-3-21 16:58 | 显示全部楼层
doymll 发表于 2018-3-21 15:50
对了.好奇他的缓存怎么不用INTEL自家的.

Intel自己没DRAM产线的,连NAND也是在和美光合资工厂里产出的,后边和美光分家后估计会在大连厂造NAND。
缓存用南亚的挺合适,南亚市占率低价格给的估计很友好,而且三星美光都去做大容量DARM颗粒了,512MB的颗粒估计也不好买了。512G用hynix显然是因为hynix的体积小一些,南亚那个512M的太大,单面PCB布局放不下两颗,以上纯个人猜测,如有谬误请指正。
doymll 发表于 2018-3-21 16:59 | 显示全部楼层
arc100 发表于 2018-3-21 16:58
Intel自己没DRAM产线的,连NAND也是在和美光合资工厂里产出的,后边和美光分家后估计会在大连厂造NAND。
...

我以为是因为成本问题.才上的南亚.不清楚intel自家没有.
就是其他更高级别的.也是南亚 镁光之类的吗
NuclearBomb 发表于 2018-3-21 22:45 | 显示全部楼层
价格咋样?看好512的了
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